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公开(公告)号：CN118555852A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410305712.8
申请日：2024-03-18
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本发明公开了一种用于QLED的自组装单层膜及其制备方法及蓝光QLED，所述自组装单层膜由吸电子基取代的苯硼酸附着至ITO阳极玻璃表面形成，所述吸电子基为‑CN、‑COOMe、‑NO2、‑C3‑nFn,1≤n≤3中的一种或几种组合，所述吸电子基数量为1～3个。使用这些苯硼酸对QLED的ITO阳极玻璃表面进行处理，在ITO和空穴注入层之间构建新型SAM层，有助于提高ITO表面功函数，平衡发光器件的缺陷和功函数，提高发光器件的亮度和外量子效率。
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公开(公告)号：CN115312618A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202211130171.7
申请日：2022-09-15
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/18 , H01L31/032
Abstract: 本发明公开了一种基于PN异质结的日盲紫外光电探测器及其制备方法，探测器包括基底、P型传输层和阴极，所述基底与所述P型传输层之间设有阳极，所述P型传输层与所述阴极之间设有铜基卤化物；制备方法包括：对基底进行清洗和干燥；对干燥后的基底进行紫外臭氧处理；利用热蒸镀法制备阳极；在阳极上旋涂P型传输层；在P型传输层上旋涂铜基卤化物前驱体溶液和反溶剂，进行退火，制得铜基卤化物薄膜；利用热蒸镀法制备阴极，制得基于PN异质结的日盲紫外光电探测器。本发明制备的探测器能够降低器件的暗电流，提高响应速度和响应度，且具有环保的优点。
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公开(公告)号：CN117412647A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202311464027.1
申请日：2023-11-06
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本发明公开了一种基于非铅钙钛矿光学薄膜的显示背光模组及制备方法，属于背光模组领域。该制备方法，包括：在N,N‑二甲基甲酰胺和二甲基亚砜混合溶液中，加入碘化铯和碘化亚铜，并进行充分搅拌；将Cs3Cu2I5与CsCu2I3混合溶液加热搅拌至溶解，得到前驱体溶液；取上述非铅钙钛矿前驱体溶液，旋涂于电子传输层和导光层组合区域中；向所述组合区域的顶部滴加反溶剂以辅助结晶形成薄膜；进行退火，使溶剂蒸发，得到光学薄膜。本发明的显示背光模组将两种发光模式结合，可以产生高亮度和高色纯度的光线。这些光线经过增透膜的汇聚与整合，形成了背光模组并提高了显示屏的亮度和发光均匀度，从而改善了显示屏的显示效果，具有发光效率高，色纯度高、环境友好的特点。
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公开(公告)号：CN117355159A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311299189.4
申请日：2023-10-09
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: H10K50/11 , H10K50/12 , H10K50/84 , H10K85/50 , H10K71/30 , H10K71/12 , C30B29/22 , H10K85/60 , H10K85/10
Abstract: 本发明公开一种基于聚合物渗透抗溶剂结晶法的钙钛矿发光二极管，属于发光二极管技术领域；一种基于聚合物渗透抗溶剂结晶法的钙钛矿发光二极管包括：玻璃、ITO导电层、空穴注入层、空穴传输层、钙钛矿发光层、电子传输层、电极修饰层和金属电极；所述钙钛矿发光层由钙钛矿前体溶液和经聚合物掺杂的反溶剂通过抗溶剂结晶法在室温下制备于空穴传输层上侧面；本发明采用聚合物渗透抗溶剂结晶法，将聚合物通过反溶剂渗透进入钙钛矿层中，其中的特殊聚合物链可以与钙钛矿形成相互作用的化学键从而延缓钙钛矿晶粒的生长，最终达到钙钛矿薄膜缺陷钝化和晶体生长调节的双重效果。
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公开(公告)号：CN117202688A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311305574.5
申请日：2023-10-10
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本发明公开基于双重钝化策略的非铅钙钛矿发光二极管及其制备方法，属于发光二极管技术领域；基于双重钝化策略的非铅钙钛矿发光二极管包括从下至上依次包括：ITO导电玻璃、空穴注入层、空穴传输层、非铅钙钛矿发光层、电子传输层、电极修饰层和金属电极；所述非铅钙钛矿发光层由经过双重钝化后的非铅钙钛矿前驱体溶液旋涂于空穴传输层表面；经过双重钝化后的非铅钙钛矿前驱体溶液由PEA、PFMA阳离子中的任意一种以及EDA、PEI、TFA阴离子中的任意一种，通过与CsI、CuI、CsCl、CuCl、CsBr、CuBr中的任意两种固体，以0.1‑0.8M的浓度溶解于N,N‑二甲基甲酰胺、二甲基亚砜中的一种或两种而配置得到，可以同时对非铅铜基钙钛矿中固有的铜离子缺陷和卤化物缺陷进行双重钝化。
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公开(公告)号：CN117059458A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202311002981.9
申请日：2023-08-10
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本发明公开了一种垂直结构的钙钛矿基纳米空气沟道晶体管及制备方法，包括自下往上依次连接的第一绝缘层、发射极、中间层和收集极，中间层包括自下往上依次连接的第二绝缘层、第一栅极和第三绝缘层；中间层上设有通孔结构，以使得所述发射极、中间层和收集极之间形成一个真空沟道，且发射极上设置有钙钛矿纳米线。本发明使用了钙钛矿纳米线作为发射材料，可以有效提升发射电流密度，弥补现有场发射器件的劣势。此外，电子在真空沟道中运动，能够缓解甚至避免太空辐射带来的影响的，具有耐高温、抗辐照的特性。
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公开(公告)号：CN116314523A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310009528.4
申请日：2023-01-04
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本发明公开一种碱离子钝化的非铅钙钛矿发光二极管及其制备方法，属于发光二极管技术领域，本发明的发光二极管从下至上依次包括ITO导电玻璃、空穴注入层、空穴传输层、非铅钙钛矿发光层、电子传输层、电极修饰层和金属电极。本发明还提供了所述非铅钙钛矿发光二极管的制备方法。本发明的非铅钙钛矿发光层由碱离子钝化的非铅钙钛矿前驱体溶液和反溶剂通过抗溶剂结晶法制备而成，通过引入碱离子以抑制非铅钙钛矿薄膜表面和晶界中的非辐射复合损失来增强发光效率，提高了非铅钙钛矿发光二极管器件的光电性能。
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公开(公告)号：CN115718080A
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202211556834.1
申请日：2022-12-06
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: G01N21/35 , G06N3/0464
Abstract: 本发明公开了一种基于红外光谱技术的肿瘤类器官成熟度检测系统及检测方法，所述检测系统包括检测仓、红外光源、红外光谱传感器、固定支架和用于放置类器官细胞培养板的位移平台，位移平台中心为通孔，用于光谱透射和校对类器官样本对准位置，红外光谱传感器位于位移平台下方，与红外光源准直；红外光谱传感器与嵌入式控制模块，将收集的光信号转换为电信号输入嵌入式系统。本发明解决了现有类器官检验实时监测量化困难的问题，具有自动定位、保证培育环境、检测鉴定类器官培育的成熟阶段、监测类器官的分化和量化生长进度的功能。
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公开(公告)号：CN119008360A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411096031.1
申请日：2024-08-12
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本发明提供了一种蜂窝状碳纳米阵列的X射线管和制备方法，所述X射线管包括阴极、栅极及阳极；本发明采用新型蜂窝状碳纳米阵列作为X射线管的发射材料，依据场致发射原理，使其无需加热，响应时间能达到微秒级；并且蜂窝状的阵列使碳纳米管依靠彼此间的范德华力，克服场屏蔽效应，有效提升发射电流，提高成像质量；由于碳纳米管具有更高长径比，导电性更好，有效提升发射电流密度；所述结构可以通过改变对栅极施加的电场强度的大小来调控电子运动轨迹等参数。本结构采用新型蜂窝状碳纳米阵列作为阴极发射材料，具有发射电流大、电子运动轨迹可调的特点，并且结构简单易于加工，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN118090867A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410494694.2
申请日：2024-04-24
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: G01N27/414
Abstract: 本发明公开了一种FET氢气传感器及其制备方法，涉及氢气检测设备技术领域，旨在解决现有技术中氢气传感器存在响应时间长、低灵敏度、高浓度检测分辨率低、成本高、选择性不足等问题，所述氢气传感器从下到上依次包括衬底、沟道层、栅介质层、FET电极、隔离层、缓冲层、氢气感应层和叉指电极，还提供氢气传感器的制备方法。本发明可提供多种氢气检测方案，从而有效实现低浓度氢气的高分辨率检测，具有广阔的应用场景。
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