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公开(公告)号:CN111366145A
公开(公告)日:2020-07-03
申请号:CN202010201628.3
申请日:2020-03-20
Applicant: 浙江大学
IPC: G01C19/72
Abstract: 本发明公开了一种光纤陀螺保偏光纤敏感线圈的光学倍增装置及方法,在传统光纤陀螺中添加两个1×2偏振分束/合束器,其分别位于光纤保偏光纤敏感线圈两端的正、反向光路中。该1×2偏振分束/合束器用于将两束正交偏振光耦合到一根光纤中,或将一束输入光分离成两束正交线偏光输出。通过两个1×2偏振分束/合束器的特定放置与耦合,入射光信号可以沿光纤陀螺保偏光纤敏感线圈传输两圈,从而达到光学倍增的效果,该方案不引入其他误差、不降低信噪比,且结构简单、成本低廉,在不增加光纤长度的前提下可有效提高光纤陀螺的测量精度。
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公开(公告)号:CN212514974U
公开(公告)日:2021-02-09
申请号:CN202020651206.1
申请日:2020-04-26
Applicant: 浙江大学
IPC: G01R33/032 , G01D5/353 , G01R33/00 , B29C64/135 , B33Y10/00 , B33Y80/00
Abstract: 本实用新型公开了一种利用双光子飞秒激光直写技术3D打印的高灵敏度磁场传感器,包含入射单模光纤、双Y分支微结构和出射单模光纤;双Y分支微结构直接打印在入射单模光纤一端面和出射单模光纤一端面上,双Y分支微结构包括参考臂和测量臂,测量臂内包含有一段空心微腔体和微流通道用于填充磁流体材料。测量臂中导模的有效折射率与磁流体折射率密切相关,导致通过参考臂和测量臂上的传播光在公共端干涉后产生较大的相位差,干涉后的光谱由于参考臂和测量臂有效折射率不同而产生周期性的变化,当外界磁场变化时,干涉后光谱的谷产生漂移,通过测量该漂移可以实现对磁场的测量。该传感器具有体积小、灵敏度高、耐腐蚀等明显优势。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号:CN212514973U
公开(公告)日:2021-02-09
申请号:CN202020651005.1
申请日:2020-04-26
IPC: G01R33/032 , G01D5/353 , G01R33/00 , B29C64/135 , B33Y10/00 , B33Y80/00
Abstract: 本实用新型公开了一种利用双光子飞秒激光直写技术3D打印的F‑P磁场传感器,其特征在于包含单模光纤、毛细管和F‑P腔微结构;所述F‑P腔微结构与所述单模光纤的一端由3D打印直接打印连接,F‑P腔微结构的外围套设有毛细管,毛细管的两端密封形成密封腔体,密封腔体内充满磁流体;所述单模光纤的另一端通过光纤耦合器分别连接宽谱光源和光谱分析仪;其原理与传统的内部填充磁流体的光纤磁场传感器不同,通过在波导周围填充磁流体所产生的倏逝耦合效应,突破了磁流体高吸收性对传感器磁场灵敏度的限制,具有较高的磁场灵敏度;打印制备的F‑P磁场传感器仅为微米尺寸,封装后的传感头在毫米量级,具有小型化的优点。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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