一种可阵列式用的全数字CMOS工艺实现的栅压自举开关

    公开(公告)号:CN102006041A

    公开(公告)日:2011-04-06

    申请号:CN201010604307.4

    申请日:2010-12-24

    Applicant: 复旦大学

    Inventor: 任俊彦 王明硕

    Abstract: 本发明属于集成电路技术领域,具体为一种可阵列式用的全数字CMOS工艺实现的栅压自举T/H开关。该T/H开关包括栅压自举环路和NMOS开关管。本发明中实现的可阵列式用的全数字CMOS工艺T/H开关摒弃传统的采用电容实现的栅压自举环路,采用反向连接的PMOS管来实现,从而大大减小的栅压自举开关的可实现芯片面积,更易于开关的集成和阵列应用。

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