-
公开(公告)号：CN106971922B
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201710272873.1
申请日：2017-04-24
Applicant: 浙江大学
IPC: H01H71/10 , H02J13/00 , G05B19/042
Abstract: 本发明公开了一种低成本低待机功耗的费控断路器控制系统及控制方法。控制系统包括电路部分和非电路部分，电路部分包括功率供电模块、线性供电模块、电机驱动模块、控制器模块和费控信号接收模块，非电路部分包括限位开关/模式选择开关、动作电机以及外壳传动结构。本发明在成本和体积上有相当的优势，同时具有很强的EMC耐受能力，能在浪涌、快变脉冲和静电放电干扰下保证正常的控制逻辑，可以仅使用一个8引脚的51内核单片机作为控制器，配合少量电阻电容等无源器件，实现所有的费控功能。
-
公开(公告)号：CN105162463B
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201510620220.9
申请日：2015-09-26
Applicant: 浙江大学
IPC: H03L7/099
Abstract: 本发明公开了一种60 GHz锁相环低相噪自注入型电压控制振荡器及无线收发机。该电压控制振荡器包括：多个相同的LC振荡器，其中由NMOS器件组成负阻对；由累积型变容管和电感组成的谐振腔；由NMOS器件、电感和电容组成的输出缓冲电路；由电容组成的自注入电路；由NMOS器件使LC振荡器寄生电容相同。通过采用相同的振荡器核心，并使其振荡信号相互注入到相应的谐振腔中。通过注入锁定原理，谐振腔电路会锁定在同一工作频率点，输出波形相位也会同步。此时通过波形叠加，输出波形中本振频率功率加强，而噪声通过LC谐振腔的滤波作用并未明显增加，所以电压控制CMOS振荡器输出的相位噪声能得到显著减小，同时降低了电压控制振荡器的FOM值。
-
公开(公告)号：CN106788444A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611136237.8
申请日：2016-12-12
Applicant: 浙江大学
IPC: H03M3/00
CPC classification number: H03M3/332
Abstract: 本发明公开了一种同时实现无杂散、高信噪失真比的低通ΣΔ调制器。该ΣΔ调制器包括：由环路滤波器和量化器组成的普通ΣΔ调制器；由dither模块和延时单元Z‑1以及加法器组成的高通滤波dither模块；高通滤波dither模块的输出和环路滤波器的输出之和作为量化器的输入。普通ΣΔ调制器由于输入序列的周期长度有限导致的杂散会从调制器的输入传递到输出，导致输出信号的信噪失真比急剧下降。提出的高通滤波dither模块通过在量化器之前引入白噪声，增加了有效周期长度，消除了杂散，同时该dither经过高通滤波，把dither引入的白噪声整形到高频，减小了低频带内噪声，增加了信噪失真比。
-
公开(公告)号：CN105281762A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201510748547.4
申请日：2015-11-07
Applicant: 浙江大学
IPC: H03L7/099
Abstract: 本发明公开了一种60GHz锁相环低电压下抗工艺涨落的电压控制CMOS LC振荡器。该振荡器包括：由NMOS器件N2、N3组成的负阻对电路，累积型变容管C2、C3和电感L2组成的谐振腔，负阻对电路和谐振腔组成LC振荡器；由NMOS器件N1、N5电感L1和电容C1组成的合成和输出缓冲电路；由NMOS器件N4、多晶硅电阻R1组成的体电压调制电路。通过适当增加N1、N5、N2、N3管的体电压，可以降低N管阈值，使电路能在低压下工作。引入体电压调制电路，降低了工艺波动对LC振荡器和合成和输出缓冲电路性能的影响。
-
公开(公告)号：CN102306659B
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201110265578.6
申请日：2011-09-08
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种基于体电场调制的LDMOS器件，包括第一导电类型衬底层和设于第一导电类型衬底上的第二导电类型漂移层；第一导电类型衬底层内设有浮空区，浮空区由若干第一导电类型浮空层和若干第二导电类型浮空层在水平方向上交替叠加而成。本发明通过在衬底层中添加交替排列的P/N浮空区，利用电荷补偿的方法，优化了LDMOS器件的纵向电场，得到均匀的纵向电场分布，提高了整体器件的击穿电压，进一步优化了器件的性能。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102169890A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201110112647.X
申请日：2011-05-03
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L29/06 , H01L27/092
Abstract: 本发明公开了一种高压功率集成电路隔离结构，包括P型衬底，所述P型衬底上方设有埋氧层，埋氧层上方设有由2m+1个P型硅岛和2m个N型硅岛相互间隔排列构成的顶层硅膜，位于最中心的P型硅岛顶部设有重掺杂P+区，重掺杂P+区两侧的顶层硅膜表面覆有场氧层，其中m为整数。本发明隔离结构易于工艺实现，制造成本低，且消除了衬底对器件的影响，有效地提高了电路发生闩锁效应的难度，大大提高了电路的可靠性。
-
公开(公告)号：CN111708904A
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN202010857191.9
申请日：2020-08-24
Applicant: 浙江大学
IPC: G06F16/535 , G06F16/583 , G06N3/04 , G06N3/08
Abstract: 本发明公开了一种基于主题适应与原型编码的少样本视觉故事叙述方法。该方法首先将据集按主题划分，每一轮训练采样一批主题并将每个主题划分为支持集与查询集；对查询集中的样本提取时序视觉语义特征和图像序列特征，结合在支持集中预先提取好的的故事特征和图像序列特征计算原型向量；再将原型向量与图像序列特征结合，进一步解码获得故事性描述文本。整体视觉故事模型进一步通过元学习方法，根据在查询集上计算得到的综合损失来优化模型的初始参数。在推测阶段，模型通过少数样本调整参数，根据新图像序列生成故事文本。本发明结合原型编码及元学习方法，所构建的模型具有快速适应主题的能力，能更好地生成符合图像序列主题的故事性文本描述。
-
公开(公告)号：CN106682732B
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201611149241.8
申请日：2016-12-14
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种应用于神经网络的高斯误差函数电路，包含3个平方器、2个乘法器、2个乘加器、2个点积数字信号处理器、1个加法器、1个求倒DSP和1个指数DSP。所有这些DSP均为Synopsys公司的Design Ware浮点DSP。本发明结构简单，采用的DSP比较容易获得，容易实现；本发明与传统的泰勒展开法实现方案相比，无论是在精度、面积还是速度方面都有非常明显的优势，尤其是在精度方面至少高出两个数量级。同时，由于本发明可以用Verilog代码实现，与具体工艺无关，因此非常容易应用到不同的工艺上，可移植性非常强。本发明可以作为一个软核IP，应用到神经网络相关的各种硬件电路设计中。
-
公开(公告)号：CN105281762B
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201510748547.4
申请日：2015-11-07
Applicant: 浙江大学
IPC: H03L7/099
Abstract: 本发明公开了一种60GHz锁相环低电压下抗工艺涨落的电压控制CMOS LC振荡器。该振荡器包括：由NMOS器件N2、N3组成的负阻对电路，累积型变容管C2、C3和电感L2组成的谐振腔，负阻对电路和谐振腔组成LC振荡器；由NMOS器件N1、N5电感L1和电容C1组成的合成和输出缓冲电路；由NMOS器件N4、多晶硅电阻R1组成的体电压调制电路。通过适当增加N1、N5、N2、N3管的体电压，可以降低N管阈值，使电路能在低压下工作。引入体电压调制电路，降低了工艺波动对LC振荡器和合成和输出缓冲电路性能的影响。
-
公开(公告)号：CN104037231B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201410271875.5
申请日：2014-06-18
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种高边横向双扩散场效应晶体管，包括：P型衬底，N?外延层，P+埋层，P+对通隔离，场氧，P?top层，P?体区，P?体区接触P+，N+源电极，栅氧层，多晶硅栅电极，N+漏电极。所述P型衬底的上面是N?外延层。所述N?外延层的一侧设有P+埋层和P+对通隔离，用以隔离不同类型的器件。进一步，P?体区和P+对通隔离之间设有另一个P?体区，P?体区内设有体区接触P+。P?体区和P?体区之间设有P?top层。本发明源电极和衬底之间的雪崩击穿电压大大提高，即隔离性能有了很大的改进，满足了较高工作电压领域的应用。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
67
records
(took 0.051 seconds)
