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公开(公告)号：CN114029601B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202111501410.0
申请日：2021-12-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种采用金箔中间层低温扩散连接Ti3SiC2陶瓷的方法，涉及一种连接Ti3SiC2陶瓷的方法。为了解决现有的Ti3SiC2陶瓷扩散连接方法的连接温度高的问题。方法：Ti3SiC2陶瓷的焊前切割、打磨和清洗处理；金箔平整、打磨和清洗；装配得到装配件；真空扩散连接。本发明采用金箔中间层进行低温扩散连接，Au元素较低温度下与Ti3SiC2相陶瓷中的Si元素、Al元素发生取代使得金箔中间层与Ti3SiC2陶瓷在600～650℃发生剧烈的互扩散，从而实现Ti3SiC2陶瓷的低温扩散连接。采用金箔作为中间层扩散连接得到的接头具有良好的抗腐蚀性。本发明适用于连接Ti3SiC2陶瓷。
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公开(公告)号：CN115673452A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211437099.2
申请日：2022-11-18
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B23K1/00
Abstract: 一种碲化铋热电材料与电极的钎焊连接方法，涉及一种热电材料与电极的钎焊连接方法。目的是解决当前碲化铋热电材料与电极钎焊连接过程中碲化铋与电极之间元素扩散及钎焊接头强度低的问题。方法：在碲化铋热电材料的待焊面电镀Ni镀层，在Ni镀层上电镀NiMo合金镀层，将钎料片置于碲化铋热电材料的待焊面和电极的待焊面之间进行装配，进行钎焊。本发明通过在碲化铋表面电镀Ni/NiMo复合阻隔层，采用锡基钎料对碲化铋与电极进行钎焊连接，Ni/NiMo复合阻隔层与碲化铋结合致密，有效解决了现有碲化铋热电材料与电极焊接中碲化铋与电极之间易产生元素扩散及接头强度低的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115502538A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202211138061.5
申请日：2022-09-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种以MAX或Mxene为阻隔层的方钴矿基热电材料与金属电极的连接方法，涉及一种可用于方钴矿基热电材料与金属电极材料的连接方法。为了解决方钴矿系热电材料与金属电极在焊接以及服役过程中元素扩散问题。本发明选用三元层状化合物MAX相陶瓷或二维MXene作为方钴矿系热电材料与金属电极之间的防止元素扩散阻隔层，MAX相陶瓷与金属电极和方钴矿系热电材料在焊接过程中的没有严重界面反应，元素扩散在MAX相陶瓷晶粒或MXene内部极其微弱，而在晶界处扩散速度较快，并且不会形成连续的脆性化合物。并且MAX相陶瓷材料或MXene的导电性很高，膨胀系数接近方钴矿系热电材料。
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公开(公告)号：CN115415656A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202211138051.1
申请日：2022-09-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种以Fe‑Cr‑Mo/W为阻隔层的方钴矿热电材料与铜电极的连接方法，涉及一种热电材料与电极的连接方法。为了解决方钴矿与铜电极连接过程中元素扩散以及焊接接头强度低的问题。本发明中阻隔层原料进行熔炼后吸铸到水冷铜模模具中进行快速凝固，创新的采用非平衡凝固原理将Fe‑Cr合金中的大尺寸Mo/W元素固溶度大幅度提高，降低元素扩散，减小了接头残余应力，提高接头强度。采用扩散焊、钎焊、纳米银烧结等方法对方钴矿与铜电极进行连接，操作方便，工艺灵活，可根据实际使用需求选择合适的方法，成本较低。
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公开(公告)号：CN113430414A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202110714583.4
申请日：2021-06-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种利用三维网络增强相提高AgCu合金高温抗氧化性的方法，涉及一种提高AgCu合金高温抗氧化性的方法。目的是解决现有的银铜基钎料高温抗氧化性能较差的问题。方法：制备石墨烯海绵，AgCuTi焊膏的制备与成型得到片状的固态AgCuTi焊膏，将石墨烯海绵置于两片固态AgCuTi焊膏之间得到待熔渗试件，在真空条件下进行熔渗得到三维网络TiC增强的AgCu合金，最后打磨去除Cu2Ti化合物聚集层。本发明制备的三维网络TiC纳米片增强相在AgCu合金可以对氧的内扩散形成有效的连续的多重阻隔，解决了在制备抗氧化性涂层的常规方法中因表面涂层的磨损破坏而导致抗氧化功能失效的问题。本发明适用于制备AgCu合金。
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公开(公告)号：CN111014929A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201911384113.5
申请日：2019-12-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B23K20/00 , B23K20/24 , B23K103/18
Abstract: 一种用于方钴矿热电材料与电极的快速扩散焊连接方法，涉及一种扩散焊连接方法。目的是解决现有方钴矿热电材料与电极连接时存在Sb元素挥发和元素扩散的问题。方法：取电极并对待焊面进行清理，在电极待焊面表面电镀合金阻隔层，方钴矿热电材料待焊面清理，进行扩散焊。本发明在电极侧通过电镀法制备阻隔层，再与方钴矿热电材料在相对较低的压力和相对较低的温度下实现扩散焊，过程中不存在焊缝元素与方钴矿的元素扩散，能够防止Sb元素挥发和元素扩散的发生。本发明适用于方钴矿热电材料与电极焊接。
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公开(公告)号：CN106098924B
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201610710136.0
申请日：2016-08-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种层积薄膜型热电器件的喷涂制备方法。本发明属于热电器件的制备技术领域，具体涉及一种层积薄膜型热电器件及其制备方法。本发明目的是为了解决目前热电器件的制备方法存在的难以实现曲面贴合以及规模化生产高效制备的问题。产品：依次包括基板、底部绝缘层、多个热电模组、多个临时支撑物填充区和顶部绝缘层；所述热电模组依次包括底部导电层、P型热电模块、N型热电模块和顶部导电层。方法：利用掩膜版，采用大气等离子喷涂技术喷涂各个涂层。本发明产品结构简单，方法高效灵活，可实现曲面表面与热电器件的牢固贴合，提高了大面积、高阵列密度热电器件规模化生产应用的潜力。
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