公开(公告)号：CN101678346A

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：CN200880019134.0

申请日：2008-06-04

Applicant: 国立大学法人东京大学

Inventor： 桥本和仁 ,  入江宽 ,  中村龙平 ,  三浦脩平

IPC: B01J35/02 ,  B01J37/04 ,  B01J37/08

CPC classification number: B01J35/004 ,  B01J21/063 ,  B01J21/066 ,  B01J23/26 ,  B01J23/72 ,  B01J23/745 ,  B01J37/0201

Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够以低成本且不使用铂而获得的光催化剂材料、特别是可见光响应型光催化剂材料，以及提供：具有传统光催化剂材料所没有的光催化机理的材料、该材料的生产方法、使用该材料的污染物质的分解方法。所述光催化剂材料具有a)第1金属的氧化物和b)第2金属的水络盐；且所述材料中，所述第1金属的氧化物中导带下端的氧化还原电位比0.2V(相对于标准电极电位，pH＝0时的值)更低，所述第2金属的水络盐中第2金属的离子的氧化还原电位比3.0V(相对于标准电极电位，pH＝0时的值)更低，在所述材料中，所述第2金属的水络盐化学吸附在所述第1金属的氧化物上。

公开(公告)号：CN101410331A

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：CN200780011259.4

申请日：2007-03-28

Applicant: 国立大学法人东京大学 ,  同和电子科技有限公司

Inventor： 大越慎一 ,  桥本和仁 ,  樱井俊介 ,  黑木施老 ,  佐藤王高 ,  佐佐木信也

IPC: C01G49/00 ,  C04B35/622 ,  G11B5/706 ,  H01F1/11 ,  H01F10/22

CPC classification number: G11B5/70642 ,  C01G49/0018 ,  C01P2002/72 ,  C01P2004/04 ,  C01P2006/42 ,  C04B35/26 ,  C04B35/62807 ,  C04B2235/3274 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/76 ,  G11B5/712 ,  G11B5/714 ,  H01F1/11

Abstract: 本发明为一种磁性材料，其具有对应于ε－Fe2O3的结晶结构的X射线衍射峰，包含用Ga3+离子取代ε－Fe2O3结晶的部分Ga3+离子位而成的ε－GaxFe2－xO3（其中， 0＜X＜1）的结晶。该磁性材料的矫顽力随着Ga含量而降低，饱和磁化强度显示出极大值。