一种钙钛矿结构纳米片自组装钛酸铅纳米柱的制备方法

    公开(公告)号:CN101618889A

    公开(公告)日:2010-01-06

    申请号:CN200910101092.1

    申请日:2009-08-03

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明涉及钙钛矿结构纳米片自组装钛酸铅纳米柱的制备方法。采用两步沉淀法,制备用于水热反应的钛、铅的羟基氧化物混合沉淀。先以氨水溶液水解钛酸四丁酯,沉淀钛离子,再向悬浮有钛羟基氧化物沉淀的氨水溶液中引入硝酸铅,沉淀铅离子。经过滤、清洗后,将混合沉淀与氢氧化钾和去离子水混合,在密闭的反应釜中于160~240℃水热处理5~48小时,获得钙钛矿结构钛酸铅纳米片自组装成的钛酸铅纳米柱。钛酸铅纳米柱的长度为5μm~20μm之间,直径为0.4μm~1μm之间,构成钛酸铅纳米柱的钙钛矿结构钛酸铅纳米片的厚度为2~10nm之间。本发明工艺过程简单,易于控制,无污染,成本低,易于规模化生产。

    纺锤状α-Fe2O3纳米粉体的制备方法

    公开(公告)号:CN101293674A

    公开(公告)日:2008-10-29

    申请号:CN200810062486.6

    申请日:2008-06-12

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明涉及纺锤状α-Fe2O3纳米粉体的制备方法,采用的是水/溶剂热合成法,将原始反应物料硝酸铁和矿化剂氢氧化钾分别溶于乙二醇和水构成的混合溶剂中,然后将氢氧化钾溶液滴加到硝酸铁的溶液中,获得用于水/溶剂热反应的悬浮液前驱体,将其密闭于反应釜中,于160~240℃下热处理4~36小时,得到纺锤状的α-Fe2O3纳米粉体,其颗粒长度不小于200纳米,最大直径不小于100纳米。本发明产品质量稳定,纯度高,颗粒分散性好,具有优良的催化性能;制备工艺过程简单,易于控制,无污染,成本低,易于规模化生产。

    钙钛矿相锆钛酸铅粉体的制备方法

    公开(公告)号:CN100337979C

    公开(公告)日:2007-09-19

    申请号:CN200510062153.X

    申请日:2005-12-21

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明涉及钙钛矿相锆钛酸铅粉体的制备方法。采用两步沉淀实现合成锆钛酸铅的前驱体粉体的制备。首先以钛酸四丁酯和氧氯化锆为原料,无水乙醇和去离子水为溶剂,氨水为沉淀剂,共沉淀制备锆钛羟基氧化物。所制备的共沉淀物经去离子水清洗后,分散于氨水溶液中。然后再将硝酸铅溶液引入到该氨水溶液中沉淀Pb2+离子,经过滤,去离子水清洗,无水乙醇脱水和烘干,得到合成锆钛酸铅的前驱体粉体。经煅烧后得到纯钙钛矿相锆钛酸铅粉体。本发明与固相反应法和共沉淀法相比,防止了中间相的生成,合成的粉体纯度高,稳定性好。并且原料来源方便、成本低、操作简便、适用性强、环境污染小,易于实现工业化规模生产。

    锆钛酸铅纳米粉体的制备方法

    公开(公告)号:CN100336776C

    公开(公告)日:2007-09-12

    申请号:CN200510062152.5

    申请日:2005-12-21

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明涉及锆钛酸铅纳米粉体的制备方法,其主要特征是聚乙烯醇辅助水热反应实现锆钛酸铅纳米粉体的合成。首先制备锆、钛、铅的羟基氧化物共沉淀作为水热反应物料,然后在矿化剂氢氧化钾的作用下,并在水热系统中引入聚乙烯醇作为表面修饰剂,抑制粉体颗粒的长大,于160~240℃水热反应得到粒度不大于50nm的钙钛矿锆钛酸铅纳米粉体。本发明产品质量稳定,纯度高,粉体颗粒分散性好;工艺过程简单,易于控制,无污染,成本低,易于规模化生产。

    一种钽掺杂钛酸铅单晶薄膜及其制备和应用

    公开(公告)号:CN118374881A

    公开(公告)日:2024-07-23

    申请号:CN202410662656.3

    申请日:2024-05-27

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开了一种钽掺杂钛酸铅单晶薄膜及其制备和应用。该薄膜为表面光滑平整连续的钽掺杂钛酸铅单晶薄膜,厚度为200nm~2100nm,通过水热反应在掺铌的钛酸锶基板上外延制备得到。本发明制得的表面平整光滑的大面积异质外延的钽掺杂钛酸铅单晶薄膜,在375nm紫外光照射下,其光伏短路电流较之不掺杂PTO/NSTO的光伏短路电流提升超5倍,在铁电存储器、热释电传感器、光波导、光探测和电光开关等领域具有广泛的潜在应用前景。本发明的制备方法的工艺过程简单,易于控制,成本低,易于规模化生产。

    铌酸钾单晶薄膜及其制备和应用
    39.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117305981A

    公开(公告)日:2023-12-29

    申请号:CN202310888243.2

    申请日:2023-07-19

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开了铌酸钾单晶薄膜及其制备和应用。该薄膜具有晶格梯度:从薄膜界面到表面,晶格参数a减小,c增加;该薄膜具有钾的组分梯度:从薄膜界面到表面,钾含量增加;以及该薄膜在铁电极化方向上具有极化梯度。而且,该薄膜表面光滑平整,具有平整的界面,内部晶格规整。该薄膜是以五氧化二铌、碳酸钾为主要原料,在氢氧化钾存在下,以掺铌钛酸锶为基底,在200~220℃下进行水热反应,最后在氧气气氛下进行500~750℃退火处理制得的。本发明方法的工艺过程简单,易于控制,成本低,易于规模化生产。本发明得到的大面积异质外延薄膜的光伏性能显著提升,在新型无源光电探测器和电光开关等领域具有广泛的潜在应用前景。

    铁电半导体/铁磁单晶薄膜异质结及制备方法和应用

    公开(公告)号:CN116565041A

    公开(公告)日:2023-08-08

    申请号:CN202210100485.6

    申请日:2022-01-27

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开了铁电半导体/铁磁单晶薄膜异质结及制备方法和应用。该异质结是以生长有单晶镧锶锰氧的钛酸锶单晶基板作为基底,并在镧锶锰氧层外延生长钛酸铅单晶薄膜而形成的钛酸铅/镧锶锰氧单晶薄膜异质结。该异质结具有金属‑绝缘体转变。该异质结中,外延钛酸铅单晶薄膜的表面平整,外延钛酸铅单晶薄膜的内部晶格排列整齐,钛酸铅/镧锶锰氧异质结界面呈原子级平整。本发明异质结通过水热方法制备得到,其具有优异的光伏性能,且在光照条件下电阻受磁场影响显著,可用作无源光电探测器或光控磁电探测设备。本发明异质结在铁电半导体存储器、磁电存储和电光开关等领域也具有广泛的潜在应用前景。

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