一种新型的宽带滤波功率放大器

    公开(公告)号:CN114094956B

    公开(公告)日:2025-03-18

    申请号:CN202111418391.5

    申请日:2021-11-24

    Abstract: 本发明公开了新型的宽带滤波功率放大器,其中栅极直流偏置网络用于提供功率放大晶体管工作所需的栅极偏置电压;漏极直流偏置网络用于提供功率放大晶体管工作所需的漏极偏置电压;输入端阻抗匹配网络包括微带线、隔直电容以及RC并联电路;输出端阻抗匹配网络包括T型调谐网络和带通滤波器,其中,带通滤波器包括一个长度为λ/4的平行耦合微带线和在该平行耦合微带线对四个端口分别加载不同的负载。本发明与现有的滤波器与功率放大器直接级联的方式相比,通过将带通滤波器集成到输出匹配网络中,在保证宽带和高效率的同时实现了整体电路小型化。

    非对称Chireix合成架构及其设计方法

    公开(公告)号:CN111446934B

    公开(公告)日:2024-11-22

    申请号:CN202010325346.4

    申请日:2020-04-23

    Abstract: 本发明公开了非对称Chireix合成架构及其设计方法,包括第一支路和第二支路,所述第一支路设置第一功率放大器,所述第二支路设置第二功率放大器,所述第一功率放大器的输入端与第一信号相连接,所述第二功率放大器的输入端与第二信号相连接,所述第一信号和第二信号为非对称恒包络相位调制信号;所述第一功率放大器和第二功率放大器的输出端与非对称Chireix功率合成器相连接。采用本发明的非对称Chireix合成架构,具有比传统Chireix合成架构小的异相角,能够改善传统Chireix合成架构的输出效率,而且能改善传统Chireix合成架构只能在单一频点高效率输出,拓展了带宽。

    低剖面高隔离度双极化基站天线

    公开(公告)号:CN111342206B

    公开(公告)日:2024-10-18

    申请号:CN202010163864.0

    申请日:2020-03-11

    Abstract: 本发明公开了低剖面高隔离度双极化基站天线,其特征在于,该天线包括第一基板(1)、铜反射板(4)、设置在该第一基板(1)上表面的辐射贴片(5)以及设置在该第一基板(1)与铜反射板(4)之间的馈电部分;其中:所述馈电部分至少包括第二基板(2)和第三基板(3),所述第二基板(2)和第三基板(3)以±45°相互垂直交叉并以平面垂直的方式与所述第一基板(1)和铜反射板(4)固定连接;所述第二基板(2)和第三基板(3)设置相同贴片层并分别形成第一环天线和第二环天线,所述第一环天线和第二环天线以±45°相互垂直;所述第一同轴馈线(8)和第二同轴线(13)分别与所述第一环天线和第二环天线电气连接。本发明具有超宽带、低剖面、高隔离度、小型化、高增益等有益效果。

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