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公开(公告)号：CN114966959A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210681648.4
申请日：2022-06-15
Applicant: 烽火通信科技股份有限公司 , 烽火藤仓光纤科技有限公司
Abstract: 本申请涉及一种细径单模光纤，包括沿径向由内到外依次设置的掺锗芯层、第一过渡包层、第二过渡包层和外石英包层；所述第一过渡包层的折射率小于掺锗芯层的折射率，且大于第二过渡包层的折射率；沿径向由内到外，所述第一过渡包层的相对折射率差呈第一多项式线形下降，所述第二过渡包层的相对折射率差呈第二多项式线形下降。在掺锗芯层的周围设计了相对折射率差呈第一多项式线形下降的第一过渡包层和相对折射率差呈第二多项式线形下降的第二过渡包层，从而形成双平滑过渡包层的波导结构，加强细径光纤抵抗外界的干扰能力，并实现掺锗芯层与外石英包层之间的平滑过渡，减少芯包间应力，降低光纤内部因应力造成的微裂纹，从而提升其长期可靠性。
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公开(公告)号：CN111517634B
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN202010286507.3
申请日：2020-04-13
Applicant: 烽火通信科技股份有限公司 , 烽火藤仓光纤科技有限公司
IPC: C03B37/018
Abstract: 本发明公开了一种提高PCVD原料气体沉积均匀性的系统、方法和应用，涉及光纤预制棒生产技术领域。该系统包括衬管、微波发生器和内设测温探头的保温炉；其中，保温炉沿衬管的轴向方向依次设有气端、中间端和泵端区域；微波发生器在各区域的预设输出功率相同；该系统还包括PLC控制单元，其被配置为，根据测温探头反馈的实时位置的设定温度，确定气端区域终止位置或中间端区域起始位置、中间端区域终止位置或泵端区域起始位置，并在气端区域起始位置、泵端区域起始位置改变微波发生器的实际输出功率，且在气端区域和泵端区域维持改变的实际输出功率恒定。本发明操作简单，自动化作业程度高，实现了衬管沉积段整体沉积的均匀性，且有效降低了制棒成本。
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公开(公告)号：CN110109219B
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201910309493.X
申请日：2019-04-17
Applicant: 烽火通信科技股份有限公司 , 烽火藤仓光纤科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种低串扰弱耦合空分复用光纤，涉及通信光纤领域，其包括多芯光纤包层；其中，所述多芯光纤包层中包含多个按照六方排布或其它轴对称方式排布的少模纤芯，所述少模纤芯的数量不低于3个；所述少模纤芯自内而外依次包括少模芯区、内包层和下陷包层。该空分复用光纤采用弱耦合少模光纤芯区和低串扰多芯光纤结构，使得整个光纤内部芯区之间和芯区内模式之间的信道完全分离，在输入和输出端配合复用/解复用技术完成链路通信传输，由此有效增加了光纤整体的传输容量且传输品质高。
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公开(公告)号：CN112408775A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202011270499.X
申请日：2020-11-13
Applicant: 烽火通信科技股份有限公司 , 烽火藤仓光纤科技有限公司
IPC: C03B37/018
Abstract: 本发明涉及光纤预制棒生产技术领域，具体涉及一种光纤预制棒制造设备，该光纤预制棒制造设备，包括：密封机构，其包括间隔设置的进气端密封件和出气端密封件，用于密封反应管的两端；还包括微波谐振腔，其用于套设在所述反应管的外侧，并可沿所述反应管的轴向方向往复运动；还包括进气管，其包括用于伸入所述反应管的出气端，所述进气管穿过进气端密封件，且所述出气端被配置为在所述反应管内与所述谐振腔同步往复运动。本发明能够解决现有技术中反应管内的反应物在每个沉积点的反应浓度不一致，会导致光棒在轴向上不均匀的问题。
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公开(公告)号：CN108333671B
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201810103238.5
申请日：2018-02-01
Applicant: 烽火通信科技股份有限公司 , 烽火藤仓光纤科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种抗弯曲多模光纤，涉及光纤领域，包括：芯层，芯层折射率剖面呈抛物线形，且分布指数α为1.95～2.05，芯层的半径R1为8～12μm，芯层的最大相对折射率差Δ1％max为0.8％～1.2％。内包层，其紧密围绕芯层，内包层的半径R2为8～17μm，内包层的相对折射率差Δ2％为‑0.1％～0.05％。以及下陷包层，其紧密围绕内包层，下陷包层的半径R3为9～22μm，下陷包层的相对折射率差Δ3％为‑0.8％～‑0.3％。本发明中的抗弯曲多模光纤抗弯曲性能良好，在受到偶然弯曲后，能够限制信号衰减和信噪比劣化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106772786B
公开(公告)日：2019-11-26
申请号：CN201710031428.6
申请日：2017-01-17
Applicant: 烽火通信科技股份有限公司 , 烽火藤仓光纤科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种支持多个线偏振模式与轨道角动量模式的少模光纤，自内而外依次包括第一芯层、第二芯层、第一包层、第二包层、第三包层和有机材料涂覆层；所述第一芯层与所述第一包层的相对折射率差最大值为0.2％～1.2％，所述第一芯层与所述第一包层的相对折射率差最小值为0.05％～0.6％；所述第二芯层与所述第三包层的相对折射率差为0.2％～1.2％；所述第一包层与所述第二包层的相对折射率差为0％～1.1％。本发明通过在掺氟石英内包层处增加第二芯区的设计有效增加了光纤不支持模式的损耗，有利于光纤模式传输的稳定性，同时支持线偏振模式和轨道角动量模式(OAM模式)，通过调整光纤芯区的折射率分布以及第二芯层的设计能够调整该光纤中差分群时延。
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公开(公告)号：CN106772781A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710021921.X
申请日：2017-01-12
Applicant: 烽火通信科技股份有限公司
CPC classification number: G02B6/02395 , G02B6/03638
Abstract: 本发明公开了一种适用于光纤连接器制作的抗弯光纤，涉及光通信技术领域，包括芯层、内包层、凹陷包层、外包层、增强聚合物涂层以及涂覆层，其中：芯层具有半径r1并且与外包层之间具有正折射率差△n1；内包层具有半径r2并且与外包层之间具有负折射率差△n2；凹陷包层具有半径r3并且与外包层之间具有负折射率差△n3；外包层具有直径115μm±0.5μm；增强聚合物涂层厚度为5±0.5μm；调整r1、r2、r3和△n1、△n2、△n3使该抗弯光纤在1310纳米波长具有8.6±0.4μm的模场直径，同时，所述抗弯光纤的5mm曲率半径下1圈的宏弯损耗≤0.10dB。
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公开(公告)号：CN118426098A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410701215.X
申请日：2024-05-31
Applicant: 烽火藤仓光纤科技有限公司 , 烽火海洋网络设备有限公司 , 烽火通信科技股份有限公司
Abstract: 本申请涉及一种耐氢侵蚀的光纤，涉及光信息技术领域。所述耐氢侵蚀的光纤，包括：芯层；以及包层，所述包层围绕在所述芯层的外侧；其中，所述芯层的材料包括掺氟二氧化硅，所述芯层的折射率在径向上，自芯层中心向远离芯层中心的方向呈递减设置，所述芯层的轴心与二氧化硅的相对折射率差为Δ1，其中，‑0.15％≤Δ1≤‑0.05％。通过将芯层的材料设置为掺氟二氧化硅，一方面，氟可以愈合二氧化硅中的缺陷，减少缺陷与氢的结合，减少杂质吸收峰的出现，提高光纤的耐氢损能力，提高了光纤对氢气和辐照环境的抵抗能力，提高信号传输的准确性。另一方面，通过在二氧化硅中掺氟，还可以进一步降低芯层的折射率，提高光纤的空间分辨率。
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公开(公告)号：CN113740958B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202110996123.5
申请日：2021-08-27
Applicant: 烽火通信科技股份有限公司 , 烽火藤仓光纤科技有限公司
Abstract: 本申请涉及一种高模式数量且弱耦合的少模光纤，其包括由内到外依次设置的椭圆芯层、椭圆环形芯层、椭圆环形下陷包层和外包层；在所述椭圆环形下陷包层上设有两个空气孔，两个所述空气孔关于所述椭圆环形芯层的短轴轴对称；在所述椭圆芯层、椭圆环形芯层和椭圆环形下陷包层中，三者的中心大致重合，三者的长轴位于同一直线上，三者的短轴位于同一直线上；所述椭圆芯层与所述椭圆环形芯层的折射率剖面的形状均为水平直线形；所述椭圆芯层的折射率小于所述椭圆环形芯层的折射率。本申请能够解决相关技术中光纤可用的模式数量较少，远不能满足长距离大容量扩容的需求的问题。
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