公开(公告)号：CN115377012A

公开(公告)日：2022-11-22

申请号：CN202110556071.X

申请日：2021-05-21

Applicant: 北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司

Inventor： 武咏琴 ,  卜伟海 ,  任烨

IPC: H01L21/8249 ,  H01L27/06

Abstract: 一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，包括第一器件区，基底上形成有栅极结构，栅极结构侧壁形成有侧墙，第一器件区的栅极结构一侧基底内形成有源区，另一侧基底内形成有漏区，漏区与源区掺杂类型不同；去除第一器件区靠近源区一侧的侧墙，露出源区与栅极结构之间的基底；去除第一器件区靠近源区一侧的侧墙后，形成保形覆盖基底、栅极结构以及侧墙的硅化物阻挡层；去除第一器件区的硅化物阻挡层；去除第一器件区的硅化物阻挡层后，对靠近源区一侧的栅极结构侧壁和基底的拐角处进行清除处理；进行清除处理后，在源区和漏区的顶面形成金属硅化物层。本发明减少第一器件区靠近源区一侧的基底上的硅化物阻挡层的残留，优化了半导体器件的性能。

公开(公告)号：CN115274445A

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN202110483658.2

申请日：2021-04-30

Applicant: 北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司

Inventor： 任烨 ,  卜伟海 ,  武咏琴

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

Abstract: 一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底；在基底上形成沟道结构，沟道结构包括一个或多个堆叠的沟道叠层，沟道叠层包括牺牲层和位于牺牲层上的沟道层，牺牲层包括两层第一牺牲层和夹于两层第一牺牲层之间的第二牺牲层，沿沟道结构的延伸方向上，沟道结构包括沟道区，其中，第二牺牲层的耐刻蚀度小于第一牺牲层的耐刻蚀度；刻蚀去除沟道区的牺牲层；刻蚀去除沟道区的牺牲层后，在沟道区中，形成栅极结构，包括环绕覆盖沟道层的栅介质层，以及位于栅介质层上的栅电极层。刻蚀去除牺牲层的过程中，第二牺牲层易于被先去除，露出第一牺牲层在水平方向的表面，增大第一牺牲层与刻蚀介质的接触面积，有利于加快第一牺牲层的被刻蚀速率。