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公开(公告)号：CN103210523B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201180052241.5
申请日：2011-11-01
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: H01M10/052 , H01M4/131 , H01M4/366 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M4/621 , H01M10/0585
Abstract: 本发明涉及一种锂二次电池的正极，其目的在于进一步提高锂二次电池的特性，提供一种正极的构成。本发明的正极包括：为板状的正极活性物质的第一层；包含所述正极活性物质的粒子和粘合剂的、与所述第一层以层叠状态接合的第二层。
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公开(公告)号：CN113574215B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN201980081631.1
申请日：2019-09-30
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C30B29/16 , H01L21/365
Abstract: 本发明提供高品质的基底基板，其具备用于13族元素的氮化物或氧化物结晶生长的取向层，该取向层中的结晶缺陷(位错)显著降低。该基底基板具备用于13族元素的氮化物或氧化物结晶生长的取向层。取向层的用于结晶生长一侧的表面由具有a轴长度和/或c轴长度比蓝宝石的a轴长度和/或c轴长度大的刚玉型结晶结构的材料构成。取向层包含：含有选自由α－Al2O3、α－Cr2O3、α－Fe2O3、α－Ti2O3、α－V2O3及α－Rh2O3构成的组中的2种以上的固溶体。
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公开(公告)号：CN114423883B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN201980098097.5
申请日：2019-09-30
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C23C16/40 , H01L21/365 , H01L21/368
Abstract: 对于本发明的α－Ga2O3系半导体膜，在测定平面阴极发光的强度映射的各测定点处求出波长250nm以上365nm以下的范围内的最大发光强度A，并求出全部测定点的最大发光强度A按从大到小排序时的前5％的平均值X，此时，存在最大发光强度A为X的0.6倍以下的测定点(暗斑)。
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公开(公告)号：CN111278792B
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN201880055098.7
申请日：2018-10-24
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B35/645 , C04B35/111
Abstract: 本发明的取向陶瓷烧结体的制法包括如下工序：(a)制作烧成为取向陶瓷烧结体之前的陶瓷成型体；和(b)用一对脱模片夹持陶瓷成型体并配置于热压烧成炉内，一边利用一对冲头隔着一对脱模片对陶瓷成型体进行加压一边进行热压烧成，从而得到取向陶瓷烧结体。脱模片在以厚度为75μm且表面的算术平均粗糙度Ra为0.03μm的PET膜进行夹持后，载置于厚度为10mm且表面的算术平均粗糙度Ra为0.29μm的不锈钢板上并进行真空包装，以200kg/cm2进行等静压压制后，脱模片的与不锈钢板侧相反一侧的面的截面曲线的最大截面高度Pt为0.8μm以下。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN114423883A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN201980098097.5
申请日：2019-09-30
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C23C16/40 , H01L21/365 , H01L21/368
Abstract: 对于本发明的α－Ga2O3系半导体膜，在测定平面阴极发光的强度映射的各测定点处求出波长250nm以上365nm以下的范围内的最大发光强度A，并求出全部测定点的最大发光强度A按从大到小排序时的前5％的平均值X，此时，存在最大发光强度A为X的0.6倍以下的测定点(暗斑)。
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公开(公告)号：CN105658849B
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201580001462.8
申请日：2015-06-25
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 本发明提供一种氮化镓自立基板，由在大致法线方向具有单晶结构的板形成，所述板由多个氮化镓系单晶粒子构成。该氮化镓自立基板可以通过包含如下工序的方法制造：准备取向多晶烧结体，在取向多晶烧结体上形成包含氮化镓的晶种层，形成的晶种层的晶体取向与取向多晶烧结体的晶体取向基本一致，在晶种层上，形成厚度20μm以上的由氮化镓系结晶构成的层，形成的由氮化镓系结晶构成的层的晶体取向与晶种层的晶体取向基本一致，除去取向多晶烧结体，得到氮化镓自立基板。根据本发明，能够提供廉价且适合大面积化、作为氮化镓单晶基板的替代材料有用的氮化镓自立基板。
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公开(公告)号：CN105556685B
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201580001916.1
申请日：2015-03-23
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: H01L33/32 , C30B9/12 , C30B19/02 , C30B19/12 , C30B25/18 , C30B28/04 , C30B29/38 , C30B29/406 , C30B29/605 , H01L33/16
Abstract: 本发明提供一种由在大致法线方向上沿特定结晶方位取向的多个氮化镓系单晶粒子构成的多晶氮化镓自立基板。该自立基板的基板表面的利用电子背散射衍射法(EBSD)的反极图成像测定的各氮化镓系单晶粒子的结晶方位按照相对于特定结晶方位以各种角度倾斜的方式分布，其平均倾斜角为1～10°。此外，本发明的发光元件包括所述自立基板和形成于基板上的发光功能层，该发光功能层具有一层以上的在大致法线方向具有单晶结构的由多个半导体单晶粒子构成的层。根据本发明，可以提供能够降低基板表面的缺陷密度的多晶氮化镓自立基板。此外，使用本发明的多晶氮化镓自立基板也可以提供能够获得高发光效率的发光元件。
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公开(公告)号：CN103210524A
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201180054938.6
申请日：2011-11-01
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: H01M10/052 , H01M4/131 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M4/621 , H01M4/623 , H01M10/0585 , Y02E60/122
Abstract: 本发明涉及一种锂二次电池的正极，其目的在于提供一种能够进一步提高锂二次电池的特性的正极的构成。本发明的正极包括：导电性的正极集电体；正极活性物质构成的多个板状粒子，混入比所述板状粒子小的由所述正极活性物质构成的微粒子的粘合材料。板状粒子形成为高宽比为4～50。板状粒子配置为覆盖正极集电体的表面的85～98%。粘合材料介于相邻的板状粒子之间而设置。
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