公开(公告)号：CN101083460A

公开(公告)日：2007-12-05

申请号：CN200710105462.X

申请日：2007-05-31

Applicant: 富士通媒体部品株式会社 ,  富士通株式会社

Inventor： 谷口真司 ,  横山刚 ,  原基扬 ,  坂下武 ,  堤润 ,  岩城匡郁 ,  西原时弘 ,  上田政则 ,  江原永典

IPC: H03H9/54

CPC classification number: H03H9/605 ,  H03H3/02 ,  H03H9/02118 ,  H03H9/02141 ,  H03H9/132 ,  H03H9/173 ,  H03H9/174 ,  H03H2003/021

Abstract: 本发明提供具有多个压电薄膜谐振器的滤波器。所述多个压电薄膜谐振器各自具有：基板、形成在所述基板上的下电极、形成在所述下电极上的压电膜、以及隔着所述压电膜与所述下电极彼此相对地设置在所述压电膜上的上电极。所述多个压电薄膜谐振器包括如下的第一谐振器：所述第一谐振器的所述压电膜的外侧曲部的至少一部分比所述上电极和所述下电极隔着所述压电膜而彼此相对的区域的外侧曲部更靠外。所述多个压电薄膜谐振器包括如下的第二谐振器：所述第二谐振器的所述压电膜的外侧曲部的至少一部分与所述上电极和所述下电极隔着所述压电膜而彼此相对的区域的外侧曲部基本一致，或者比所述区域的外侧曲部更靠内。

公开(公告)号：CN1805276A

公开(公告)日：2006-07-19

申请号：CN200610000593.7

申请日：2006-01-11

Applicant: 富士通媒体部品株式会社 ,  富士通株式会社

Inventor： 谷口真司 ,  横山刚 ,  坂下武 ,  堤润 ,  岩城匡郁 ,  西原时弘 ,  上田政则

IPC: H03H9/17 ,  H03H3/02

CPC classification number: H03H9/132 ,  H03H3/02 ,  H03H9/02133 ,  H03H9/173 ,  H03H2003/021

Abstract: 压电薄膜谐振器以及使用该压电薄膜谐振器的滤波器。压电薄膜谐振器包括形成在器件基板上的膜叠层，所述膜叠层包括下电极、设置在器件基板和下电极上的压电膜、以及设置在压电膜上的上电极。上电极和下电极具有从上电极隔着压电膜与下电极交叠处的隔膜延伸的电极引出部分，上电极和下电极的电极引出部分中的至少一个的宽度比该隔膜的宽度窄。

公开(公告)号：CN1610254A

公开(公告)日：2005-04-27

申请号：CN200410087742.9

申请日：2004-10-20

Applicant: 富士通媒体部品株式会社 ,  富士通株式会社

Inventor： 西原时弘 ,  横山刚 ,  坂下武 ,  岩城匡郁 ,  宫下勉

IPC: H03H9/17 ,  H03H9/54 ,  H01L29/82

CPC classification number: H03H9/174 ,  H03H9/02133 ,  H03H9/132 ,  H03H9/564 ,  H03H9/568

Abstract: 压电薄膜谐振器以及使用其的滤波器。压电薄膜谐振器包括：基板；设置在基板上的下电极；设置在下电极上的压电膜；以及设置在压电膜上的上电极。上电极隔着压电膜与下电极相交叠的区域具有椭圆形状，且满足1＜a/b＜1.9的条件，其中a为该椭圆形状的主轴，b为其副轴。

公开(公告)号：CN1592100A

公开(公告)日：2005-03-09

申请号：CN200410057295.2

申请日：2004-08-27

Applicant: 富士通媒体部品株式会社 ,  富士通株式会社

Inventor： 横山刚 ,  坂下武 ,  西原时弘 ,  宫下勉 ,  佐藤良夫

IPC: H03H9/17 ,  H03H3/04

CPC classification number: H03H9/174 ,  H03H3/02 ,  H03H9/02133 ,  H03H9/131 ,  H03H9/132 ,  H03H9/562 ,  H03H9/564 ,  H03H9/568 ,  H03H2003/023

Abstract: 膜体声学谐振器及其制造方法。一种膜体声学谐振器包括：形成在一基板的主表面上的一压电薄膜；以及一下电极和一上电极，其被布置得夹着所述压电薄膜。在该膜体声学谐振器中，所述压电薄膜由氮化铝制成，并且所述上电极和所述下电极中的至少一个包含一钌或钌合金层。