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公开(公告)号：CN114649404A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202210105595.1
申请日：2022-01-28
Applicant: 杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司 , 杭州电子科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/778
Abstract: 本发明公开了一种高线性度的GaN HEMT射频功率器件，包括依次设置的衬底层、缓冲层、沟道层、阻挡层、保护层，在保护层的上方设置源极、栅极和漏极；其中，所述保护层形成L形槽，所述源极设置在L形槽的顶部使源极端口和栅极端口在水平空间上相互错开。采用本发明的技术方案，将保护层做成一个L形槽，使得源极端口往竖直方向抬升，达到Source端口的底部与Gate端口的顶端齐平，从而根本上消除了Cgs的存在，Δ随着输出功率增加时，Cgs不再影响Δ值的变化，从而缓解了Δ值远离0的趋势，有效的改善了器件线性度。
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公开(公告)号：CN114372434A
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202111522459.4
申请日：2021-12-13
Applicant: 杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司 , 杭州电子科技大学
IPC: G06F30/367 , H03F1/02 , H03F1/56
Abstract: 本发明公开了一种基于左右手复合线结构的双频Doherty功率放大器，包括双频功分器、载波功率放大模块、峰值功率放大模块和合路阻抗匹配网络，利用左右手复合线理论构建了双频功分器和双频阻抗逆变器。其中双频功分器实现任意两个频段的功率分配，同时能在只使用一级威尔金森功分器结构的同时，扩大两个工作频段的带宽；利用左右手传输线理论的阻抗逆变器能够不在改变整体结构的基础上任意选择工作的两个频段，同时两个工作频段的带宽都能够得到一定的扩展。
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公开(公告)号：CN113282127A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110425289.1
申请日：2021-04-20
Applicant: 杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司 , 杭州电子科技大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明公开了一种基准电流源，包括偏置电路、基准电流产生电路和输出电路，其中，所述偏置电路与基准电流产生电路和负载分别连接，所述基准电流产生模块的输出与所述输出电路和负载分别连接；所述基准电流产生电路包括两条支路，每条支路均包括相连接的电流镜和亚阈值管，其中一条支路中还包括一个处于线性区的场效应管M14的漏端与亚阈值管的源端连接，该场效应管M14的栅端连接偏置电压，源端接地。本发明将三支路共源共栅电路的高电源抑制比和纳安级别输出电流的优点，与利用场效应管体效应的温度补偿结合，最终实现了6pA/℃的温度变化率和0.36nA/V的电压变化率，且总静态电流功耗仅为185nA。
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公开(公告)号：CN112134537B
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202010899682.X
申请日：2020-08-31
Applicant: 杭州电子科技大学 , 杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司
Abstract: 本发明提供了一种基于超紧凑型输出网络的宽带F类功率放大器及设计方法，包括输入匹配电路、栅极偏置电路、晶体管、漏极偏置电路、输出匹配电路。其中，输入匹配网络的输入端与功率输入端相连接，其输出端与晶体管的栅极连接，栅极偏置电路与栅极并联，晶体管的漏极接输出匹配电路，漏极偏置电路与漏极并联，输出匹配电路的输出端作为功率输出。相对于现有技术，本发明利用单节微带线实现的超紧凑型宽带F类功率放大器实现了同样的宽带和高效率，实现了紧凑型输出网络，该电路结构简单，易于实现，降低了成本，具有很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN111129779B
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN201911296964.4
申请日：2019-12-17
Applicant: 杭州电子科技大学 , 杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于石墨烯的可调谐太赫兹超表面及电路，包括由下至上依次设置的金属接地板、介质层、石墨烯金属层，其中，所述金属接地板作为反射基底；所述石墨烯金属层包括两对石墨烯贴片和两个金属环，两个金属环为外金属环和内金属环，两对石墨烯贴片设置在外金属环和内金属环之间。本发明通过改变施加两对石墨烯贴片上的偏置电压，从而改变石墨烯贴片的化学势，改变两个环路之间的耦合，实现本发明可调谐太赫兹超表面在低反射率和高反射率之间的切换，进而实现超表面的可调谐，解决了单一超表面单元结构不能同时实现吸波模式和反射模式的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113282129B
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202110496922.6
申请日：2021-05-07
Applicant: 杭州电子科技大学 , 杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明公开了一种纯场效应管低功耗过温保护电路，包括偏置电路、温度电压转换电路、选择电路、比较器和数字输出电路，其中，所述偏置电路的输出与温度电压转换电路的输入连接，温度电压转换电路的输出与选择电路的输入和比较器的输入分别连接，比较器的输出与选择电路的输入连接，选择电路的输出与比较器的输入连接。本发明实现了340nA静态电流的低功耗、实现了温度的滞回比较、避免了使用三极管、避免了使用电阻、避免了使用启动电路。
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公开(公告)号：CN110266275B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN201910669100.6
申请日：2019-07-23
Applicant: 杭州电子科技大学 , 杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司
Abstract: 本发明提供一种连续逆F类和J类混合的宽带Doherty功率放大器，包括宽带威尔金森功分器、相位补偿线、载波功率放大电路、峰值功率放大电路和宽带后匹配电路。载波功率放大电路中包括载波宽带输入匹配电路、载波放大器晶体管和阻抗变换器；峰值功率放大电路中包括峰值宽带输入匹配电路、峰值放大器晶体管、峰值谐波控制/抑制网络、峰值基波调谐网络和反向相位补偿线；宽带后匹配电路中包括载波谐波控制网络和后匹配调谐网络。载波放大器在饱和输入功率时工作在连续逆F类模式，在输入功率回退6dB时工作在J类模式，峰值放大器在饱和输入功率时工作在连续逆F类模式，在输入功率回退6dB时不工作。
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公开(公告)号：CN109981055B
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN201910226068.4
申请日：2019-03-25
Applicant: 杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司 , 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种分路谐波控制电路，包括功分器模块、第一谐波控制回路、第二谐波控制回路和基波匹配模块，其中，所述功分器模块与功放输出端相连接，用于将功率信号分为两路输出；所述第一谐波控制回路与所述功分器模块的一输出端相连接，至少设置第一谐波抑制模块、第一谐波控制模块和第一阻抗调节模块，所述第一谐波抑制模块用于保留三次谐波并滤除其他的谐波；第一谐波控制模块用于控制三次谐波；所述第一阻抗调节模块用于对第二谐波控制回路进行阻抗调节并将功率信号输出给基波匹配模块。采用本发明的技术方案，能够减小电路和电压波形和理想值的差距，从而提高功率放大的效率。
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公开(公告)号：CN113890802B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202111021212.4
申请日：2021-09-01
Applicant: 杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司 , 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于PN序列的符号定时同步方法，在发射端发射数据包中加载PN序列，在接收端通过自定义的自相关和噪声能量运算公式完成符号粗同步，联合PN序列的良好自相关特性完成符号细同步，同时，通过引入一种遗忘因子实现符号定时跟踪。本发明设计的训练序列自相关和噪声能量计算公式，在通过滑动窗口的三个阶段呈现良好的单调递增和递减特性，可高效实现符号粗同步。此外，联合PN序列良好的自相关特性，可通过找出接收训练序列与本地训练序列的自相关脉冲响应峰值点，提高符号细同步的精度，同时可区分出接收帧的帧序列号。引入一种遗忘因子系数来简化定时跟踪运算的复杂度，可提高整个系统的符号同步效率。
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公开(公告)号：CN115833758A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211541474.8
申请日：2022-12-02
Applicant: 杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司 , 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于电抗补偿结构的宽带Doherty功率放大器，至少包括宽带宽带功率分配器、载波功率放大模块、峰值功率放大模块和合路输出匹配网络，其中，载波功率放大模块设置相位延迟线，宽带载波输入匹配网络、载波功率放大器、宽带载波输出匹配网络；峰值功率放大器模块设置峰值功放相位延迟线、宽带峰值输入网络、峰值功率放大器和基于电抗补偿结构的峰值输出网络。本发明在Doherty功放的峰值输出匹配网络中融入了电抗补偿结构来改变功率回退时合路点阻抗的虚部，以补偿载波放大器在低功率区域中的负载阻抗，从而在宽频率范围内增强回退效率而不影响饱和功率时的Doherty负载调制。
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