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公开(公告)号：CN114974318A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202110857056.9
申请日：2021-07-28
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 本发明的实施方式提供能提高记录密度的磁头和磁记录装置。根据实施方式，磁头包括第1、第2磁极和层叠体。层叠体包括第1磁性层、设置于第2磁极与第1磁性层之间的第2磁性层、设置于第2磁极与第2磁性层之间的第3磁性层、设置于第2磁极与第3磁性层之间的第4磁性层、设置于第1磁性层与第1磁极之间的第1非磁性层、设置于第2磁性层与第1磁性层之间的第2非磁性层、设置于第3磁性层与第2磁性层之间的第3非磁性层、设置于第4磁性层与第3磁性层之间的第4非磁性层、以及设置于第2磁极与第4磁性层之间的第5非磁性层。第2非磁性层与第2、第1磁性层相接。第3非磁性层与第3、第2磁性层相接。第4非磁性层与第4、第3磁性层相接。
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公开(公告)号：CN110875061B
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN201910183329.9
申请日：2019-03-12
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 提供一种能够提高记录密度的磁头及磁记录再现装置。根据实施方式，磁头包括磁极、第1屏蔽件、第2屏蔽件、第1层叠体以及第2层叠体。磁极的至少一部分设置于第1屏蔽件与第2屏蔽件之间。第1层叠体设置于磁极与第1屏蔽件之间。第2层叠体设置于磁极与第2屏蔽件之间。第1层叠体包括：第1磁性层，包含选自Fe、Co以及Ni中的至少一个；第1导电层，设置于磁极与第1磁性层之间；以及第2导电层，设置于第1磁性层与第1屏蔽件之间。第2层叠体包括：第2磁性层，包含选自Fe、Co以及Ni中的至少一个；第3导电层，设置于磁极与第2磁性层之间；以及第4导电层，设置于第2磁性层与第2屏蔽件之间。
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公开(公告)号：CN111681683B
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN201910805545.2
申请日：2019-08-29
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 本发明提供能够提高记录密度的磁记录装置以及磁头。根据实施方式，磁记录装置包括磁头、第1电路以及第2电路。磁头包括磁极、第1屏蔽件、层叠体、第1端子、第2端子以及线圈。第1电路至少实施第1工作。在第1工作中，当第2电路向线圈供给着记录电流时，第1电路向第1端子与第2端子之间的电流路径供给第1电流。第1电流比使得电流路径的电阻振荡的第2电流小。
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公开(公告)号：CN113763993A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202110210042.8
申请日：2021-02-25
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: G11B5/127
Abstract: 本公开提供能够实现记录密度的提高的磁头及磁记录装置。根据实施方式，磁头包括第1、第2磁极和层叠体。层叠体包括第1～第3磁性层和第1～第4非磁性层。第1磁性层包括Fe、Co及Ni中的至少1个。第2磁性层包括Fe、Co及Ni中的至少1个。第3磁性层包括第1元素和第2元素，第1元素包括Fe、Co及Ni中的至少1个，第2元素包括从由Cr、V、Mn、Ti及Sc构成的群选择出的至少1个。
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公开(公告)号：CN110890105B
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN201910175781.0
申请日：2019-03-08
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: G11B5/31
Abstract: 提供一种能够提高记录密度的磁头和磁记录再现装置。根据实施方式，磁头包括磁极、第1屏蔽件、磁性层、第1导电层以及第2导电层。所述磁性层设置于所述磁极与所述第1屏蔽件之间。所述第1导电层设置于所述磁极与所述第1屏蔽件之间且包括选自Cu、Ag、Au、Al以及Cr中的至少一个。从所述第1导电层向所述磁性层的方向与从所述磁极向所述第1屏蔽件的第1方向交叉。所述第2导电层设置于所述第1导电层与第1屏蔽件之间的第1位置、和所述磁极与所述第1导电层之间的第2位置中的任一个。所述第2导电层包括选自Ta、Pt、W、Ru、Mo、Ir、Rh以及Pd中的至少一个。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100458924C
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200610107853.0
申请日：2006-07-26
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 前田知幸
CPC classification number: G11B5/7325 , G11B5/65 , G11B5/8404
Abstract: 一种磁记录介质，包括基底(1)、第一衬层(21)，其形成在基底(1)上并且包括含Ni的非晶合金、结晶第二衬层(22)，其形成在第一衬层(21)上并且包括仅仅Cr或者含Cr的合金、以及磁记录层(31)，其形成在第二衬层(22)上并且包括Fe和Co中的至少一种元素和Pt和Pd中的至少一种元素，并且包含具有L10结构的磁性晶粒。保持在第二衬层(22)的上表面上的氧气量大于保持在第二衬层(22)的下表面上的氧气量，并且在磁记录层(31)中的磁性晶粒的(001)平面的法线取向为与介质平面的法线成3到25°范围内的倾斜角。
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公开(公告)号：CN118588120A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202311059099.8
申请日：2023-08-22
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 本公开提供能够提高记录密度的磁头及磁记录装置。根据实施方式，磁头包括第1磁极、第2磁极、以及设置于第1磁极与第2磁极之间的磁元件。磁元件包括第1磁性层～第4磁性层、和第1非磁性层～第5非磁性层。第4磁性层包含Fe、Co及Ni中的至少一种、和从由Cr、V、Mn、Ti、N及Sc构成的组中选择出的至少一种第1元素。第4非磁性层包含从由Cu、Au、Cr、Al、V及Ag构成的组中选择出的至少一种。第5非磁性层包含从由Cu、Au、Cr、Al、V及Ag构成的组中选择出的至少一种。
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公开(公告)号：CN118588119A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202311059022.0
申请日：2023-08-22
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 本公开提供能够提高记录密度的磁头及磁记录装置。根据实施方式，磁头包括第1磁极、第2磁极、以及设置于所述第1磁极与所述第2磁极之间的磁元件。所述磁元件包括第1磁性层～第5磁性层和第1非磁性层～第6非磁性层。所述第6非磁性层包含从由Ru、Ir、Ta、Rh、Pd、Pt及W构成的组中选择出的至少一种。
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公开(公告)号：CN115691564A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202210026346.3
申请日：2022-01-11
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 本公开提供能够实现记录密度的提高的磁头及磁记录装置。根据实施方式，磁头包括第1磁极、第2磁极及设置于所述第1磁极与所述第2磁极之间的层叠体。层叠体中包含的第3磁性层包含(Fe100‑xCox)100‑yEy，第2元素E包含选自Cr、V、Mn、Ti及Sc中的至少一种，其中，10atm％≤x≤50atm％，10atm％≤y≤90atm％。
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公开(公告)号：CN113409829B
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202010951377.0
申请日：2020-09-11
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 提供能够提高记录密度的磁头。根据实施方式，磁头包括第1屏蔽件、第2屏蔽件、磁极、第1磁性层以及第1非磁性部件。第1屏蔽件包括第1部分区域～第3部分区域。从第2部分区域朝向第3部分区域的方向沿着第1方向。第1部分区域的位置处于第2部分区域与第3部分区域的位置之间。从第1屏蔽件朝向第2屏蔽件的第2方向与第1方向交叉。磁极设置在第1部分区域与第2屏蔽件之间。磁极处于第2部分区域与第3部分区域之间。第1磁性层处于磁极与第2屏蔽件之间。第1非磁性部件包括第1部分、第2部分。第1部分处于磁极与第1磁性层之间。第2部分在第2方向上处于第2部分区域与第2屏蔽件之间。第2部分与第2部分区域电连接。
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