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公开(公告)号：CN114230378B
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202111615695.0
申请日：2021-12-27
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明提供了一种氧化还原驱动的超组装智能门控系统的制备方法，包括以下步骤：基于超组装和两步修饰方法制备得到Fc‑MS/AAO异质结纳米通道；搭建电化学测试装置，在电解液中添加一定浓度的氧化剂和还原剂(过氧化氢和抗坏血酸)，进行电化学测试。本发明通过超组装方法制备二茂铁修饰的介孔氧化硅/阳极氧化铝异质结纳米通道，与其他的门控方法相比较，该异质结纳米通道具有耗时短、反应过程简单等优点，对于智能纳流控纳米通道器件在离子门控领域中的应用具有较好的借鉴参考价值。
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公开(公告)号：CN114324476A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111618372.7
申请日：2021-12-27
Applicant: 复旦大学
IPC: G01N27/00 , G01N27/416
Abstract: 本发明涉及一种Fc‑MS/AAO异质结纳米通道的超组装制备方法，首先利用超组装方法在AAO表面构建了一种超薄、有序的介孔氧化硅层作为离子选择性门控层，再采用两步修饰策略，利用3‑氨丙基三乙氧基硅烷(APTES)对介孔氧化硅层进行氨基化修饰，通过氨基与醛基共价反应，将二茂铁修饰在介孔氧化硅层上，最终获得离子传递通道有序、通道密度高的异质结纳米通道Fc‑MS/AAO，其表面丰富的二茂铁基，为后续智能纳流控纳米通道器件在传感和门控等领域应用提供了丰富的官能团。
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公开(公告)号：CN111748803A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010640001.8
申请日：2020-07-06
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于膜技术领域，具体涉及一种介孔氧化硅/阳极氧化铝异质结膜、超组装制备方法及其应用，利用氧化硅与AAO表面的氢键作用力，以AAO为基底，借助旋涂的方法，通过界面超组装和蒸发诱导自组装构筑策略在AAO基底上制备一层超薄的、规整有序的、厚度可控的介孔硅膜，从而得到介孔硅/AAO异质结膜。该异质结膜包括介孔硅较小的带负电荷的介孔通道和阳极氧化铝带正电荷的纳米通道，为离子提供了丰富的传输通道。这种带不同电荷的双极膜结构能够为离子传输提供丰富的通道，大大降低离子传输的内阻，有利于在能量捕获方面的应用，同时提供了一种构建具有离子选择性和盐差能捕获的纳流控器件的方法，也为构筑固态纳米通道膜提供一种新思路。
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公开(公告)号：CN111729512A
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN202010639827.2
申请日：2020-07-06
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于纳流控能源技术领域，提供了一种介孔碳硅/阳极氧化铝复合膜、超组装制备方法及其应用，用F127、正硅酸乙酯及甲阶酚醛树脂制备介孔碳硅前驱体溶液，将该前驱体溶液旋涂到堵好孔的阳极氧化铝膜上，然后经过室温下的蒸发诱导自组装、热聚合及惰性氛围下的焙烧，得到介孔碳硅/阳极氧化铝复合膜。本发明采用蒸发诱导自组装方式制备具有规整纳米通道结构的介孔碳硅膜，之后采用界面超组装方式在AAO基底上生长一层介孔碳硅膜，从而得到具有优越阳离子选择性的MCS/AAO复合膜，实现MCS/AAO复合膜的大规模制备。该复合膜能够为离子传输提供丰富的通道，在渗透能领域有很大的应用前景，并且可以进一步修饰活性基团，用于能源捕获、生物传感、脱盐等领域。
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