公开(公告)号：CN114429774A

公开(公告)日：2022-05-03

申请号：CN202210081246.0

申请日：2022-01-24

Applicant: 安徽大学 ,  合肥市微电子研究院有限公司 ,  合肥海图微电子有限公司

Inventor： 彭春雨 ,  强斌 ,  卢文娟 ,  赵强 ,  郝礼才 ,  蔺智挺 ,  吴秀龙

IPC: G11C11/412 ,  G11C11/419

Abstract: 本发明公开了一种基于极性加固技术的SRAM存储电路，包括四个PMOS晶体管和十个NMOS晶体管，PMOS晶体管P1、P2作为上拉管，PMOS晶体管P3和P4交叉耦合；NMOS晶体管N3、N4、N5、N6作为下拉管，NMOS晶体管N5和N6交叉耦合；主存储节点Q和QN通过NMOS晶体管N7与N8分别与位线BL和BLB相连，冗余存储节点S0与S1通过NMOS晶体管N9与N10分别与位线BL和BLB相连；位线BL与NMOS晶体管N7与N9的源极电连接，位线BLB与NMOS晶体管N8与N10的源极电连接。利用该结构的存储电路可以提高存储单元写速度、降低单元功耗，并提高单元抗单粒子翻转SEU的能力。

公开(公告)号：CN113658493A

公开(公告)日：2021-11-16

申请号：CN202110962416.1

申请日：2021-08-20

Applicant: 安徽大学

Inventor： 代月花 ,  冯哲 ,  邹建勋 ,  王旭 ,  胡古月 ,  李星 ,  杨菲 ,  强斌 ,  朱成龙 ,  王菲菲 ,  邵鹏 ,  杨斌 ,  汪小青 ,  陈默 ,  秦耕 ,  李一鸣

IPC: G09B23/18

Abstract: 本发明公开一种用于模拟联想记忆的强化学习仿生电路架构，所述电路架构包括MUX，所述MUX上连接有突触模块、控制模块和输出模块，突触模块包括用于模拟输入神经元的方波电压信号，方波电压信号为2n个，其中，n为大于1的整数，控制模块包括控制信号，控制信号为可以为n个，n和控制信号可强化形成2n种不同类型的强化控制信号代表学习方法强化的人群刺激进入2n个突触模块。本发明强化学习仿生电路架构是基于巴甫洛夫联想记忆以及非联想记忆的，它更真实地模拟了人类记忆的特点，这与我们人类的记忆是一致的；通过输入模拟输入神经元的方波电压信号，通过设置控制信号模拟学习方法强化的人群，能够更加全面的模拟人的学习过程。