公开(公告)号：CN206422040U

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201720041157.8

申请日：2017-01-13

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 李海鸥 ,  马磊 ,  李思敏 ,  首照宇 ,  李琦 ,  王盛凯 ,  陈永和 ,  张法碧 ,  肖功利 ,  傅涛 ,  李跃 ,  常虎东 ,  孙兵 ,  刘洪刚

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L29/20

Abstract: 本实用新型公开一种III‑V族半导体MOSHEMT器件，其组分渐变缓冲层降低III‑V半导体之间晶格失配，减少位错引进的缺陷。同时该器件结构不仅降低MOS界面态密度，并且通过对外延材料采用高In组分In0.7Ga0.3As/In0.6Ga0.4As/In0.5Ga0.5As复合沟道设计以及势垒层和缓冲层平面处的双掺杂设计充分的提高了2‑DEG的浓度与电子迁移率，降低了沟道的方块电阻。本实用新型具有二维电子气浓度高、沟道电子迁移率大、器件特征频率和振荡频率高和制造工艺简单易于实现等特点。