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发明公开
导电性薄膜的制造方法有权

公开(公告)号：CN111210944A

公开(公告)日：2020-05-29

申请号：CN201911147533.1

申请日：2019-11-21

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 竹安智宏 , 鹰尾宽行 , 西岛仁志

IPC: H01B13/00 , H01B5/14

Abstract: 本发明提供导电性薄膜的制造方法，提供使用载体薄膜制作带金属层的导电性薄膜时，制造金属层的图案化精度良好的导电性薄膜的方法。导电性薄膜(1)的制造方法具备下述工序：准备层叠体(2)的准备工序，所述层叠体(2)具备：依次具备透明基材(5)、第1透明导电层(7)及第1金属层(8)的中间薄膜(3)、和配置于中间薄膜(3)的载体薄膜(4)；及去除工序，对第1金属层(8)实施干洗处理而去除源自载体薄膜(4)的成分。

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