公开(公告)号：CN104108930A

公开(公告)日：2014-10-22

申请号：CN201410349447.X

申请日：2014-07-22

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 ,  曾卫东 ,  周秀娟 ,  周沁 ,  杨华斌 ,  陈国华 ,  袁昌来 ,  杨云

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622 ,  C04B41/88

Abstract: 本发明公开了一种在350℃以上使用的高温稳定型介电陶瓷及其制备方法，成分以通式(1-x)Bi1/2Na1/2TiO3-x(La，Bi)2/3TiO3+zRE2O3来表示，其中RE2O3为稀土氧化物，(La，Bi)中La∶Bi=1∶1(摩尔比)，x与z表示摩尔分数，0＜x＜0.3，0＜z≤0.1。本发明的高温稳定型介电陶瓷采用电子陶瓷制备工艺制备而成，采用二次预烧增加陶瓷成分与结构的均匀性，降低陶瓷烧结的工艺敏感性。制备工艺简单、稳定，适合工业推广应用。本发明的陶瓷材料高温介电温度稳定性好，介电常数大，具有低的介电性能温度系数，适合高温MLCC介质使用。

公开(公告)号：CN103172370B

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201310081345.X

申请日：2011-06-16

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 ,  成钧 ,  杨华斌 ,  周沁 ,  袁昌来 ,  陈国华

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/468 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了B位复合Bi基化合物组成的无铅压电陶瓷及其制备方法，成分以通式(1-x-y)Bi(Li1/2Me1/2)O3-xBaTiO3-y(K1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb来表示，其中x、y、z表示摩尔分数，0

公开(公告)号：CN103159475A

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN201310081346.4

申请日：2011-06-16

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 杨华斌 ,  周昌荣 ,  成钧 ,  周沁 ,  袁昌来 ,  陈国华

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/468 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了B位复合Bi基化合物组成的无铅压电陶瓷及其制备方法，成分以通式(1-x-y)Bi(Li1/2Me1/2)O3-xBaTiO3-y(Na1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb来表示，其中x、y、z表示摩尔分数，0

公开(公告)号：CN102285792A

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN201110162433.3

申请日：2011-06-16

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 ,  单旭 ,  周沁 ,  杨华斌 ,  成钧 ,  袁昌来 ,  陈国华

IPC: C04B35/453 ,  C04B35/01 ,  C04B35/462 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了钙钛矿结构无铅压电陶瓷，用组成通式为：(1-x)(M1/4M′3/4)(M″1/4M‴3/4)O3-x(Na1/2Bi1/2)TiO3+zMeaOb、(1-x)(M1/4M′3/4)(M″1/4M‴3/4)O3-x(K1/2Bi1/2)TiO3+zMeaOb、(1-x-y)(M1/4M′3/4)(M″1/4M‴3/4)O3-xBaTiO3-y(Na1/2Bi1/2)TiO3+zMeaOb、(1-x-y-u)(M1/4M′3/4)(M″1/4M‴3/4)O3-x(Na1/2Bi1/2)TiO3-yBaTiO3-u(Bi1/2K1/2)TiO3+zMeaOb或(1-x-y-u-v)(M1/4M′3/4)(M″1/4M‴3/4)O3-x(Na1/2Bi1/2)TiO3-yBaTiO3-u(Bi1/2K1/2)TiO3-v(Bi1/2Li1/2)TiO3+zMeaOb来表示，其中x、y、u、v和z表示摩尔分数，0

公开(公告)号：CN105503164A

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201410548546.0

申请日：2014-10-16

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 ,  曾卫东 ,  杨玲 ,  陈国华 ,  袁昌来 ,  杨华斌 ,  周沁

IPC: C04B35/26 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种高绝缘铁酸铋基高温压电玻璃陶瓷复合材料及其制备方法，成分以通式BiFeO3+x(20Bi2O3-30SiO2-30CaO-20ZrO2)+0.02Sc2O3或BiFeO3+x(35Bi2O3-30SiO2-25CaO-10ZrO2)+0.05Sc2O3来表示，其中x表示摩尔分数，0 600°C，机械品质因数高于600，在高温压电传感器具有很好的应用前景。

公开(公告)号：CN104129987B

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201410350877.3

申请日：2014-07-22

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 ,  周秀娟 ,  曾卫东 ,  杨华斌 ,  周沁 ,  陈国华 ,  袁昌来

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种高温无铅纳米压电陶瓷及其制备方法，成分以通式Bi1/2Na1/2 TiO3+x (30Li2O-50SiO2-20Al2O3)或Bi1/2Na1/2 TiO3+x (20Bi2O3-40SiO2-40Al2O3)或Bi1/2Na1/2 TiO3+x (30B2O3-35SiO2-35Al2O3)来表示，其中x表示摩尔分数，0 500°C，损耗低，在高温压电传感器具有很好的应用前景。

公开(公告)号：CN104108935B

公开(公告)日：2016-01-06

申请号：CN201410350865.0

申请日：2014-07-22

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 ,  曾卫东 ,  周秀娟 ,  杨华斌 ,  周沁 ,  陈国华 ,  袁昌来

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/50 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种具有自发压电性能的高温无铅压电陶瓷及其制备方法，成分以化学式(1-x)K1/2Na1/2NbO3-xNd2Ti2O7或(1-x)K1/2Na1/2NbO3- xLa2Ti2O7或(1-x)K1/2Na1/2NbO3-xSm2Ti2O7或(1-x)K1/2Na1/2NbO3-xPr2Ti2O7来表示，其中x表示摩尔分数，0 700oC，绿色环保。

公开(公告)号：CN104402425A

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：CN201410691071.0

申请日：2014-11-27

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 杨华斌 ,  周沁 ,  刘慧 ,  李晓宁 ,  王运风 ,  粟航

IPC: C04B35/26 ,  C04B35/63 ,  C04B35/64 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种低损耗BiFeO3-BaTiO3基无铅压电陶瓷及其制备方法，其组成通式为：(1-x)(Bi1-tLat)FeO3-xBa(Ti1-uSnu)O3+0.5%BiMnO3+yBa(Cu1/3Nb2/3)O3+zLiBiO3+mBa(W1/2Cu1/2)O3，其中t、x、u、y、z、m表示摩尔分数，且0

公开(公告)号：CN104129987A

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：CN201410350877.3

申请日：2014-07-22

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 ,  周秀娟 ,  曾卫东 ,  杨华斌 ,  周沁 ,  陈国华 ,  袁昌来

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种高温无铅纳米压电陶瓷及其制备方法，成分以通式Bi1/2Na1/2TiO3+x(30Li2O-50SiO2-20Al2O3)或Bi1/2Na1/2TiO3+x(20Bi2O3-40SiO2-40Al2O3)或Bi1/2Na1/2TiO3+x(30B2O3-35SiO2-35Al2O3)来表示，其中x表示摩尔分数，0 500°C，损耗低，在高温压电传感器具有很好的应用前景。

公开(公告)号：CN103159475B

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201310081346.4

申请日：2011-06-16

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 杨华斌 ,  周昌荣 ,  成钧 ,  周沁 ,  袁昌来 ,  陈国华

IPC: H01L41/187 ,  C04B35/475 ,  C04B35/468 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了B位复合Bi基化合物组成的无铅压电陶瓷及其制备方法，成分以通式(1-x-y)Bi(Li1/2Me1/2)O3-xBaTiO3-y(Na1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb来表示，其中x、y、z表示摩尔分数，0