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公开(公告)号：CN1873537A
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN200610073222.1
申请日：2006-04-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G03F7/20 , G03F7/26 , G03F7/42 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/11 , G03F7/2041 , Y10S430/162
Abstract: 本发明公开了一种图案形成方法。目的在于：能够防止在浸液光刻中使用的浸液曝光用液体对抗蚀膜的影响，获得具有良好形状的微细图案。在形成在衬底101上的抗蚀膜102上形成可溶于碱的第1阻挡膜103。接着，在形成的第1阻挡膜103上形成不溶于碱的第2阻挡膜104。接着，在将由水构成的液体105提供到第2阻挡膜104上的状态下，透过第2阻挡膜104及第1阻挡膜103对抗蚀膜102选择性地照射曝光光106，进行图案曝光。然后，除去第2阻挡膜104，且通过对已进行了图案曝光的抗蚀膜102进行显像，来除去第1阻挡膜103，同时，由抗蚀膜102形成具有微细图案的抗蚀图案102a。
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公开(公告)号：CN1233022C
公开(公告)日：2005-12-21
申请号：CN03131014.1
申请日：2003-05-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F7/00
CPC classification number: G03F7/0392 , G03F7/0047
Abstract: 本发明提供一种在半导体装置的制造过程中使用的图形形成材料、水溶性材料及图形形成方法。形成由含有通过酸的作用改变显影液可溶性的聚合物、照射能量光束就产生酸的酸发生剂、吸收聚合物或酸发生剂产生的脱气的化合物的化学增幅型抗蚀材料构成的抗蚀膜(11)；对于抗蚀膜(11)选择性照射远紫外线(12)进行图形曝光后，对图形抗蚀膜(11)通过显影液进行显影并形成抗蚀层图形(13)。根据本发明可以减少由抗蚀膜产生的脱气的量并改善抗蚀层图形的形状和提高生产率。
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公开(公告)号：CN1210771C
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN01819060.X
申请日：2001-10-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/316 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76819 , H01L21/31051
Abstract: 一种半导体装置的制造方法，对形成了具有台阶差的层的基板的表面供给具有流动性的物质，在形成了流动性膜后，利用具有平坦的按压面的按压构件将流动性膜按压到基板上，使流动性膜的表面平坦化。在该状态下，通过加热流动性膜使该流动性膜固化，形成具有平坦的表面的被固化了的膜。
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公开(公告)号：CN1574220A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410007839.4
申请日：2004-03-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/30 , G03F7/00
CPC classification number: G03F7/0048 , G03F7/0045 , G03F7/0382 , G03F7/0395 , G03F7/2041
Abstract: 一种图案形成方法，在形成由含基础聚合物、照射光线后能产生酸的酸发生剂、和内酯的化学增幅型抗蚀材料构成的抗蚀膜(102)后，在向抗蚀膜(102)提供边循环边暂时被储存在溶液储备部中的水(103)的状态下，向抗蚀膜(102)选择性地照射曝光光(104)，以进行图案曝光。对已进行图案曝光的抗蚀膜(102)实施后烘焙之后，利用碱性显影液进行显影，就可以得到由抗蚀膜(102)的未曝光部(102b)构成的具有良好形状的抗蚀图案(105)。根据本发明，可以改善通过浸渍光刻法得到的抗蚀图案的形状。
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公开(公告)号：CN1574219A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200310120571.0
申请日：2003-12-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F7/00
CPC classification number: G03G13/283 , G03F7/2041 , G03G13/286 , Y10S430/162
Abstract: 本发明公开了一种图案形成方法。其目的在于：使通过浸渍光刻而得到的抗蚀图案的形状良好。形成含有吸湿性化合物的抗蚀膜102之后，在将水103供向该抗蚀膜102上的状态下选择曝光光104照射抗蚀膜102而进行图案曝光。对已进行了图案曝光的抗蚀膜102进行显像处理而形成抗蚀图案105。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1549303A
公开(公告)日：2004-11-24
申请号：CN03157733.4
申请日：2003-08-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/30
CPC classification number: G03F7/2043 , G03F7/0045 , G03F7/2041 , Y10S438/948 , Y10S438/949
Abstract: 本发明提供一种图形形成方法，在形成由化学增幅型抗蚀材料构成的抗蚀膜(101)后，在抗蚀膜(102)上以供给暂时贮存在溶液贮存部中的含有triphenylsulphoniumnonaflate并且不断循环的水(103)的状态，在抗蚀膜(102)上选择性照射曝光光(104)进行图形曝光。对于进行图形曝光后的抗蚀膜(102)，一旦在进行二次加热后通过碱性显影液显影，则可以得到由抗蚀膜(102)的未曝光部(102b)构成并具有良好剖面形状的抗蚀图形(105)。根据本发明的图形形成方法，可以使通过浸渍光刻得到的抗蚀图形的剖面形状优良。
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公开(公告)号：CN1523449A
公开(公告)日：2004-08-25
申请号：CN200410003604.8
申请日：2004-02-03
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G03F7/201 , G03F7/0382 , G03F7/0392
Abstract: 一种图案形成方法，首先形成碱溶性聚合物中由保护基保护起来的聚合物比例在50％以上的化学增幅型抗蚀材料构成的抗蚀膜(11)。然后对抗蚀膜(11)照射NA为0.92的KrF准分子激光(12)(含有对于抗蚀膜(11)以布鲁斯特角入射的光成分的曝光光)，进行图案曝光之后，利用碱性显影液显影，从而形成抗蚀图14。根据本发明，尽管使用含有对抗蚀膜以布鲁斯特角入射的光成分的曝光光形成图案，也可得到表面形状良好抗蚀图。
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公开(公告)号：CN1476053A
公开(公告)日：2004-02-18
申请号：CN03147506.X
申请日：2003-07-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/027
CPC classification number: G03F7/0382 , G03F7/0045 , G03F7/0392 , Y10S430/115 , Y10S430/12
Abstract: 一种图案形成材料，是由具有在酸的存在下对显影液的溶解性发生变化的聚合物、照射曝光用光时产生酸的酸发生剂、照射曝光用光时产生碱的碱发生剂的化学放大型抗蚀材料构成。照射曝光能相等的极紫外线或具有比极紫外线长的波段的长波段的光作为曝光用光时，碱发生剂的感光度在照射长波段光时比照射极紫外线时更高。根据本发明的图案形成材料，使得到的抗蚀图的截面形状质量得到提高。
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公开(公告)号：CN100573331C
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200510074297.7
申请日：2005-06-02
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70341 , G03F7/0395 , G03F7/168 , G03F7/2041 , G03F7/70991
Abstract: 一种曝光装置及图案形成方法，能够得到优良的由平板印刷制造的抗蚀膜，尤其是由液体浸泡平板印刷制造的抗蚀膜的形状。曝光装置，包括用洗净液(25)洗净形成在晶片(20)上的抗蚀膜表面的洗净部(30)，和在抗蚀膜和投影透镜(44)之间填充液体浸泡用液体(26)进行图案曝光的曝光部(40)。
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公开(公告)号：CN100423200C
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200410092387.4
申请日：2004-11-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/30 , H01L21/027 , G03F7/00
CPC classification number: G03F7/70341
Abstract: 一种半导体制造装置包括：液体供给部分，用于将液体供至所述平台上，所述平台用于保持芯片，抗蚀膜形成在芯片上；曝光部分，所述曝光部分利用设置在所述抗蚀膜上的所述液体、利用通过掩模的曝光用光来照射所述抗蚀膜；以及去除部分，用于从液体中去除包括在所述液体中的气体。这样，已经将气体去除的液体被设置在抗蚀膜上，因此包括在液体中的泡沫或者在曝光期间形成的泡沫能被去除。由此，诸如衍射异常等曝光异常能被防止，从而形成形状良好的抗蚀图案。
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