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公开(公告)号：CN110073497A
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201780076727.X
申请日：2017-11-28
IPC: H01L29/872 , H01L21/329 , H01L29/06 , H01L29/78
Abstract: 一种半导体装置，其具有半导体衬底、设置在半导体衬底的前表面中的第一沟槽、设置在第一沟槽内部的阳极电极、以及设置在半导体衬底的背表面上的阴极电极。所述半导体衬底具有第一p型区域、第二p型区域和与第一p型区域和第二p型区域接触的主n型区域，并且与第一沟槽的侧表面中的阳极电极形成肖特基接触。半导体衬底满足下述关系，即，当在平面图中观察前表面时，第一沟槽的面积小于主n型区域与在第一沟槽的侧表面中的阳极电极相接触的肖特基界面的面积。
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