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公开(公告)号：CN104639087A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201410643401.9
申请日：2014-11-06
Applicant: 太阳诱电株式会社
CPC classification number: H03H9/02118 , H01L41/18 , H03H9/13 , H03H9/132 , H03H9/173 , H03H9/175 , H03H9/568 , H03H9/706
Abstract: 本发明涉及压电薄膜共振器、滤波器和双工器。该压电薄膜共振器包括：压电膜，该压电膜设置在基板上；下电极和上电极，所述下电极和上电极夹着压电膜的至少一部分并且彼此面对；以及插入膜，该插入膜插入在压电膜中并且设置在共振区域的外周区域中并且不设置在共振区域的中心区域中，其中：在共振区域中下电极的边缘面与下电极的下表面之间的角是锐角；并且在用于从共振区域引出上电极的一侧、插入膜在共振区域中的宽度大于在用于从共振区域引出下电极的一侧、插入膜在共振区域中的另一宽度。
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公开(公告)号：CN102931942A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201210282502.9
申请日：2012-08-09
Applicant: 太阳诱电株式会社
IPC: H03H9/25
CPC classification number: H03H9/02102 , H03H3/04 , H03H9/02118 , H03H9/02157 , H03H9/131 , H03H9/132 , H03H9/173 , H03H9/175 , H03H9/564 , H03H9/582 , H03H9/706 , H03H2003/021 , H03H2003/0407 , H03H2003/0442
Abstract: 本发明提供了声波器件。一种声波器件包括：基板；形成在所述基板上的下电极；形成在所述下电极上的至少两个压电膜；位于所述至少两个压电膜之间的绝缘膜；以及形成在所述至少两个压电膜上的上电极，其中，在所述下电极和所述上电极彼此面对的区域中，所述至少两个压电膜中的最上面的压电膜的外周比所述上电极的外周更靠内。
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公开(公告)号：CN1862959B
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN200610080180.4
申请日：2006-05-10
Applicant: 太阳诱电株式会社
Abstract: 一种压电薄膜谐振器，包括：形成于衬底上的下电极，形成于所述下电极上的压电膜，以及形成于所述压电膜上的上电极。在所述的压电薄膜谐振器中，所述上电极具有比下电极更厚的膜厚。
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公开(公告)号：CN111199820A
公开(公告)日：2020-05-26
申请号：CN201911139487.0
申请日：2019-11-20
Applicant: 太阳诱电株式会社
Abstract: 一种电感器包括：基板；第一布线，位于基板上；第二布线，位于第一布线上方并通过气隙与第一布线间隔开，在平面图中第二布线的至少一部分与第一布线的至少一部分重叠；第一支承柱，连接第一布线和第二布线的端部，使得直流电通过第一支承柱在第一布线和第二布线之间传导；和第二支承柱，设置成使得在平面图中第二支承柱与第二布线重叠，并且在平面图中与第一布线重叠或者在平面图中被第一布线包围，第二支承柱与第一布线绝缘，第二支承柱支承第二布线。
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公开(公告)号：CN103973258B
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201410042168.9
申请日：2014-01-28
Applicant: 太阳诱电株式会社
Abstract: 压电薄膜谐振器、滤波器和双工器。一种压电薄膜谐振器包括：基板；位于所述基板上的压电膜；隔着所述压电膜的至少一部分彼此相对的下电极和上电极；插入膜，其插入进所述压电膜，并且位于所述下电极和所述上电极隔着所述压电膜彼此相对的谐振区域内的外周区域的至少一部分中，并且不位于所述谐振区域的中心区域中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104716925B
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201410783801.X
申请日：2014-12-16
Applicant: 太阳诱电株式会社
CPC classification number: H03H9/706 , C23C14/34 , C23C16/44 , H03H3/02 , H03H9/02015 , H03H9/02118 , H03H9/173 , H03H9/175 , H03H2003/021 , Y10T29/42
Abstract: 压电薄膜谐振器及其制造方法、滤波器以及双工器。一种压电薄膜谐振器，该压电薄膜谐振器包括：基板；压电膜，该压电膜具有设置在基板上的下压电膜和设置在下压电膜上的上压电膜；下电极和上电极，该下电极和上电极隔着压电膜的至少一部分彼此面对；插入膜，该插入膜插入在下压电膜与上压电膜之间，并且位于其中下电极和上电极隔着压电膜彼此面对的谐振区的外周部分中，插入膜不设置在谐振区的中央部分中；下压电膜的上表面在其中不设置插入膜的区域中具有第一粗糙度，并且在其中设置了插入膜的另一区域中具有第二粗糙度，第一粗糙度小于第二粗糙度。
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公开(公告)号：CN104716925A
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201410783801.X
申请日：2014-12-16
Applicant: 太阳诱电株式会社
CPC classification number: H03H9/706 , C23C14/34 , C23C16/44 , H03H3/02 , H03H9/02015 , H03H9/02118 , H03H9/173 , H03H9/175 , H03H2003/021 , Y10T29/42
Abstract: 压电薄膜谐振器及其制造方法、滤波器以及双工器。一种压电薄膜谐振器，该压电薄膜谐振器包括：基板；压电膜，该压电膜具有设置在基板上的下压电膜和设置在下压电膜上的上压电膜；下电极和上电极，该下电极和上电极隔着压电膜的至少一部分彼此面对；插入膜，该插入膜插入在下压电膜与上压电膜之间，并且位于其中下电极和上电极隔着压电膜彼此面对的谐振区的外周部分中，插入膜不设置在谐振区的中央部分中；下压电膜的上表面在其中不设置插入膜的区域中具有第一粗糙度，并且在其中设置了插入膜的另一区域中具有第二粗糙度，第一粗糙度小于第二粗糙度。
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公开(公告)号：CN103973258A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201410042168.9
申请日：2014-01-28
Applicant: 太阳诱电株式会社
CPC classification number: H03H9/70 , H03H9/02015 , H03H9/02047 , H03H9/02118 , H03H9/131 , H03H9/132 , H03H9/174 , H03H9/175 , H03H9/568 , H03H9/588 , H03H9/589
Abstract: 压电薄膜谐振器、滤波器和双工器。一种压电薄膜谐振器包括：基板；位于所述基板上的压电膜；隔着所述压电膜的至少一部分彼此相对的下电极和上电极；插入膜，其插入进所述压电膜，并且位于所述下电极和所述上电极隔着所述压电膜彼此相对的谐振区域内的外周区域的至少一部分中，并且不位于所述谐振区域的中心区域中。
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公开(公告)号：CN101741343B
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN200910168371.X
申请日：2009-08-31
Applicant: 太阳诱电株式会社
Abstract: 本发明涉及谐振器、滤波器、以及电子装置。该谐振器包括：基板；下电极；压电薄膜，设置在所述下电极上；以及上电极，设置在所述压电薄膜上。所述下电极包括设置在所述基板上的第一薄膜、以及设置在第一薄膜上并且比重大于第一薄膜的比重的第二薄膜。所述压电薄膜设置在第二薄膜上。所述上电极包括设置在所述压电薄膜上的第三薄膜、以及设置在第三薄膜上的第四薄膜，第三薄膜的比重大于第四薄膜的比重。第三薄膜比第二薄膜厚。
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公开(公告)号：CN102638244A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210027528.9
申请日：2012-02-08
Applicant: 太阳诱电株式会社
CPC classification number: H03H9/02086 , H03H3/04 , H03H9/02157 , H03H9/173 , H03H9/582 , H03H2003/021 , H03H2003/0442 , H03H2003/045 , H03H2003/0471
Abstract: 本发明涉及声波器件和滤波器。所述声波器件包括：基板；压电膜，所述压电膜形成在所述基板上；下电极，所述下电极设置在所述压电膜的第一表面上；上电极，所述上电极设置在所述压电膜的与所述第一表面相对的第二表面上；以及质量负荷膜，所述质量负荷膜在谐振部分中具有第一图案和第二图案，在所述谐振部分中所述下电极和所述上电极隔着所述压电膜彼此面对，所述第一图案具有多个部分，并且所述第二图案具有将所述第一图案的所述多个部分相互连接的多个部分。
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