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公开(公告)号:CN107431234A
公开(公告)日:2017-12-01
申请号:CN201680017758.3
申请日:2016-03-24
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: H01M10/052 , H01M2/16 , H01M4/133 , H01M4/134 , H01M4/36 , H01M4/38 , H01M4/48 , H01M10/0566 , H01M10/058
CPC classification number: H01M10/0525 , B60L11/1879 , H01M2/16 , H01M2/1653 , H01M4/131 , H01M4/133 , H01M4/134 , H01M4/364 , H01M4/38 , H01M4/386 , H01M4/48 , H01M4/483 , H01M4/587 , H01M10/058 , H01M2004/027 , H01M2220/20
Abstract: 提供一种高安全性/高能量密度的电池,其中通过在负极活性材料中使用大量金属材料以提高能量密度,解决了当可由负极碳材料接受的锂量小于可由正极活性材料释放的锂量时对于安全性的担忧。本发明涉及一种锂离子二次电池,其中正极具有3mAh/cm2以上的每单位面积充电容量,负极包含碳和金属和/或金属氧化物作为负极活性材料,负极中的碳的可接受的锂量小于从正极可释放的锂量,且隔膜在电解质中在所述电解质的沸点下具有3%以下的热收缩率。
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公开(公告)号:CN1894822B
公开(公告)日:2010-06-02
申请号:CN200480037448.5
申请日:2004-12-14
Applicant: 日本电气株式会社
CPC classification number: H01M10/0567 , H01M4/485 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M10/052
Abstract: 本发明提供具有优良特性如能量密度和电动势且循环寿命和储存稳定性优良的锂二次电池。该二次电池包括正极,负极和包含至少溶解有电解质的非质子溶剂的电解液,其中正极包含具有尖晶石结构的锂锰复合氧化物作为正极活性物质,且电解液包含通式(1)所表示的化合物。
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公开(公告)号:CN1701459A
公开(公告)日:2005-11-23
申请号:CN03812759.8
申请日:2003-06-06
Applicant: 日本电气株式会社
CPC classification number: H01M10/0569 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M4/587 , H01M10/052 , H01M10/0525 , H01M2004/028 , H01M2300/0037
Abstract: 本发明提供一种二次电池,使用相对于Li具有4.5V以上的平均放电电位的正极活性物质,并且作为构成电解液的溶剂,使用组合了碳酸乙烯酯等高介电常数溶剂和碳酸二甲酯或碳酸甲乙酯的至少一种的溶剂。该二次电池在抑制伴随着循环产生的容量降低、高温下的可靠性的降低的同时,实现了高动作电压。
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公开(公告)号:CN1430298A
公开(公告)日:2003-07-16
申请号:CN02154258.9
申请日:2002-11-27
Applicant: 日本电气株式会社
CPC classification number: H01M4/505 , C01G45/1242 , C01G53/52 , C01P2002/20 , C01P2002/32 , C01P2002/52 , C01P2006/40 , H01M4/485 , H01M4/525 , H01M10/052
Abstract: 用于锂离子二次电池的阴极活性材料,包括由下述通式表示的尖晶石锂锰复合氧化物:Lia(NixMn2-x-q-rQqRr)O4,其中0.4≤x≤0.6,0<q,0≤r,x+q+r<2,0<a<1.2,Q是至少一种选自Na、K和Ca的元素,并且R是至少一种选自Li、Be、B、Mg和Al的元素。
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公开(公告)号:CN111095617B
公开(公告)日:2024-05-17
申请号:CN201880054338.1
申请日:2018-08-17
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: H01M4/134 , H01M4/38 , H01M4/62 , H01M4/66 , H01M10/052 , H01M10/0567
Abstract: 提供一种具有高能量密度和优异循环特性的锂离子二次电池。本发明涉及一种锂离子二次电池用负极,所述负极包含负极集电器和负极混合物层,所述负极混合物层包含负极活性材料和负极粘合剂,其中所述负极活性材料包含含硅的合金(Si合金)。所述Si合金是结晶的并且其中值粒径(D50粒径)为小于或等于1.2μm,并且所述负极混合物层中包含的所述负极粘合剂的比率按重量计为12~50重量%。
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公开(公告)号:CN110036521B
公开(公告)日:2022-11-15
申请号:CN201780074563.7
申请日:2017-11-30
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: H01M10/052 , H01M4/38 , H01M4/48 , H01M4/525 , H01M10/0568 , H01M10/0569 , H01M10/0585
Abstract: 本发明的一个实施方式的目的是提供具有改善的寿命特性的锂离子二次电池。根据本发明的第一锂离子二次电池的特征在于,包含:含有砜化合物、含氟醚化合物和LiN(FSO2)2的电解液;和含有硅材料的负极,其中电解液中LiN(FSO2)2的含量为大于5重量%且20重量%以下。
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公开(公告)号:CN108292779A
公开(公告)日:2018-07-17
申请号:CN201680069771.3
申请日:2016-11-29
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: H01M10/052 , H01M4/38 , H01M4/48 , H01M4/62 , H01M10/0567 , H01M10/058
CPC classification number: H01M4/38 , H01M4/48 , H01M4/62 , H01M10/052 , H01M10/0567 , H01M10/058
Abstract: 如果用于负极活性材料的硅材料的粒径小,则其大的表面积容易引起活性材料与电解质溶剂之间的副反应发生,并且锂离子二次电池的循环特性降低。为了改进循环特性,根据本发明的锂离子二次电池是这样的锂离子二次电池,其具有:包含含有硅作为构成元素的材料和聚丙烯酸的负极;和含有氟代碳酸亚乙酯的电解质,并且其特征在于所述含有硅作为构成元素的材料的50%粒径为2μm以下。
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公开(公告)号:CN103503208B
公开(公告)日:2016-03-23
申请号:CN201280020840.3
申请日:2012-04-27
Applicant: 日本电气株式会社
Abstract: 本发明提供锂二次电池用负极活性物质,所述物质具有活性物质用粘合剂的功能并且能够与锂离子稳定进行可逆反应。另外,本发明提供能量密度提高并且充放电稳定的长寿命锂二次电池,以及其制造方法。所述锂二次电池用负极活性物质是由式(1)(其中,R1和R2独立地表示烷基、烷氧基、酰基、苯基或苯氧基)表示的聚酰亚胺。
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公开(公告)号:CN102694208B
公开(公告)日:2016-03-16
申请号:CN201210082394.0
申请日:2012-03-26
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: H01M10/0585 , H01M4/13
CPC classification number: H01M2/02 , H01M2/0212 , H01M2/12 , H01M2/1235 , H01M2/1247 , H01M2/1252 , H01M10/0525 , Y02E60/122 , Y02P70/54 , Y10T29/49112
Abstract: 二次电池。根据本示例性实施例的二次电池是包括叠层电极体和外壳的二次电池,该叠层电极体设有至少一对正电极和负电极,该外壳容纳叠层电极体,其中外壳包括一个或更多个凹进部,该一个或更多个凹进部在对应于叠层电极体的最外层的电极表面的外边缘的边界的内部,在面对电极表面的表面上,并且其中,当具有边界的内部面积的一半面积的带形外周区域被设置在边界的内部时,凹进部中的至少一个凹进部位于外周区域的内部。
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公开(公告)号:CN103563132A
公开(公告)日:2014-02-05
申请号:CN201280025943.9
申请日:2012-04-06
Applicant: 日本电气株式会社
CPC classification number: H01M4/0459 , H01M4/134 , H01M4/1395 , H01M4/485 , Y02E60/122 , Y02P70/54
Abstract: 本发明示例性实施方式的目的是提供一种具有优异循环性能的负极。本发明的示例性实施方式是一种在制造包含硅氧化物作为活性物质的锂二次电池用负极之后才掺杂和脱掺杂锂的方法,其包括在如下电流值范围(A)内并在如下掺杂量范围(B)内掺杂锂;电流值范围(A):在V-dQ/dV曲线上在1V以下仅出现一个峰的掺杂量变得最大的电流值范围,其中所述V-dQ/dV曲线表示所述负极相对于锂参比电极的电压V与dQ/dV之间的关系,所述dQ/dV是所述负极中的锂脱掺杂量Q的变化量dQ对所述电压V的变化量dV的比例,以及掺杂量范围(B):在所述V-dQ/dV曲线上在1V以下仅出现一个峰的掺杂量范围。
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