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公开(公告)号:CN209676204U
公开(公告)日:2019-11-22
申请号:CN201920690703.X
申请日:2019-05-14
Applicant: 湖南大学
IPC: H03K17/081 , H03K17/687 , H02M3/335
Abstract: 本实用新型公开了一种基于SiC JFET的串联型直流保护开关,属于直流保护开关技术领域。包括主开关模块、采样模块、单片机控制模块、光耦隔离模块和驱动模块。通过在接入直流电路的主开关模块中串联若干宽禁带半导体器件SiC JFET,并将采样模块并联在主开关模块的两端进行信号采样,同时与光耦隔离模块、单片机控制模块配合连接;单片机控制模块的输出端连接驱动模块,在驱动模块中仅设置一个驱动电路,且与主开关模块链接,驱动整个串联的SiC JFET的通断并实现静态或动态均压。本实用新型解决现有技术中驱动电路复杂的问题,实现系统正常运行时的静态均压、投切负载与切除故障过程中的动态均压以及能够快速可控可靠的故障隔离。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号:CN214154009U
公开(公告)日:2021-09-07
申请号:CN202023334600.1
申请日:2020-12-30
Applicant: 湖南大学
IPC: H02H7/26 , H02H3/087 , H02J1/00 , H03K17/082
Abstract: 本实用新型公开一种基于模块化SiC JFET主动钳位控制串联技术的直流固态开关,直流固态开关包括检测模块、控制模块、固态开关模块;检测模块与固态开关模块串联在直流母线上,控制模块并联在检测模块和固态开关模块两端。本实用新型通过单驱动串联加有源钳位的串联方法,有效抑制模块内的功率半导体承受的电压;能轻松实现10个SiCJFET串联使用,可靠性高,成本低,控制简单。
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公开(公告)号:CN203039562U
公开(公告)日:2013-07-03
申请号:CN201320016684.5
申请日:2013-01-14
Applicant: 湖南大学
IPC: H02M1/08
Abstract: 本实用新型公开了一种基于栅极控制的串联IGBT均压电路,将静态均压电阻同时作为采样电阻,将电压互感器与辅助IGBT的栅极、发射极相连,当出现过电压时,通过导通辅助IGBT,使辅助电容并联在IGBT的集电极和栅极之间,从而实现较好的均压效果。相较于现有技术,本实用新型将静态均压电阻作为采样电阻,通过辅助IGBT的导通与否来确定辅助电容是否参与电压的调节,只需要极少的元器件即可实现串联IGBT理想均压。
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公开(公告)号:CN203039657U
公开(公告)日:2013-07-03
申请号:CN201320017006.0
申请日:2013-01-14
Applicant: 湖南大学
IPC: H03K17/567
Abstract: 本实用新型公开了一种IGBT缓冲电路,包括两个RCD缓冲单元,还包括分压单元,第一RCD缓冲单元并联接入主IGBT的集电极和发射极之间,第二RCD缓冲单元的电容与辅助IGBT的集电极或MOS管的漏极连接,所述分压单元并联接入所述第一RCD缓冲单元和第二RCD缓冲单元之间,所述分压单元通过一个运算放大器与所述辅助IGBT的栅极或MOS管的栅极连接。本实用新型有效地克服了缓冲电容和关断时间及关断损耗的矛盾。
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公开(公告)号:CN203039559U
公开(公告)日:2013-07-03
申请号:CN201320016705.3
申请日:2013-01-14
Applicant: 湖南大学
IPC: H02M1/06
Abstract: 本实用新型公开了一种栅极嵌位的串联IGBT均压电路,将静态均压电阻同时作为采样电阻,将电压互感器与辅助IGBT的栅极、发射极相连,当出现过电压时,通过导通辅助IGBT,使辅助电容并联在IGBT的集电极和栅极之间,从而实现较好的均压效果。相较于现有技术,本实用新型将静态均压电阻作为采样电阻,通过辅助IGBT的导通与否来确定辅助电容是否参与电压的调节,只需要极少的元器件即可实现串联IGBT理想均压。
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