公开(公告)号：CN119742105A

公开(公告)日：2025-04-01

申请号：CN202411340721.7

申请日：2024-09-25

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 藤野望 ,  鸦田泰介

IPC: H01B5/14 ,  B32B27/06 ,  B32B27/36 ,  B32B33/00 ,  B32B3/30 ,  C08J7/04 ,  C09D167/00 ,  C09D7/61 ,  C23C14/35 ,  C23C14/08 ,  C08L67/02

Abstract: 本发明提供一种层叠体，其具备兼具较低的电阻率和对于基底层的优异的密合性的透明导电层。层叠体(1)具备：基底层(3)；以及结晶质的透明导电层(4)，配置于基底层(3)的厚度方向的一方侧。基底层(3)包含树脂。透明导电层(4)的厚度方向的一方的面(41)具备高度为3nm以上的多个第一隆起(42)。基底层(3)的一方的面(31)具备高度为3nm以上的至少一个第二隆起(32)。第一隆起(42)具备至少一个在厚度方向投影时与第二隆起(32)不重合的非重复性第一隆起(47)。第一隆起(42)具备至少一个在厚度方向投影时与第二隆起(32)重合的重复性第一隆起(48)。

公开(公告)号：CN118782295A

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202410797541.5

申请日：2022-08-04

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 藤野望 ,  鸦田泰介

IPC: H01B5/14 ,  B32B27/06 ,  B32B27/36 ,  B32B33/00 ,  B32B3/30 ,  C08J7/04 ,  C09D133/00 ,  C23C14/35 ,  C23C14/08 ,  C08L67/02

Abstract: 层叠体(1)具备基底层(3)、以及与基底层(3)的厚度方向的一个面(31)邻接的结晶质的透明导电层(4)。基底层(3)包含树脂。透明导电层(4)的厚度方向的一个面(41)具备高度为3nm以上的第一隆起(42)。基底层(3)的一个面(31)任选具备高度为3nm以上的第二隆起(32)，第二隆起(32)在厚度方向上投影时不与第一隆起(42)重合。

公开(公告)号：CN118737529A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202410372215.X

申请日：2024-03-29

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 藤野望 ,  田边凌祐

IPC: H01B5/14 ,  H01B1/08

Abstract: 提供透光性导电层及透光性导电性片。透光性导电层(3)具备在厚度方向上彼此相对的第1主面(11)及第2主面(12)。其朝向厚度方向一侧依次具备包含第1主面(11)的第1区域(21)和包含第2主面(12)的第2区域(22)。第1区域(21)的主要区域为非晶质。第2区域(22)的主要区域为结晶质。第1区域(21)具有不均匀的厚度。

公开(公告)号：CN118737524A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202410362669.9

申请日：2024-03-28

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 田边凌祐 ,  竹安智宏 ,  藤野望 ,  鸦田泰介

IPC: H01B5/14

Abstract: 一种透明导电性薄膜。本发明的透明导电性薄膜(X)沿着厚度方向(H)依次具备透明基材(10)和透明导电层(20)。透明导电层(20)具有100nm以上的厚度。透明导电层(20)从透明基材(10)侧起依次具有非晶质层(21)和结晶质层(22)。非晶质层(21)具有30nm以上的厚度。结晶质层(22)的厚度相对于透明导电层(20)的厚度的比例为15％以上。

公开(公告)号：CN118675794A

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202410291820.4

申请日：2024-03-14

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 鸦田泰介 ,  藤野望

IPC: H01B5/14

Abstract: 本发明涉及透明导电性薄膜。透明导电性薄膜(1)朝着厚度方向一侧依次具备基材层(2)和透明导电层(3)。对于利用热机械分析装置测定的尺寸变化率，基材层(2)或透明导电性薄膜(1)在30℃以上且140℃以下之间具有峰。尺寸变化率为：在与厚度方向正交的面方向上，基材层(2)或透明导电性薄膜(1)在与165℃下加热处理60分钟后的热收缩率为最大的方向正交的方向上的尺寸变化率。透明导电层(3)含有原子序数比氩大的稀有气体原子。

公开(公告)号：CN115315758B

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN202180021801.4

申请日：2021-03-18

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 藤野望 ,  鸦田泰介

IPC: H01B5/14 ,  B32B9/04 ,  B32B9/00 ,  H01L31/0224 ,  H01B5/16 ,  H01B13/00 ,  C23C14/08 ,  C23C14/20 ,  C23C14/34 ,  H01Q1/38 ,  H01Q1/52 ,  H05K9/00 ,  B32B7/00 ,  B32B7/022 ,  B32B7/023 ,  B32B7/025 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1343 ,  G06F3/041

Abstract: 本发明的透明导电性薄膜(X)沿着厚度方向(D)依次具备树脂薄膜(11)和透光性导电层(20)。透光性导电层(20)在与厚度方向(D)正交的面内第一方向具有第一压缩残留应力，且在与厚度方向(D)和面内第一方向分别正交的面内第二方向具有比第一压缩残留应力小的第二压缩残留应力。第二压缩残留应力相对于第一压缩残留应力的比率为0.82以下。

公开(公告)号：CN116848593A

公开(公告)日：2023-10-03

申请号：CN202280013108.7

申请日：2022-09-14

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 藤野望 ,  鸦田泰介

IPC: H01B1/20

Abstract: 透明导电层(1A)含有原子序数比氩大的稀有气体。透明导电层(1B)的厚度超过40nm。对透明导电层(1A、1B)进行X射线衍射时的(440)面的峰的半值宽度超过0.27度。

公开(公告)号：CN116547139A

公开(公告)日：2023-08-04

申请号：CN202280007620.0

申请日：2022-09-14

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 藤野望 ,  鸦田泰介

IPC: B32B7/023

Abstract: 本发明的透明导电性薄膜(X)在厚度方向(D)依次具备透明树脂基材(10)和结晶质的透明导电层(20)。透明导电层(20)包含氧化锡比例不足10质量％的铟锡复合氧化物层。透明导电层(20)具有第1电阻值R1(Ω/□)，在160℃且30分钟的加热条件下的加热处理后具有第2电阻值R2(Ω/□)。第1电阻值R1与第2电阻值R2的差R1‑R2为1.5Ω/□以上。

公开(公告)号：CN115666928A

公开(公告)日：2023-01-31

申请号：CN202180038417.5

申请日：2021-04-28

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 藤野望

IPC: B32B7/025 ,  B32B7/023 ,  G06F3/041

Abstract: 透光性导电性片1朝着厚度方向的一面侧依次具备基材片2和透光性导电层3。透光性导电层3朝着厚度方向的一面侧依次包含第一区域6和第二区域7。第一区域6的主要区域为非晶质。第二区域7为结晶质。第二区域7厚于第一区域6的区域。透光性导电层3的厚度超过30nm。

公开(公告)号：CN115428100A

公开(公告)日：2022-12-02

申请号：CN202180029708.8

申请日：2021-03-18

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 藤野望 ,  鸦田泰介

IPC: H01B5/14 ,  H05K9/00 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1343 ,  G06F3/041 ,  B32B27/36 ,  B32B27/06 ,  B32B33/00

Abstract: 透光性导电薄膜(10)沿着厚度方向依次具备树脂层(11)和透光性导电层(1)。透光性导电层(1)具有第一主面(2)、以及在第一主面(2)的厚度方向的一面侧隔着间隔相对配置的第二主面(3)。第一主面(2)或第二主面(3)接触树脂层(11)。透光性导电层(1)具有在面方向上延伸的单一层。透光性导电层(1)包含导电性氧化物。导电性氧化物含有氩和原子序数比氩大的稀有气体。