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公开(公告)号:CN101447168A
公开(公告)日:2009-06-03
申请号:CN200810173192.0
申请日:2008-11-06
Applicant: 株式会社日立显示器
IPC: G09G3/30
CPC classification number: G09G3/3225 , G09G2300/0842 , G09G2300/089 , G09G2320/043
Abstract: 本发明提供一种图像显示装置及其驱动方法。仅用行存储器来确保较长的自发光元件的发光时间从而实现高亮度的图像显示。取连续多行(3行)为显示电压的写入期间(数据写入期间),取复位脉冲为“高”状态。接着,汇集3行为三角波期间(三角波电压的写入期间),仅发光控制脉冲为“高”状态。在三角波电压的写入期间,从第2次三角波电压的写入开始为三角波电压的改写,因此不需要从显示电压的改写期间(虚线部分),能够确保较长的发光控制脉冲为“高”状态的发光期间。
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公开(公告)号:CN101425256A
公开(公告)日:2009-05-06
申请号:CN200810166760.4
申请日:2008-10-27
Applicant: 株式会社日立显示器
IPC: G09G3/30
CPC classification number: G09G3/3233 , G09G2300/0417 , G09G2300/0842 , G09G2300/0861 , G09G2310/0259 , G09G2310/066
Abstract: 本发明提供一种图象显示器件,具备多个像素、对上述多个像素的各像素输入图像电压的多条信号线、以及从上述多个像素中选择经由上述多条信号线来写入上述图像电压的像素的像素选择单元,上述各像素具有电流驱动型发光元件、连接在电源线和上述发光元件之间的驱动晶体管、以及一端连接在上述驱动晶体管的栅电极上的电容元件,在写入期间,将上述图象电压输入到上述电容元件的另一端,并且在连接着上述写入期间的发光期间,将电压电平随时间变化的倾斜波电压输入到上述电容元件的另一端,上述发光元件的点亮时的上述发光强度在上述发光期间内不断变化。
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公开(公告)号:CN101312009A
公开(公告)日:2008-11-26
申请号:CN200810109047.6
申请日:2008-05-23
Applicant: 株式会社日立显示器
IPC: G09G3/30
CPC classification number: G09G3/3233 , G09G2320/029 , G09G2320/0295 , G09G2320/043 , G09G2320/045
Abstract: 本发明提供一种显示装置。自发光显示板(15)内的自发光元件(48)的检测电压经由像素检测开关(47)和双向信号线(10’)而经过数据线驱动电路(9)内的选择开关(44),在检测电路(45)中进行检测。该检测动作利用电源接通时和回描期间来进行。
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公开(公告)号:CN101183506A
公开(公告)日:2008-05-21
申请号:CN200710180975.7
申请日:2007-10-10
Applicant: 株式会社日立显示器
CPC classification number: G09G3/3291 , G09G3/3258 , G09G2300/0819 , G09G2300/0842 , G09G2300/0861 , G09G2310/0259 , G09G2310/066 , G09G2320/041 , G09G2320/045 , G09G2320/046 , G09G2320/048
Abstract: 本发明提供一种显示装置。本发明根据有机EL等自发光元件的劣化来控制发光时间,由此消除残像图案。每一象素的驱动晶体管31,利用写入信号电压和三角波信号来控制有机EL36的发光时间。与由有机EL36的温度变化或老化引起的特性变动无关系地将写入信号电压写入到写入电容30,由此在有机EL36的内部电阻增加而导致的劣化时,延长有机EL36的发光时间,来补偿由劣化所引起的亮度降低。结果,将会消除固定图案的残像。
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公开(公告)号:CN101075419A
公开(公告)日:2007-11-21
申请号:CN200710104642.6
申请日:2007-05-18
Applicant: 株式会社日立显示器
CPC classification number: G09G3/2092 , G09G3/3233 , G09G3/3648 , G09G2310/0289
Abstract: 本发明提供一种图像显示装置,不需要来自外部的时钟或控制信号,安装有以低电压进行高速动作的电平位移电路,可确保较高的成品率。在具有源极连接于电源、栅极与漏极被交叉耦合连接的一对晶体管、和源极连接于低电压源或接地点、漏极连接于交叉耦合的连接点、一方栅极连接有输入信号、另一方栅极连接有反相输入信号的晶体管的电平位移电路中,增加栅极连接于交叉耦合的连接点、漏极连接于成对的交叉耦合的连接点、一方源极连接有输入信号、另一方源极连接有反相输入信号的晶体管,在这样的结构的电平位移电路中,至少栅极连接于交叉耦合的连接点的晶体管使用形成于绝缘体基板上的TFT。
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