-
公开(公告)号：CN119432363A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202310941065.5
申请日：2023-07-28
Applicant: 浙江大学 , 纳晶科技股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种量子点及其制备方法及组合物、光电器件。所述量子点包括内核以及位于所述内核表面的ZnSe壳层；所述ZnSe壳层包括至少4个ZnSe单层结构，其表面可以进一步可控生长ZnS外壳层，所述量子点的表面配体包括长直链羧酸锌配体、含有支链的羧酸锌配体和短直链羧酸锌配体，所述量子点为球形量子点。本发明提供的量子点结构，形状和尺寸可控，且形貌均一，ZnSe壳层的晶面‑配体的应力被充分释放，量子点核壳晶格不匹配而产生的拉伸应力被明显缓解、内核产生较弱的压缩应力，在量子点表面配体的协同作用下，使得量子点具有接近100％的荧光(PL)量子产率，并提高了光物理稳定性和光化学稳定性。
-
公开(公告)号：CN115893474B
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202211363622.1
申请日：2022-11-02
Applicant: 浙江大学 , 纳晶科技股份有限公司
IPC: C01G11/02 , C01B19/04 , B82Y40/00 , B82Y30/00 , B82Y20/00 , H01L31/00 , H01L33/00 , H01S5/00 , C09K11/67 , C09K11/88
Abstract: 本发明公开了一种弱限域半导体纳米晶、其制备方法以及应用，该纳米晶的尺寸大于其激子直径，该纳米晶的激子为动态激子，动态激子的电子‑空穴库伦相互作用在工作温度下不足以束缚彼此成为稳定的结合激子，动态激子的电子和空穴被所述纳米晶的边界约束。由于本申请的弱限域纳米晶的激子具有动态激子的特征，这使得本申请的纳米晶具有不同于常规半导体纳米材料的独特的光学和光电性质。例如，动态激子的电子(或空穴)的带边能级密度高、带内能隙小，这导致了罕见的室温双峰稳态发光，对于需要宽谱带发光的应用(如照明)具有独特的价值。又如，动态激子的电子(或空穴)波函数彼此约束不强、且随温度升高而快速减弱，利于电子‑空穴转移，这对于光伏太阳能器件、光电探测器、光催化都具有重要意义。
-
公开(公告)号：CN114958377B
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202110271176.0
申请日：2021-03-12
Applicant: 浙江大学 , 纳晶科技股份有限公司
Abstract: 本公开提供了一种合金纳米晶群，核壳纳米晶群及其合成方法、含其的组合物、电子器件。该合金纳米晶群包括多个合金纳米晶，各合金纳米晶包括第一II族元素，第二II族元素及第一VI族元素，合金纳米晶群的拉曼峰的半峰宽小于等于15cm‑1，合金纳米晶的平均尺寸大于对应的体相的合金化合物的激子直径。该合金纳米晶群具有优异的窄半峰宽。
-
公开(公告)号：CN115623806A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202110802082.1
申请日：2021-07-15
Applicant: 浙江大学 , 纳晶科技股份有限公司
IPC: H10K50/115
Abstract: 本申请提供了一种发光装置和量子点LED的使用方法。在该发光装置中，发光装置包括至少一个量子点LED，量子点LED包括依次叠置的第一电极、电子传输层、量子点层、空穴传输层和第二电极，量子点层的量子点的荧光量子产率大于等于50％，量子点LED的平均光子电压与工作电压的比值大于等于1，量子点LED电致发光包括热电辅助的上转换发光。在上述发光装置中，量子点LED可实现高的外部能量转换效率。
-
公开(公告)号：CN114250074A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202011019952.X
申请日：2020-09-24
Applicant: 浙江大学 , 纳晶科技股份有限公司
Abstract: 本申请提供了一种量子点的制备方法、量子点的形状转换方法、量子点及其组合物。该制备方法包括：步骤S1，提供含量子点晶种的溶液，量子点晶种表面具有数量低的羧酸金属盐配体，使得量子点晶种至少一个晶面不稳定；步骤S2，将含第二阳离子前体、第二溶剂、氯化物、含量子点晶种的溶液、第二阴离子前体的混合液进行反应，反应结束后得到包含立方体量子点的产物体系；其中，第二阳离子前体为羧酸金属盐。该方法得到的立方体量子点具有更窄半峰宽。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110408382B
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN201910704614.0
申请日：2019-07-31
Applicant: 浙江大学 , 纳晶科技股份有限公司
IPC: C09K11/02 , C09K11/88 , C09K11/56 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L51/50 , H01L51/54 , H01L51/42
Abstract: 本发明提供了一种核壳半导体纳米片、其制备方法及其应用。该核壳半导体纳米片的制备方法，包括：S1，制备含纤锌矿纳米晶的溶液；S2，将第一阳离子前体、第一阴离子前体、第一配体、第一溶剂和含纤锌矿纳米晶的溶液混合，纤锌矿纳米晶作为核，加热反应使得在核的表面进行外延生长，得到含核壳半导体纳米片的第一产物体系。上述制备方法中，通过选取纤锌矿纳米晶为核，同时第一配体对生长过程中的纳米粒子的表面晶面进行选择性钝化，从而控制不同晶面具有不同的生长位置，可以控制半导体纳米片各个维度的尺寸，即可以外延生长成各向异性的结构。
-
公开(公告)号：CN112111277A
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN202010983758.7
申请日：2018-10-18
Applicant: 浙江大学 , 纳晶科技股份有限公司
Abstract: 本申请提供了一种单光子源和QLED。该单光子源和QLED均包括量子点，量子点包括量子点本体和设置在量子点本体外表面的配体，配体包括电化学惰性配体，电化学惰性配体的还原电位大于量子点本体的导带底对应的电位，电化学惰性配体的氧化电位小于量子点本体的价带底对应的电位，电化学惰性配体占量子点本体外表面的所有配体的80％以上。该量子点由于包括电化学惰性配体，使得其发光效率较高，器件较稳定，可靠性较高。
-
公开(公告)号：CN109439327B
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN201811189961.6
申请日：2018-10-12
Applicant: 浙江大学 , 纳晶科技股份有限公司
Abstract: 本发明提供了III‑V族量子点的制备方法、量子点含其的发光器件。该方法包括：S1，将包括III族元素前体、脂肪酸配体、V族元素前体和第一溶剂的混合液加热反应，并去除具有活化量子点核表面的脂肪酸，形成包括III‑V族量子点核的第一溶液；S2，加入第一II族元素前体和第一VI族元素前体至第一溶液中反应，形成第二溶液；S3，从第二溶液中纯化第一III‑V/II‑VI族核壳量子点；S4，将包括第一III‑V/II‑VI族核壳量子点、第二II族元素前体、第一VI族元素前体、熵配体的第二组分和第二溶剂的混合液加热反应，形成第三溶液。该制备方法得到的量子点内部无缺陷，提高量子点的单分散性、稳定性和荧光效率。
-
公开(公告)号：CN107629783B
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN201710675956.5
申请日：2017-08-09
Applicant: 浙江大学 , 纳晶科技股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种核壳量子点、其制备方法及其应用。该制备方法包括：步骤S1，将量子点核溶液和第二阳离子前体溶液混合形成第二体系；步骤S2，当量子点核溶液中的量子点核的平均直径大于等于2倍的量子点核组成材料的空穴或电子的最小波尔直径时，在210～280℃下向第二体系中加入第二阴离子前体溶液和第二脂肪酸以进行外延生长得到核壳量子点，且第二阴离子前体溶液和第二脂肪酸均为分批加入；或者当量子点核溶液中的量子点核的平均直径小于2倍的最小波尔直径时，在210～280℃下向第二体系中分批加入第二阴离子前体溶液以进行外延生长，在量子点核生长出0.5～2层的单层壳后，向第二体系中分批加入第二脂肪酸。
-
公开(公告)号：CN110408382A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910704614.0
申请日：2019-07-31
Applicant: 浙江大学 , 纳晶科技股份有限公司
IPC: C09K11/02 , C09K11/88 , C09K11/56 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L51/50 , H01L51/54 , H01L51/42
Abstract: 本发明提供了一种核壳半导体纳米片、其制备方法及其应用。该核壳半导体纳米片的制备方法，包括：S1，制备含纤锌矿纳米晶的溶液；S2，将第一阳离子前体、第一阴离子前体、第一配体、第一溶剂和含纤锌矿纳米晶的溶液混合，纤锌矿纳米晶作为核，加热反应使得在核的表面进行外延生长，得到含核壳半导体纳米片的第一产物体系。上述制备方法中，通过选取纤锌矿纳米晶为核，同时第一配体对生长过程中的纳米粒子的表面晶面进行选择性钝化，从而控制不同晶面具有不同的生长位置，可以控制半导体纳米片各个维度的尺寸，即可以外延生长成各向异性的结构。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
44
records
(took 0.027 seconds)
