公开(公告)号：CN204102902U

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201420611626.1

申请日：2014-10-22

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 李海鸥 ,  李琦 ,  翟江辉 ,  唐宁 ,  蒋行国 ,  李跃

IPC: H01L27/12

Abstract: 本实用新型公开一种线性间距分布固定电荷岛SOI耐压结构及功率器件，包括自下而上依次叠放的衬底层、介质埋层、有源层、以及多个浓度大于等于1×1013cm-2的高浓度固定电荷区；这些高浓度固定电荷区由介质材料形成，且电荷极性为正；这些高浓度固定电荷区均位于介质埋层上部，且相互之间呈间断设置；在横向耐压方向上，每2个高浓度固定电荷区之间的间距呈线性递减或递增。本实用新型不仅可以大大提高介质埋层电场，从而有效提高耐压；而且工艺实现简单，与常规CMOS工艺完全兼容。

公开(公告)号：CN204179089U

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：CN201420611907.7

申请日：2014-10-22

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 李琦 ,  李海鸥 ,  翟江辉 ,  唐宁 ,  蒋行国 ,  李跃

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 本实用新型公开一种等间距固定电荷区SOI耐压结构及功率器件，包括自下而上依次叠放的衬底层、介质埋层、有源层、以及多个浓度大于等于1×1013cm-2的高浓度固定电荷区；这些高浓度固定电荷区由介质材料形成，且电荷极性为正；这些高浓度固定电荷区均位于介质埋层上部，且相互之间呈间断设置，并呈等间距分布。本实用新型不仅可以大大提高介质埋层电场，从而有效提高耐压；而且工艺实现简单，与常规CMOS工艺完全兼容。