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公开(公告)号:CN114705698A
公开(公告)日:2022-07-05
申请号:CN202210619144.X
申请日:2022-06-02
Applicant: 季华实验室
IPC: G01N21/95 , G01N21/88 , G01N21/63 , G01N21/66 , G01R31/26 , G01R31/28 , G01R31/44 , G06T7/00 , G06V10/80
Abstract: 本发明公开了一种缺陷检测方法、装置、系统及存储介质,涉及半导体检测技术领域,方法包括:获取待测LED芯片的待测区块;控制激光发射器照射待测区块,获得待测区块的视觉图像和光致发光光谱;根据视觉图像,确定待测区块上第一电极的位置;根据第一电极的位置,控制机械臂上第二电极与第一电极接触,获得待测区块的电致发光光谱;根据视觉图像、光致发光光谱和电致发光光谱,进行缺陷识别和结果融合,得到待测LED芯片的缺陷检测结果。本发明解决了现有技术中Micro‑LED芯片的缺陷检测存在检测效率较低的问题,实现了集成视觉检测、PL检测和EL检测对LED芯片进行缺陷检测的目的,提高了LED芯片缺陷检测效率。
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