公开(公告)号：CN1992454A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200610110844.7

申请日：2006-08-15

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 高山彻 ,  村泽智 ,  藤本康弘 ,  中山久志 ,  木户口勋

IPC: H01S3/22 ,  H01S5/227 ,  H01S5/343 ,  H01S5/40 ,  H01S5/026 ,  H01S5/00

Abstract: 本发明公开了半导体激光装置及其制造方法。目的在于：能够在形成在同一衬底上的多波长半导体激光装置中，再现性良好地获得可高温动作且具有低噪音特性的自振动型激光。在红外激光区域中，在衬底10上依次叠层有下侧覆盖层12、活性层13、第一上侧覆盖层14、蚀刻停止层15、以及成为脊部的第二上侧覆盖层16。在红色激光区域中，在衬底10上依次叠层有下侧覆盖层22、活性层23、第一上侧覆盖层24、蚀刻停止层25、以及成为脊部的第二上侧覆盖层26。红外激光的蚀刻停止层15的厚度与红色激光的蚀刻停止层25的厚度不同。

公开(公告)号：CN1765036A

公开(公告)日：2006-04-26

申请号：CN200480007918.3

申请日：2004-03-09

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 菅原岳 ,  川口靖利 ,  石桥明彦 ,  木户口勋 ,  横川俊哉

IPC: H01S5/20

CPC classification number: H01S5/227 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/2205 ,  H01S5/32341

Abstract: 本发明的氮化物半导体元件的制造方法，其中包括：工序(A)，其准备：作为被分割成多个芯片用基板的氮化物半导体基板，分割后具有起着各芯片用基板作用的多个元件部分，和将所述元件部分结合的元件间部分，所述元件间部分的平均厚度比所述元件部分厚度小的氮化物半导体基板；工序(B)，其在氮化物半导体基板的上面形成在所述元件部分上具有条状开口部分的掩模层；工序(C)，其在所述氮化物半导体基板的上面，在通过所述掩模层的所述开口部分露出的区域上，使氮化物半导体层选择性生长；和工序(D)，其将所述氮化物半导体基板从所述氮化物半导体基板的元件间部分劈开，形成具有被分割成单个芯片用基板的多个氮化物半导体元件的。

公开(公告)号：CN1245788C

公开(公告)日：2006-03-15

申请号：CN03106059.5

申请日：2003-02-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 上田哲生 ,  山根启嗣 ,  木户口勋 ,  藤森省司

IPC: H01S5/028

CPC classification number: H01S5/028

Abstract: 一种半导体激光器，它包括在衬底上形成的活性层和将活性层夹在中间的一对包层。在半导体激光器的谐振器端面102、104的至少一个面上有添加氢的第一介质膜109，在第一介质膜和谐振器端面之间设有防止氢扩散的第二介质膜108。这样当半导体激光器暴露于高温状态时，即使端面镀膜层中有添加氢的膜，端面镀膜脱离和端面镀膜变质的现象也能得到抑制。

公开(公告)号：CN1170347C

公开(公告)日：2004-10-06

申请号：CN99810355.1

申请日：1999-09-16

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 木户口勋 ,  石桥明彦 ,  粂雅博 ,  伴雄三郎 ,  上山智

IPC: H01S5/30 ,  H01S5/323 ,  H01L33/00 ,  C30B25/14 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L33/32 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/007 ,  H01S5/32341 ,  H01S5/34333

Abstract: 首先，将衬底温度升高到1020℃，在由蓝宝石构成的衬底(11)上顺序生长由n型Al0.1Ga0.9N组成的n型包层(14)、由n型GaN组成的n型光波导层(15)、及由n型Al0.2Ga0.8N组成的、抑制n型光波导层(15)构成原子的再蒸发的平坦性维持层(16)。接着，停止III族原料气体供给，将衬底温度降低到780℃，与此同时将运载气体由氢气更换为氮气，然后选择性导入V族源NH3、III族源TMI和TMG生长具有多量子阱结构的有源层(17)。

公开(公告)号：CN1233824A

公开(公告)日：1999-11-03

申请号：CN99105732.5

申请日：1999-04-13

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 粂雅步博 ,  伴雄三郎 ,  木户口勋 ,  上山智 ,  辻村步 ,  石桥明彦 ,  长谷川义晃 ,  宫永良子

IPC: G11B7/125 ,  G02B26/02 ,  G02F1/13

CPC classification number: G11B7/126 ,  G11B7/005 ,  G11B7/128 ,  G11B7/135 ,  G11B7/1369 ,  G11B11/10515 ,  G11B11/10543

Abstract: 本发明为一种光盘的记录再生方法及光盘记录再生装置。在半导体激光元件12和光盘11之间设置有把来自半导体激光元件12的激光转变成平行光的准直透镜13、把通过了准直透镜13的平行光衰减的液晶遮光体14以及把来自光盘11的反射光分路的光束分离器15,还设置有把通过准直透镜13得到的平行光聚集到光盘11的数据保持面上的聚光透镜16。这样,即便使用短波长(短于400nm)的半导体激光元件进行光盘的记录及再生时,也可防止散焦现象。

公开(公告)号：CN101431216B

公开(公告)日：2010-11-03

申请号：CN200810184662.3

申请日：2004-12-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 水内公典 ,  山本和久 ,  笠澄研一 ,  木户口勋

IPC: H01S5/06 ,  H01S5/0625 ,  H01S5/10 ,  H01S5/22

CPC classification number: H01S5/0625 ,  H01S5/0287 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/0624 ,  H01S5/1064 ,  H01S5/22

Abstract: 提供一种半导体激光装置和激光投影装置，在端面反射率不同的半导体激光装置(10)中，将配置在条状脊部(107a)上的电极，分割为由4个电极部(1)、(2)、(3)、(4)构成的四分割结构，使越是接近光出射端面侧的电极部，其注入电流越大。利用这种半导体激光装置，可以使与条状脊部对置的活性层内的载流子密度分布成为适合其光强度分布的分布，因此可以防止由于空间烧孔效应产生的横模的不稳定化和增益降低引起的高输出特性劣化。

公开(公告)号：CN1937338B

公开(公告)日：2010-05-12

申请号：CN200610100361.9

申请日：2006-06-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 高山彻 ,  木户口勋 ,  鹿岛孝之

IPC: H01S5/40 ,  H01S5/34 ,  H01S5/10 ,  H01S5/16

CPC classification number: H01S5/40 ,  H01S5/162 ,  H01S5/22 ,  H01S5/4087

Abstract: 本发明揭示一种多波长半导体激光器器件，通过使每一波长的半导体激光器具有对各波长的出射光取得最佳FFP的不同长度的窗区域，能使各波长具有程度相同的光输出依赖性，从而能方便地进行光学系统的设计。

公开(公告)号：CN101394065A

公开(公告)日：2009-03-25

申请号：CN200810213598.7

申请日：2008-09-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 粂雅博 ,  高山彻 ,  高须贺祥一 ,  木户口勋

IPC: H01S5/40 ,  H01S5/30 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01S5/4031 ,  H01S5/162 ,  H01S5/209 ,  H01S5/22 ,  H01S5/4087

Abstract: 本发明提供一种双波长半导体激光装置及其制造方法，其可以抑制由掺杂剂的扩散引起的不良状况的产生。本发明的双波长半导体激光装置，在化合物半导体构成的基板(10)上，堆积第1半导体激光元件(1)和第2半导体激光元件(2)，将所述第1半导体激光元件(1)的蚀刻阻止层(15)的构成材料用和第2半导体激光元件(2)的蚀刻阻止层(25)的构成材料相比杂质不易扩散的材料。

公开(公告)号：CN100454699C

公开(公告)日：2009-01-21

申请号：CN200580005185.4

申请日：2005-11-15

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 岛本敏孝 ,  川口靖利 ,  长谷川义晃 ,  石桥明彦 ,  木户口勋 ,  横川俊哉

IPC: H01S5/343 ,  H01S5/22 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01S5/22 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/0265 ,  H01S5/32341 ,  H01S2304/12

Abstract: 本发明的氮化合物系半导体装置具备支承于具有导电性的基板构造物101的半导体叠层构造物。基板构造物101的主面具有：作为氮化合物系半导体的纵向生长的晶种而起作用的至少1个纵向生长区域；及使在所述纵向生长区域上生长的氮化合物半导体的横向生长成为可能的多个横向生长区域。在设定由箭头A表示的纵向生长区域的尺寸的总和为∑X，该方向的多个横向生长区域的尺寸的总和为∑Y时，∑X/∑Y＞1.0的关系成立。

公开(公告)号：CN101123343A

公开(公告)日：2008-02-13

申请号：CN200710141399.5

申请日：2007-08-09

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 高山彻 ,  佐藤智也 ,  早川功一 ,  木户口勋

IPC: H01S5/323 ,  H01S5/343 ,  H01S5/227 ,  H01S5/40

CPC classification number: H01S5/22 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0287 ,  H01S5/162 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/221 ,  H01S5/2218 ,  H01S5/34326 ,  H01S5/4087 ,  H01S2301/18

Abstract: 衬底上具有多个发光部的半导体激光器，制造工序简化，降低了导波路损失且使水平及垂直扩散角相同。半导体激光装置，在同一衬底(10)上具有红色激光器(A)和红外激光器(B)。红色激光器(A)，是具有条纹(14a)的第一导电型第一包覆层(14)、第二导电型第二包覆层(12)夹着AlGaInP系列活性层(13)的构造。红外激光器(B)，是具有条纹(24a)的第一导电型第三包覆层(24)、第二导电型第四包覆层(22)夹着AlGaAs系列活性层(23)的构造。第一、第二、第三及第四包覆层(依次14、12、24、22)，均为AlGaInP系列，Al∶Ga的组成比依次分别为：X1∶1－X1、X2∶1－X2、X3∶1－X3、X4∶1－X4时，满足X1≥X2以及X3≥X4的关系。