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公开(公告)号：CN115331115A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202210968823.8
申请日：2022-08-12
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06V20/13 , G06V10/77 , G06V10/82 , G06V10/50 , G06V10/774
Abstract: 本发明提出了一种基于广义主成分分析和生成对抗网络GAN的SAR图像目标识别方法，包括下述步骤：(1)获取训练样本集和测试样本集；(2)对训练样本集进行广义主成分分析；(3)构建生成对抗网络模型；(4)对生成对抗网络模型进行迭代训练；(5)获取SAR图像目标识别结果。本发明将对训练样本集进行广义主成分分析得到的最优投影矩阵作为生成网络G和判别网络D权值参数中的一部分，再通过迭代训练得到一个最优生成对抗网络模型，使得生成网络G能够生成训练样本集所缺失的方位角目标伪图像，判别网络D能够获取更完整的目标方位信息与结构信息，解决了现有技术没有有效利用目标方位信息的问题，提高了SAR图像目标识别正确率。
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公开(公告)号：CN115310584A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202210715812.9
申请日：2022-06-22
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于PyTorch至ONNX的神经网络格式转换方法，涉及人工智能技术领域，包括：获取PyTorch神经网络模型，解析PyTorch神经网络模型，获取PyTorch神经网络模型的各操作层的参数信息和前向传播过程；将PyTorch神经网络模型的各操作层的参数信息和前向传播过程转换至ONNX模型；序列化保存ONNX模型至ONNX文件，完成转换过程。本申请能够有效提高转换效率。
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公开(公告)号：CN111736143B
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN202010615328.X
申请日：2020-06-30
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明属于雷达技术领域，公开了一种基于目标容量的同步多波束功率分配方法，以BCRLB下界作为衡量目标跟踪精度的指标函数，以满足精度要求的目标个数为目标进行最大化，将TC‑SMPA方案要解决的问题表示为非光滑非凸的优化问题；采用sigmoid激活函数将其松弛为光滑非凸的问题，并利用ADMM法得到松弛问题的一个稳定解，通过微调过程来修补稳定解存在的偏差；微调过程利用反函数求解目标在期望的精度下所需的功率，保证目标在可以被跟踪到的情况下消耗最小的功率，同时节约的一部分功率会被分配给在本次分配中未被跟踪到的目标，加快信息的积累，使这些目标在后续的分配中，更容易被跟踪到，以此提高雷达的检测性能。
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公开(公告)号：CN115117615A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202210887484.0
申请日：2022-07-26
Applicant: 电子科技大学 , 航天恒星科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于2bit相位数字化的双圆极化平板电扫天线，包括介质基板、辐射阵面、直流偏置层、功率分配网络和金属地板，其中，辐射阵面和直流偏置电路分别位于上层介质基板的上下表面，金属地板和功率分配网络印刷在下层介质基板的上下表面；功率分配网络通过金属过孔与辐射阵面连接，通过控制施加在直流偏置电路上的高低电平，使得单元的辐射电磁波的相位分别呈现0°、90°、180°和270°四种不同的电磁响应。因此，在不同的相位补偿状态下，电磁波可以在不同的角域同相叠加合成主波束，实现波束扫描。
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公开(公告)号：CN114726275A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210500235.1
申请日：2022-05-09
Applicant: 电子科技大学 , 重庆长安工业(集团)有限责任公司
Abstract: 本发明涉及含有参数摄动、时变负载、摩擦扰动因素的永磁同步电机随动系统控制。本发明公开了一种应用于含摩擦随动系统的自适应滑模控制方法，提高随动系统的跟踪性能，包括积分滑模面、积分滑模控制算法、自适应非线性趋近律算法、自适应估计、超螺旋滑模观测器、电机随动系统模型和摩擦模块。其具体技术方案如下：首先，将扰动因素视为集中扰动，设计超螺旋滑模观测器估计含摩擦的扰动与自适应估计参数摄动，提高系统的抗干扰能力。其次，设计了基于积分滑模面构造积分滑模控制算法和自适应非线性趋近律算法，提高系统跟踪性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110571143B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN201910677856.5
申请日：2019-07-25
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L21/28
Abstract: 本发明公开了一种新型高频半导体栅极的制作方法，包括：选取势垒层；在势垒层上形成夹层结构，其中，夹层结构自下而上依次包括：第一光刻胶层、第一金属层、第二光刻胶层和第二金属层；光刻夹层结构后形成第一结构；对第一结构进行显影后形成具有T形凹槽的T形凹槽结构；在T形凹槽结构的表面淀积栅金属层后形成第二结构；对第二结构进行剥离后形成浮空T形栅。本发明通过第一金属层来避免两种光刻胶之间互溶层的形成，从而将栅脚与栅头分离，第二金属层作为阻挡层，易于栅金属的剥离，且第一金属层、第二金属层释放电子束光刻中剩余的电荷，对曝光图形不影响，由此得到形貌规整的T形栅，可以更好的减小寄生电容从而提高饱和电流截止频率fT。
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公开(公告)号：CN110571144B
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN201910677866.9
申请日：2019-07-25
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L21/28 , H01L29/423 , G03F7/20
Abstract: 本发明公开了一种新型半导体栅极的制作方法，包括：在势垒层上形成第一光刻胶层；在第一光刻胶层上形成第二光刻胶层；在第二光刻胶层上沉积第一金属层；对第一金属层、第二光刻胶层和第一光刻胶层进行电子束光刻并显影，形成台阶状第一区域；进行干法刻蚀形成势垒凹槽，在第一光刻胶层上形成Y型斜边；在势垒凹槽内进行栅金属沉积形成第一结构，所述第一结构包括Y型栅；采用剥离工艺得到凹槽型浮空Y型栅。本发明通过较为简单的工艺方法能够制作出形状规整的凹槽型浮空Y型栅金属，能够更好的减小寄生电容从而提高饱和电流截止频率fT，同时减小了势垒层厚度，避免了短沟道效应对器件的影响。
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公开(公告)号：CN114121945A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111422104.8
申请日：2021-11-26
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L27/06 , H01L23/48 , H01L21/8252
Abstract: 本发明公开了一种复合调制功率开关器件及其制作方法，主要解决现有氮化镓基增强型功率开关器件的只能单向导通和单向阻断问题。其自下而上包括：衬底、过渡层、势垒层和钝化层，势垒层上部左、右侧分别设有左、右P‑GaN块，其上分别为左、右栅极，且两者之间的势垒层和过渡层中设有m个隔离槽，将该势垒层和过渡层分割成第1、2…m+1导电条，并在序号为奇数导电条内左侧和序号为偶数导电条内右侧分别设有左、右凹槽，该左、右凹槽中分别设有左、右调制电极；左P‑GaN块左侧和右P‑GaN块右侧分别设有左、右电极，其分别与左、右调制电极电气连接。本发明能提升器件集成度，实现双向导通和双向阻断特性，可作为功率开关器件。
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公开(公告)号：CN113933841A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202111415696.0
申请日：2021-11-25
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G01S13/90
Abstract: 本发明公开了一种二维波数均匀映射高分辨成像方法，主要解决现有成像技术在大斜视角下难以精确聚焦，成像困难的问题。其实现方案是：获得原始回波信号的泰勒展开式；对原始回波信号的泰勒展开式进行斜置误差补偿；构造多普勒二维压缩补偿因子，用其对去除斜置误差后的回波信号进行快时间时间误差项移位补偿；设计二维波数映射因子，并对移位补偿后的信号进行二维解耦；对解耦后的信号进行二维傅里叶变换，得到二维高分辨SAR成像图。本发明解决了快时间造成的方位散焦影响，有效提升了场景目标点的聚焦效果，突破了现有成像算法的限制，具有良好的场景适用能力，可用于调频连续波体制的高分辨SAR雷达系统。
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公开(公告)号：CN113871480A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202111152886.8
申请日：2021-09-29
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/417 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种常关型沟道调制器件及其制作方法，主要解决现有氮化镓基功率开关器件存在的电流崩塌问题，其自下而上包括：衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)，势垒层(3)上从左到右依次设有源极(6)、P‑GaN栅(4)、复合电极(5)、漏极(7)，P‑GaN栅(4)上部淀积有栅金属(8)；复合电极(5)由下部调制块(51)与上部调制金属(52)构成，该调制块(51)的厚度小于P‑GaN栅(4)的厚度，以保证在平衡状态时对其下部的势垒层与过渡层之间所形成沟道中的二维电子气几乎无耗尽；该调制金属(52)与漏极(7)电气连接。本发明能有效抑制常关型器件的电流崩塌，可用于电力电子系统基本器件。
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