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公开(公告)号：CN115295407B
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202211196346.4
申请日：2022-09-29
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心 , 浙江大学 , 嘉兴斯达半导体股份有限公司
IPC: H01L21/28 , H01L21/02 , H01L21/04 , H01L29/423
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域中的一种SiC功率器件的栅氧结构制备方法和栅氧结构，包括以下步骤：在含氮氧化气体环境下，高温氧化SiC衬底层，并制备出钝化SiO2薄膜层；在无氮氧化气体环境下，退火处理钝化SiO2薄膜层，部分钝化SiO2薄膜层生成致密化SiO2薄膜层；在致密化SiO2薄膜层沉积第一电极层，在SiC衬底层上沉积第二电极层，具有沟道迁移率高和长期栅压作用可靠性高的优点，突破了因氮原子钝化Si、C原子容易引起可靠性下降的瓶颈。
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公开(公告)号：CN116288254A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310278101.4
申请日：2023-03-15
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明涉及半导体领域，特别涉及一种晶片的CVD加工方法及加工系统。根据不同的待加工目标晶片的数量和CVD机台的薄膜沉积速率的数据模型，确定适合的CVD机台的装载量和相应的CVD机台的薄膜沉积速率，不同的装载量N下，CVD机台的薄膜沉积速率D＝薄膜厚度H0/沉积时间t0，将待加工目标晶片和对应数量的假片一起装入CVD机台的石英舟进行薄膜沉积，薄膜厚度均匀稳定的目标晶片。通过调整装载量N，使得待加工目标晶片的数量灵活，待加工目标晶片的数量根据实际加工需要进行选择，增加了对待加工目标晶片数量的灵活调控能力，不需要假片补足到机台最大加工通量，将减少假片的使用数量，降低生产成本，提高生产效率。
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公开(公告)号：CN116110791A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202211626681.3
申请日：2022-12-17
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/423
Abstract: 本公开涉及一种沟槽型绝缘栅场效应管及其制造方法、电子器件。该方法包括：形成沟槽，其中，沟槽贯穿第一预制半导体层和第二预制半导体层，并延伸入预制复合衬底，第一预制半导体层和预制复合衬底具有第一掺杂类型，第二预制半导体层具有第二掺杂类型；形成本征区，本征区位于沟槽的底侧并延伸入预制复合衬底；以及形成绝缘栅结构，绝缘栅结构填充于沟槽。该方法可以实现在沟槽底侧形成本征区，继而制得综合性能较好的器件。
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公开(公告)号：CN115493870A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202211091066.7
申请日：2022-09-07
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 用于碳化硅截面形貌观察的切片方法，属于半导体技术领域，用于碳化硅截面形貌观察的切片方法，包括以下步骤：步骤S1：选择碳化硅基底，在所述碳化硅基底上进行图形转移；步骤S2：使用划片机对碳化硅基底进行划片；步骤S3：使用金刚笔对碳化硅基底进行裂片；步骤S4：判断裂片形貌。本发明可以降低碳化硅截面形貌观察的科研成本，简化操作过程，减少碳化硅截面形貌待观察处的损伤。
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公开(公告)号：CN115274488A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202211180073.4
申请日：2022-09-27
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心 , 浙江大学 , 中国电子科技集团公司第五十五研究所
IPC: H01L21/66 , H01L21/3065
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域中的碳化硅裸片与碳化硅掩膜层刻蚀深度选择比预测方法，包括以下步骤：获取在第一刻蚀温度下，碳化硅裸片的第一刻蚀深度变化数据一和碳化硅掩膜层的第二刻蚀深度变化数据一，以及获取在第二刻蚀温度下，碳化硅裸片的第一刻蚀深度变化数据二和碳化硅掩膜层的第二刻蚀深度变化数据二；拟合碳化硅裸片刻蚀深度与刻蚀温度关系，以及拟合碳化硅掩膜层刻蚀深度与刻蚀温度关系；基于碳化硅裸片刻蚀深度与刻蚀温度关系，以及碳化硅掩膜层刻蚀深度与刻蚀温度关系，预测在不同刻蚀温度下，碳化硅裸片与碳化硅掩膜层的刻蚀深度，并计算预测选择比，突破了工作人员在等离子刻蚀工艺调试过程中负荷较高的瓶颈。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115181330A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202210922854.X
申请日：2022-08-02
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: C08K7/08 , C08K9/06 , C08K5/5415 , C08L83/07
Abstract: 本发明属于高电压与绝缘材料领域，本发明提供了一种适用于有机硅弹体复合材料制备的氧化锌材料、其改性方法和应用，该改性方法包括：将四针状氧化锌晶须与硅烷偶联剂KH570酸性水解液进行反应，使KH570分子结构键合于四针状氧化锌晶须表面，得到改性氧化锌材料。本发明将改性四针状氧化锌晶须材料加入有机硅弹体中，既可以实现较强的非线性电导特性，又可以实现较强的非线性介电特性。本发明实施例的更低掺杂浓度的有机硅弹体/四针状氧化锌晶须复合材料，已具有较强的非线性介电和电导特性，并且其同时保持较高的直流击穿场强。本发明操作流程简单、成本低廉、易于工业化生产；本发明材料主要用于高频交流电力电子设备绝缘。
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公开(公告)号：CN114280443A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111296112.2
申请日：2021-11-03
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: G01R31/26 , H01L23/473
Abstract: 本发明公开了一种功率芯片歧管式微通道换热器测试装置，包括：测试段、石英支承板、盖板、底座。底座前面开有两个压力测量接口，用于测量冷却液进出测试段前后的压力大小。底座背面开有两个温度测量接口，用于测量冷却液进出测试段前后的温度大。底座左侧表面开有冷却液进口，底座右侧表面开有冷却液出口。测试时，冷却液从底座左侧表面的冷却液进口流入，经过测试装置内部的流路分流后从测试段的两侧流入测试段，在吸收测试段的加热量后，再经测试装置内部的流路从底座右侧表面的冷却液出口流出。本发明的测试装置可用于对不同类型的歧管式微通道换热器进行性能测试，以方便科学研究工作的开展。
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公开(公告)号：CN114242691A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111534725.5
申请日：2021-12-15
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L23/544 , H01L29/06
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域中的一种基于外延回填工艺的超级结器件对准标记保护方法，包括在对准标记区域形成一定厚度的对准标记缺陷层、在外延回填及抛光工艺后通过化学腐蚀去除对准标记缺陷层形成对准标记，避免了外延回填及抛光工艺对对准标记造成的损伤，解决了基于外延回填工艺的超级结器件多层套刻的对准问题。相较于引入保护物质的对准标记保护方式，该方法有着不污染外延生长腔室，外延回填后表面平坦度不受影响的优势。
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公开(公告)号：CN114228435A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111295811.5
申请日：2021-11-03
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: B60H1/00
Abstract: 本发明公开了一种基于液氢冷能回收技术与热泵技术相耦合的氢能汽车空调系统，属于氢能汽车系统。本发明通过在车载液氢储罐与汽化器之间布置一换热器，使得液氢在进入汽化器之前，在该布置的换热器中将冷能用于冷却系统循环水，经该换热器冷却后的循环水可用于冷却乘座舱内空气，进而调节车内空气温度，降低车载冷却系统的压缩机功率。因此，上述系统可有效回收液氢的冷能，降低氢能汽车的能耗，提高行驶里程。
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公开(公告)号：CN113690321B
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202111239940.2
申请日：2021-10-25
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明提供了一种碳化硅沟槽栅MOSFET及其制造方法，包括具有第一掺杂类型的衬底，形成在衬底上具有第一掺杂类型的外延层，形成在外延层上方具有第二掺杂类型的外延阱区，形成在外延阱区内具有第一掺杂类型的第一源接触区和具有第二掺杂类型的第二源接触区，沟槽栅，源电极和楼电极，所述沟槽栅包括栅介质和栅电极，其特征在于，所述碳化硅沟槽栅MOSFET包括：包裹在沟槽栅底部的呈凹型的具有第一掺杂类型的注入型电流扩散区，其中所述注入型电流扩散区的底部不高于外延阱区的底部。合理设置注入型电流扩散区，能够限制器件的饱和电流，同时能分离电场峰值和电流位置的位置，降低发热功率，增大器件的短路能力。
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