公开(公告)号：CN113758562B

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202111051892.4

申请日：2021-09-08

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 高世勇 ,  任帅 ,  王金忠 ,  杲立刚 ,  容萍 ,  张勇

IPC: G01J1/42

Abstract: 一种基于硒化铜纳米管或硒化铜/硫化铋纳米管复合材料的宽光谱探测器及其制备方法，属于光电探测器件及其制备领域。本发明所述的硒化铜/硫化铋纳米管复合材料是由Cu3Se2纳米管和Bi2S3纳米片构成，所述方法为：利用室温溶液法合成Se纳米线；将所制备的Se纳米线作为模板和反应Se源，获得Se@Cu2Se纳米结构；通过退火处理得到Cu3Se2纳米管；室温下，通过溶液合成法在Cu3Se2纳米管表面生长Bi2S3纳米片，制备出同轴核壳结构Cu3Se2/Bi2S3纳米管复合材料；制作器件。本发明主要利用简单、易实现的室温溶液法合成了Cu3Se2纳米管和同轴核壳结构Cu3Se2/Bi2S3纳米管复合材料，并进一步制备了具有自供能特性的光电探测器件，成本低、易操作、无污染，适用于大规模生产，具有很高的应用价值和前景。

公开(公告)号：CN113921286B

公开(公告)日：2023-02-28

申请号：CN202111152229.3

申请日：2021-09-29

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 高世勇 ,  容萍 ,  王金忠 ,  刘祎 ,  任帅 ,  张勇

IPC: H01G9/20

Abstract: 一种基于钙铟硫八面体纳米块或钙铟硫/ZnO异质结复合材料的光电探测器及其制备方法，所述钙铟硫为三维八面体纳米块结构，在钙铟硫/ZnO异质结复合材料中，ZnO为二维纳米片结构，均匀紧密地分布在CaIn2S4八面体纳米块表面。以制备的CaIn2S4八面体纳米块和CaIn2S4/ZnO异质结复合材料为工作电极，通过热封膜将其与对电极连接，并在中间注入聚硫电解质或去离子水，分别组装为CaIn2S4纳米块和CaIn2S4/ZnO异质结光电探测器。所制备探测器可在室温下实现紫外到可见光的宽光谱探测，且能够在无外加偏压下工作。本发明合成了三维CaIn2S4八面体纳米块和具有独特结构的CaIn2S4/ZnO异质结复合材料，并基于其分别制备了高性能的光电探测器，拓展了CaIn2S4纳米材料在光电探测领域的应用。

公开(公告)号：CN115020518A

公开(公告)日：2022-09-06

申请号：CN202210658377.0

申请日：2022-06-10

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 高世勇 ,  容萍 ,  王金忠 ,  任帅 ,  耿秋丹 ,  付子纯

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/108 ,  H01L31/18 ,  C01G29/00 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y15/00

Abstract: 一种基于铋氧硫微米花阵列或铋氧硫纳米花的红外光电探测器及其制备方法，所述Bi2O2S具有由二维纳米片自组装而成的三维花状分层结构，所述Bi2O2S微米花阵列是通过大面积生长在导电衬底上制得，所述光电探测器是以制备的Bi2O2S微米花阵列和Bi2O2S纳米花作为探测材料，分别设计了自供能红外探测器和柔性红外探测器。本发明所制备的Bi2O2S光电探测器能够实现对红外光的快速探测，并且展示出了优异的循环稳定性。本发明主要利用简便、易操作的水热法合成了具有独特分层结构的Bi2O2S微米花阵列和Bi2O2S纳米花，并首次实现了Bi2O2S微米花阵列或Bi2O2S纳米花在光电探测器上的应用，为光电领域提供了一种新的可选择的红外光电探测材料。

公开(公告)号：CN113804736A

公开(公告)日：2021-12-17

申请号：CN202111081385.5

申请日：2021-09-15

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 王金忠 ,  张翔宇 ,  高世勇

IPC: G01N27/30

Abstract: 本发明公开了一种铋/铋氧硒金属半导体异质结的制备方法及其应用，所述方法利用一步水热法制备Bi/Bi2O2Se金属半导体异质结，进一步使用该异质结制备自供能光电探测器。本发明通过一步水热法制备出Bi/Bi2O2Se金属半导体异质结，操作简单，反应可控；该异质结中Bi的含量可通过PVP的含量来调控；Bi/Bi2O2Se金属半导体异质结自供能探测器制备简单、响应快速，其中Bi的存在加速光生电子空穴对的分离和转移，使得Bi/Bi2O2Se金属半导体异质结的光电探测性能优于单一Bi2O2Se材料。

公开(公告)号：CN112113669A

公开(公告)日：2020-12-22

申请号：CN202010884901.7

申请日：2020-08-28

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 高世勇 ,  王金忠 ,  任帅 ,  刘烁 ,  张勇

IPC: G01J5/10 ,  G01J5/02 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 一种鱼鳞状中空SnSe纳米管自供能红外探测器及其制备方法。本发明属于光电探测器件及其制备领域。本发明的目的在于解决SnSe纳米管需要高温合成，并且要使用化学试剂去除硬模板，易引入杂质的技术问题。红外探测器件包括工作电极、对电极和电解液；所述工作电极与对电极通过热封膜相连接，内部形成空腔，空腔内注入电解液，工作电极为表面旋涂有SnSe纳米管的ITO玻璃或FTO玻璃；所述SnSe纳米管表面呈鱼鳞片状，内部呈现中空结构。方法：一、Se纳米线的制备；二、Se@SnSe纳米材料的制备；三、SnSe纳米管的制备；四、红外探测器的制作。本发明利用溶液法合成的SnSe纳米管结构具有独特的鱼鳞状中空结构，且方法具有成本低、易操作、环境友好等优点，适合大规模生产及应用。

公开(公告)号：CN112071652A

公开(公告)日：2020-12-11

申请号：CN202010968833.2

申请日：2020-09-15

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 高世勇 ,  王金忠 ,  任帅 ,  毛谋文 ,  张勇

IPC: H01G9/20 ,  H01G9/042 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种三维刺猬状ZnO/SnO2异质结构及其制备方法与应用，所述异质结构由ZnO纳米棒和SnO2八面体块构成，SnO2八面体生长在衬底上，ZnO纳米棒生长在SnO2八面体块的表面，整体呈刺猬状结构。本发明使用溶液合成的方法在衬底上生长大面积的刺猬状ZnO/SnO2异质结构，进一步将其作为工作电极，Pt作为对电极，两电极通过热封膜连接，器件中间注入碘电解质或去离子水，获得具有良好自供能特性的紫外探测器，应用于紫外探测领域。该方法操作简单、成本低、适合大规模生产，具有很高的实用价值。

公开(公告)号：CN109331844A

公开(公告)日：2019-02-15

申请号：CN201811250748.1

申请日：2018-10-25

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 王金忠 ,  赵思翔 ,  苗靖晗 ,  王东博 ,  王琳 ,  高世勇

IPC: B01J27/051 ,  B01J35/02

Abstract: 本发明公开了一种MoS2微球/PtCo合金纳米颗粒复合材料及其制备方法，所述MoS2微球/PtCo合金纳米颗粒复合材料以MoS2微球为基体材料，在MoS2微球表面负载PtCo合金纳米颗粒，具体制备步骤如下：首先通过水热法制备MoS2微球；然后通过PVP产生自组装所需的结合力；最后通过共还原的方式制备PtCo合金纳米颗粒，并使其负载于MoS2微球表面，得到MoS2微球/PtCo合金纳米颗粒复合材料。MoS2/PtCo合金纳米颗粒复合材料具有与铂相近的催化能力且含铂量很低，并具有强于铂的催化稳定性，这对代替主流的贵金属催化剂具有重要意义。

公开(公告)号：CN104549209A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201410826277.X

申请日：2014-12-26

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 高世勇 ,  矫淑杰 ,  慕岩 ,  刘青春 ,  王金忠 ,  于清江

IPC: B01J23/06

Abstract: 本发明提供了一种双面氧化锌纳米阵列光催化材料及制备方法。所述光催化材料由ZnO纳米阵列和石英衬底构成，ZnO纳米阵列生长在整个石英衬底的两个表面。制备方法如下：在清洗干净的石英衬底的两个表面分别制备一层ZnO薄膜作为晶种层；利用水热法在石英衬底的两个表面上同时生长ZnO纳米阵列。本发明利用水热法在石英衬底上制备了双面ZnO纳米阵列，能够有效提高太阳光的利用率，显著提高光催化性能。其制备方法具有操作简单、可控性强、成本低等优点，适用于大面积生长，并且催化剂便于回收，可重复使用，具有很高的实用价值和应用前景。