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公开(公告)号:CN101165877B
公开(公告)日:2012-01-11
申请号:CN200710181938.8
申请日:2007-10-17
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor: 古田健次
IPC: H01L21/78 , B23K26/38 , B23K26/40 , B23K101/40
CPC classification number: B23K26/16 , B23K26/18 , B23K26/40 , B23K2103/50
Abstract: 本发明提供一种砷化镓晶片的激光加工方法,在通过沿着砷化镓(GaAs)晶片的间隔道照射激光光线进行烧蚀加工,来沿着间隔道切断砷化镓(GaAs)晶片时,能够使由于照射激光光线而产生的碎屑附着在切断面上。所述加工方法是沿着在砷化镓基板的表面上形成为格子状的间隔道照射激光光线,从而沿着间隔道切断砷化镓晶片的方法,其包括:晶片支承工序,将砷化镓基板的背面粘贴在保护部件上;碎屑屏蔽膜覆盖工序,在砷化镓基板的表面上覆盖碎屑屏蔽膜;激光加工槽形成工序,在砷化镓基板上从碎屑屏蔽膜侧,沿着间隔道照射激光光线,形成不到达背面的激光加工槽;以及切断工序,在砷化镓基板上沿着激光加工槽照射激光光线,形成到达背面的切断槽。
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公开(公告)号:CN101658977A
公开(公告)日:2010-03-03
申请号:CN200910163334.X
申请日:2009-08-13
Applicant: 株式会社迪思科
CPC classification number: B23K26/046 , B23K2101/40
Abstract: 本发明提供一种激光加工装置和激光加工方法,能够与工件厚度无关地对激光束的聚光点位置进行实时修正,既使对于激光束照射区域的表面位移不恒定的工件,也能高精度地实施加工,无需预先对工件的表面位移进行测量。上述激光加工装置根据利用表面位移检测构件检测出的工件(10)的表面位移,利用聚光点位置调整构件对设于加工构件的聚光透镜(33)的位置进行调整,并从加工构件对保持于保持构件的工件照射加工用激光束,在上述激光加工装置中,设于表面位移检测构件的检测用光源(41)能振荡出与激光束不同的多种波长的光,在波长选择部(45),从这多种波长中选择用作检测用光的一种波长,用聚光透镜使该选定的波长的检测用光会聚然后向工件照射。
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公开(公告)号:CN111745313B
公开(公告)日:2024-05-07
申请号:CN202010185530.3
申请日:2020-03-17
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor: 古田健次
IPC: B23K26/70
Abstract: 提供检查用基板和检查方法,用于对激光束的漏光进行检查,以便定量地评价漏光所到达的区域。该检查用基板用于对激光束的漏光进行检查,其中,该检查用基板具有:供具有透过检查用基板的波长的激光束照射的一个面;与一个面相反的一侧的另一个面;设置于另一个面上的间隔道;多条第1检查用布线,它们在另一个面上分别沿着间隔道配置于距离间隔道不同的距离处;以及多个第1电极垫,它们在另一个面上在多条第1检查用布线上分别设置两个以上,并在多条第1检查用布线上分别在沿着间隔道的方向上分开而配置。
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公开(公告)号:CN110625275B
公开(公告)日:2023-08-01
申请号:CN201910526976.5
申请日:2019-06-18
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor: 古田健次
IPC: B23K26/53 , B23K26/064 , B23K26/066 , B23K26/08 , B23K26/70
Abstract: 提供激光加工装置,即使将聚光点定位于比较窄的分割预定线的内部而照射激光光线以形成改质层,也不会使器件损伤。激光加工装置的激光光线照射单元(6)包含:激光振荡器(30),其射出对于晶片(72)具有透过性的波长的脉冲激光光线(LB);聚光器(32),其使激光振荡器(30)射出的脉冲激光光线(LB)会聚于卡盘工作台(4)所保持的晶片(72);分支部(34),其配设在激光振荡器(30)与聚光器(32)之间,对激光振荡器(30)射出的脉冲激光光线(LB)进行分支而在X轴方向上生成至少两个聚光光斑;以及掩模部(36),其配设在激光振荡器(30)与聚光器(32)之间,使激光振荡器(30)射出的脉冲激光光线(LB)的聚光光斑在Y轴方向上缩小而收敛在分割预定线(74)的宽度内。
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公开(公告)号:CN109309047B
公开(公告)日:2023-05-26
申请号:CN201810826147.4
申请日:2018-07-25
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor: 卡尔·海因茨·普利瓦西尔 , 星野仁志 , 古田健次
IPC: H01L21/78
Abstract: 处理衬底的方法。本发明涉及一种处理衬底(2)的方法,该衬底具有第一表面(2a)和与第一表面(2a)相反的第二表面(2b),其中,衬底(2)在第一表面(2a)上具有器件区域(20),该器件区域具有通过多条分割线(22)分隔开的多个器件(21)。方法包括以下步骤:从第一表面(2a)的一侧向具有100μm或更大的厚度的衬底(2)施加用脉冲激光束(LB),其中,在脉冲激光束(LB)的焦点(P)被定位成沿从第一表面(2a)朝向第二表面(2b)的方向与第一表面(2a)隔开距离的情况下,脉冲激光束(LB)至少在沿着各个分割线(22)的多个位置被施加于衬底(2)。
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公开(公告)号:CN108723584B
公开(公告)日:2021-11-16
申请号:CN201810341730.6
申请日:2018-04-17
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor: 古田健次
Abstract: 提供高度位置检测单元的评价用治具和评价方法。评价用治具(1)是激光加工装置(10)的高度位置检测单元的评价用治具,该激光加工装置(10)具有:对晶片进行保持的卡盘工作台(20);照射加工用激光光线的激光光线照射单元(30);使加工用激光光线的聚光点位置移位的聚光点位置调整单元;对晶片照射检测用激光光线而对背面的Z轴方向的位置进行检测的高度位置检测单元;以及对聚光点位置调整单元进行控制的控制单元(100)。评价用治具(1)具有:被照射检测用激光光线的被照射面(2‑1);使被照射面(2‑1)在Z轴方向上移动的致动器;对致动器进行支承并载置于保持面(21)的基台部(4);以及对致动器的移动进行控制的控制部(120)。
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公开(公告)号:CN105514036B
公开(公告)日:2019-09-06
申请号:CN201510640532.6
申请日:2015-09-30
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 本发明提供一种晶片的加工方法,包括:晶片支撑工序,在晶片的背面贴附切割带的正面并通过环状框架支撑切割带的外周部;晶片保持工序,在保持台的保持面上保持晶片的正面侧,并且通过框架夹钳固定环状框架;环状改质层形成工序,从切割带的背面侧透过切割带,将激光光线的聚光点定位于器件区域与外周剩余区域之间的边界部的内部并沿着器件区域与外周剩余区域之间的边界部照射激光光线,在晶片的内部沿着器件区域与外周剩余区域之间的边界部形成环状的改质层的环状改质层形成工序;以及改质层形成工序,从切割带的背面侧透过切割带将激光光线的聚光点定位于晶片的内部并沿着分割预定线照射激光光线,在晶片的内部沿着分割预定线形成改质层。
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公开(公告)号:CN104009001B
公开(公告)日:2018-09-11
申请号:CN201410056892.7
申请日:2014-02-19
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor: 古田健次
IPC: H01L21/683 , H01L21/78 , B23K26/38
Abstract: 本发明提供层叠晶片的加工方法和粘合片,在晶片上层叠多个芯片的层叠晶片中,在将芯片侧粘贴在粘合片上的状态下,也能够可靠地将晶片分割成各个层叠芯片。将在糊层(22)上与层叠晶片(1)的外周剩余区域(1B)对应地形成有突起部(3)的粘合片(2)的糊层(22)粘贴在层叠晶片(1)的芯片(15)上,将突起部(3)与外周剩余区域(1B)对应地粘贴在晶片(10)的表面(10a)上,通过突起部(3)支撑晶片(10)的外周剩余区域(1B)。在该状态下,形成沿着分割预定线(11)的对晶片(10)的分割起点(改质层10c),通过粘合片(2)的扩张对晶片(10)施加外力,由此,最外周部的层叠芯片(1c)也能够与其他的层叠芯片(1c)同样地进行分割。
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公开(公告)号:CN105689888A
公开(公告)日:2016-06-22
申请号:CN201510891092.1
申请日:2015-12-07
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: B23K26/03 , B23K26/0622
CPC classification number: B23K26/03
Abstract: 激光加工装置以及晶片的加工方法。激光加工装置具有:具有保持被加工物的保持面的被加工物保持构件;对保持在被加工物保持构件上的被加工物照射激光光线的激光光线照射构件;使被加工物保持构件与激光光线照射构件相对移动的移动构件;对保持在被加工物保持构件上的被加工物的应加工区域进行拍摄的拍摄构件,激光光线照射构件具有:振荡出激光光线的激光光线振荡构件;会聚从激光光线振荡构件振荡出的激光光线并对保持在被加工物保持构件上的被加工物进行照射的聚光器;光斑调整构件,其配设在激光光线振荡构件与聚光器之间,进行调整使得对保持在被加工物保持构件上的被加工物照射的激光光线的光斑在被加工物的被照射面上成为适当大小的光斑。
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公开(公告)号:CN104009001A
公开(公告)日:2014-08-27
申请号:CN201410056892.7
申请日:2014-02-19
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor: 古田健次
CPC classification number: H01L21/78 , B23K26/53 , H01L21/6836
Abstract: 本发明提供层叠晶片的加工方法和粘合片,在晶片上层叠多个芯片的层叠晶片中,在将芯片侧粘贴在粘合片上的状态下,也能够可靠地将晶片分割成各个层叠芯片。将在糊层(22)上与层叠晶片(1)的外周剩余区域(1B)对应地形成有突起部(3)的粘合片(2)的糊层(22)粘贴在层叠晶片(1)的芯片(15)上,将突起部(3)与外周剩余区域(1B)对应地粘贴在晶片(10)的表面(10a)上,通过突起部(3)支撑晶片(10)的外周剩余区域(1B)。在该状态下,形成沿着分割预定线(11)的对晶片(10)的分割起点(改质层10c),通过粘合片(2)的扩张对晶片(10)施加外力,由此,最外周部的层叠芯片(1c)也能够与其他的层叠芯片(1c)同样地进行分割。
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