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公开(公告)号:CN113540242A
公开(公告)日:2021-10-22
申请号:CN202110052353.6
申请日:2021-01-15
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 提供能够提高特性的半导体装置。根据实施方式,半导体装置包括第1电极、第2电极、第1半导体构件、第2半导体构件、第3半导体构件、第3电极、第1导电构件以及绝缘构件。连接构件的至少一部分处于第2半导体构件的第1半导体区域与第3电极之间。绝缘构件的第5部分处于第1半导体区域与连接构件之间。第5部分与第1半导体区域以及连接构件相接。