公开(公告)号：CN113892020A

公开(公告)日：2022-01-04

申请号：CN202080038727.2

申请日：2020-04-24

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 奥野好成 ,  武田领子 ,  涩谷纯一 ,  中尾悠基 ,  小川兼司

IPC: G01N15/00 ,  G06T7/00

Abstract: 本发明提供一种图像分析装置,其使判定对象物的图像中含有的各粒子时的判定精度提高。本发明的一个实施方式的图像分析装置具有形状判定部,其对自对象物的图像抽出的粒子图像的各粒子的形状进行判定,获得满足关于规定的形状的基准的OK粒子的OK粒子图像、以及未满足上述基准的暂定NG粒子的暂定NG粒子图像；模拟图像生成部,其通过将包括上述OK粒子图像的多个粒子图像进行重叠,从而生成模拟图像；以及是否类似判断部,其对于上述暂定NG粒子图像,判断是否与上述模拟图像类似,在判断与上述模拟图像类似时,判断上述暂定NG粒子包括上述OK粒子。

公开(公告)号：CN113474767A

公开(公告)日：2021-10-01

申请号：CN202080013528.6

申请日：2020-02-10

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 南拓也 ,  川原悠 ,  竹本真平 ,  武田领子 ,  奥野好成

IPC: G06F16/332 ,  G06F16/338 ,  G06F16/438

Abstract: 文件检索装置包括：输入接受部，接受关键字的输入；文件获取部，从存放有作为对手写文件的文件图像数据进行文字识别处理而成的文本数据的文件档案、以及写下手写文件的文字的书写者名称的数字文件数据库中，获取书写者名称以及文件档案；对应关键字获取部，参照存放有将书写者名称、关键字以及对应关键字关联的信息的对应关键字数据库，并根据通过输入接受部输入的关键字以及由文件获取部获取的书写者名称，获取被输入的关键字的对应关键字；文件检索部，利用被输入的关键字以及获取的对应关键字，对文件获取部获取的文件档案进行检索；检索结果输出部，输出文件检索部的检索结果。

公开(公告)号：CN110408988B

公开(公告)日：2021-08-27

申请号：CN201910328169.2

申请日：2019-04-23

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 金田一麟平 ,  奥野好成 ,  庄内智博

IPC: C30B25/02 ,  C30B25/12 ,  C30B29/36

Abstract: 本实施方式涉及的SiC单晶生长装置，具备：在与原料相对的位置能够设置晶种的晶种设置部；引导构件，其从所述晶种设置部的周围朝向原料延伸，引导在引导构件的内侧进行的结晶生长；和能够在所述引导构件的外侧沿着所述引导构件的延伸方向移动的绝热材料。

公开(公告)号：CN109957840B

公开(公告)日：2021-06-25

申请号：CN201811539291.6

申请日：2018-12-17

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 金田一麟平 ,  藤川阳平 ,  奥野好成

IPC: C30B29/36 ,  C30B23/02 ,  C30B31/06 ,  C30B33/00

Abstract: 本发明涉及SiC锭及SiC锭的制造方法。该SiC锭具备：芯部；和表面层，形成于所述芯部的生长方向的表面，所述表面层的线性膨胀系数比所述芯部的线性膨胀系数小。

公开(公告)号：CN112912523A

公开(公告)日：2021-06-04

申请号：CN201980070300.8

申请日：2019-10-29

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 奥野克树 ,  奥野好成

IPC: C22C1/00 ,  G06F30/27 ,  G06F30/10

Abstract: 将材料探索进行高效化。本发明的一实施方式涉及的材料探索装置具有：组成取得部，所述组成取得部取得判定对象的组成；热力学计算部，所述热力学计算部对于上述判定对象的组成，执行热力学计算；制造判定部，所述制造判定部基于对于规定的组成的上述热力学计算的结果，与表示是否能够通过上述规定的组成制造材料的制造可能性的对应关系，通过上述判定对象的组成判定是否能够制造材料；以及输出部，所述输出部输出通过上述制造判定部判定为能够进行制造的组成。

公开(公告)号：CN112585183A

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：CN201980052835.2

申请日：2019-07-11

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 仓本拓树 ,  中西健一 ,  西泽尚平 ,  奥野好成

IPC: C08G18/02 ,  C08G18/00

Abstract: 一种聚异氰脲酸酯原料组合物，其包含多官能异氰酸酯、下述式(I)所示的化合物(I)、和环氧化合物。在式(I)中，R1～R5表示氢原子、碳原子数1～10的烷氧基、碳原子数2～10的烷基(在R3～R5的情况下为碳原子数1～10的烷基)、碳原子数6～12的芳基、氨基、碳原子数1～10的单烷基氨基、碳原子数2～20的二烷基氨基、羧基、氰基、碳原子数1～10的氟代烷基、或卤原子(R1和R2不同时为氢原子)。

公开(公告)号：CN111560109A

公开(公告)日：2020-08-21

申请号：CN201911106849.6

申请日：2019-11-13

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 仓本拓树 ,  中西健一 ,  川口恭章 ,  西泽尚平 ,  奥野好成

IPC: C08G18/76 ,  C08G18/30 ,  C08G18/16 ,  C08G18/18

Abstract: 一种聚异氰脲酸酯原料组合物，其包含多官能异氰酸酯、下述式(I)所示的化合物(I)、和环氧化合物。在式(I)中，R1和R2表示氢原子。R3～R5表示氢原子、碳原子数1～10的烷基、碳原子数6～12的芳基、碳原子数1～10的烷氧基、氨基、碳原子数1～10的单烷基氨基、碳原子数2～20的二烷基氨基、羧基、氰基、碳原子数1～10的氟代烷基、或卤原子。其中，各3个的R3～R5之中，至少1个基团为氨基、碳原子数1～10的单烷基氨基、或碳原子数2～20的二烷基氨基。

公开(公告)号：CN111286785A

公开(公告)日：2020-06-16

申请号：CN201911227890.9

申请日：2019-12-04

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 金田一麟平 ,  奥野好成 ,  庄内智博

IPC: C30B29/36 ,  C30B23/02

Abstract: 一种晶体生长装置，具备坩埚和加热部，所述坩埚具有主体部和辐射率与所述主体部的辐射率不同的第1部分，且在加热时能够将内部的特定区域的温度控制成比其它区域的温度高的温度或低的温度，所述加热部位于所述坩埚的外侧，且利用辐射热来加热所述坩埚，所述第1部分位于所述坩埚与将所述加热部的加热中心和所述特定区域连结的线段交叉的位置。

公开(公告)号：CN110366575A

公开(公告)日：2019-10-22

申请号：CN201880014817.0

申请日：2018-02-06

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 南拓也 ,  奥野好成 ,  山口裕太 ,  宫坂隆太 ,  福本直也 ,  服部宽子 ,  富田浩幸 ,  濑理通夫 ,  伊藤直子 ,  太田一朗 ,  室伏克己

IPC: C08G65/331 ,  C08G65/333 ,  C10M107/38 ,  G11B5/725 ,  C10N20/04 ,  C10N30/00 ,  C10N40/18

Abstract: 本发明的含氟醚化合物由下述通式(1)表示。(在通式(1)中，X表示三价原子或三价原子团，A表示包含至少1个极性基的连接基，B表示具有全氟聚醚链的连接基，D表示极性基或末端具有极性基的取代基。)