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公开(公告)号：CN101841076A
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN201010183191.1
申请日：2010-05-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01P3/12
Abstract: 一种电磁波相速方向可控的小型化矩形波导，它涉及小型化波导技术领域。本发明解决了现有的基于超常媒质的小型化矩形波导只能传输后向波而无法根据需求控制电磁波相速方向的问题，本发明包括一个空心矩形波导、多个超常媒质结构单元和多个圆柱形控制棒，各个超常媒质结构单元位于所述空心矩形波导内部，每一个圆柱形控制棒沿着平行于所述空心矩形波导的y向轴线穿透所述空心矩形波导，且所述每一个圆柱形控制棒沿着z向轴线排成一列，所述每一个圆柱形控制棒在所述空心矩形波导内的部分固定有一个超常媒质结构单元。本发明适用于射频通信、微米波领域的电子电路和器件、天线小型化的设计与制造。
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公开(公告)号：CN100586838C
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200710144470.5
申请日：2007-10-19
IPC: B81C5/00
Abstract: 分布式微机电系统移相器芯片级微封装构件，它涉及一种微机电系统(MEMS)移相器芯片级微封装构件。本发明的目的是为解决现有键合方法存在寄生效应和相互干扰强、增加器件的体积和损耗、形状发生畸变、制备工艺复杂和气体污染的问题。本发明密封绝缘介质封装体上开有上下相通的孔，密封绝缘介质封装体的上表面上固定有密封剂层，密封绝缘介质封装体由聚酰亚胺、氮化硅或者二氧化硅材料制成，密封绝缘介质封装体中部的厚度t为5-20μm。本发明在10～50GHz的微波频段工作，具有寄生效应低、相互干扰低、工艺兼容性好、形状无畸变、工艺简单、无气体污染和体积小的优点。本发明的插入损耗＜-0.2dB、反射系数低于-20dB、相移量也具有非常好的线性关系。
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公开(公告)号：CN100541906C
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200710071775.8
申请日：2007-02-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 超小型谐振腔，它涉及一种谐振腔。为了解决谐振腔存在小型化的理论尺寸极限和基于三维异向介质的小型化谐振腔在现有的技术水平下不能加工制造的问题，本发明包括一个微米波或毫米波谐振腔(1)，在微米波或毫米波谐振腔(1)的腔内具有占据左侧空间的负磁导率介质(2)，所述负磁导率介质(2)是一维异向介质，谐振腔(1)的宽度小于二分之一工作波长。它是根据电磁波在负磁导率介质和负介电常数介质交界面发生的隧道效应，使得谐振腔的谐振频率不再依赖于谐振腔的尺寸，而且应用的异向介质(负介电常数介质和负磁导率介质)首选一维结构的，非常易于制造，在现有的技术水平下就实现了低成本制造超小谐振腔的目的。
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公开(公告)号：CN115513613B
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202110702303.8
申请日：2021-06-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01P1/10
Abstract: 本发明公开了一种紧凑型电调控液晶射频开关，属于微波器件工程技术领域。本发明解决了现有液晶射频开关体积大、集成度低的问题。本发明提供的电控液晶射频开关具有集成度高、体积小、小型化的特点，完善了液晶射频开关在实际应用中的适用场景，且与现有射频开关相比，本发明的电控液晶射频开关采用两个谐振电路级联的形式，实现了良好的开关比，且该射频开关基于液晶材料实现通断状态的有效切换，相比于传统基于铁氧体和铁电体材料实现的射频开关，具有所需外部驱动电压小的显著优势。
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公开(公告)号：CN113889772B
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202110411087.1
申请日：2021-04-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种基于磁控的双窄带液晶可调谐超材料吸波体。本发明属于微波器件工程技术领域。本发明是为了解决目前液晶可调谐超材料吸波体Q值小、结构单元尺寸大的技术问题。本发明的一种基于磁控的双窄带液晶可调谐超材料吸波体由结构单元周期性排布而成，所述结构单元由从上到下依次层叠设置的顶层介质板、金属结构层、液晶层、金属底板和底层介质板组成，其中所述金属结构层由同心的矩形金属环和分形金属环组成，分形金属环位于矩形金属环内部，所述分形金属环是将矩形环各边中段向矩形中心弯折成直角U形而形成的结构，所述分形金属环的外形轮廓呈矩形。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115598877A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202110720213.1
申请日：2021-06-28
Applicant: 哈尔滨工业大学(CN)
IPC: G02F1/1333 , G02F1/1345 , G02F1/1337
Abstract: 本发明公开了一种可调平衡液晶移相器，属于微波器件技术领域。本发明解决了现有单终端可调液晶移相器抗电磁干扰能力较差的问题。本发明基于耦合双线结构的可调平衡液晶移相器，在上、下耦合线之间施加驱动电压时，位于上、下耦合线之间的液晶分子长轴指向将发生偏转，从水平方向逐渐偏转至垂直方向，从而使液晶材料的介电常数发生变化，继而在上下耦合线间传输的电磁波的相位发生改变，最终实现可调平衡液晶移相器的功能。本发明提供的液晶移相器结构，能够使射频信号以差分模式在耦合双线结构中有效传播，通过控制液晶层介电常数的变化来实现传输相位的连续调控，进而实现了基于液晶材料的平衡可调液晶移相器设计，有效提高了抗电磁干扰的能力。
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公开(公告)号：CN115513613A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202110702303.8
申请日：2021-06-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01P1/10
Abstract: 本发明公开了一种紧凑型电调控液晶射频开关，属于微波器件工程技术领域。本发明解决了现有液晶射频开关体积大、集成度低的问题。本发明提供的电控液晶射频开关具有集成度高、体积小、小型化的特点，完善了液晶射频开关在实际应用中的适用场景，且与现有射频开关相比，本发明的电控液晶射频开关采用两个谐振电路级联的形式，实现了良好的开关比，且该射频开关基于液晶材料实现通断状态的有效切换，相比于传统基于铁氧体和铁电体材料实现的射频开关，具有所需外部驱动电压小的显著优势。
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公开(公告)号：CN113394566B
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202110591414.6
申请日：2021-05-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01Q15/00
Abstract: 本发明公开一种基于近场汇聚功能的全金属超材料透镜及其移相量设计方法。所述全金属超材料透镜由多个阵列单元组成，具有不同移相量的阵列单元按照预先设计好的移相量分布规律在XOY平面上进行排列；每个单元包括四层金属层1与三层空气层2，所述四层金属层1与三层空气层2间隔排列组成，所述金属层1包括方形螺旋缝隙，所述每个单元的金属层1为一个方形螺旋缝隙旋转0度、90度、180度及270度，得到中心旋转对称结构。用以解决全金属超材料透镜耐高温和机械稳定性的问题。
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公开(公告)号：CN113381193B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202010163446.1
申请日：2020-03-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种液晶可重构频率选择表面。所述选择表面包括单层液晶可重构频率选择表面和双层液晶可重构频率选择表面，所述双层液晶可重构频率选择表面由两组单层液晶可重构频率选择表面通过支撑层的支撑叠加形成，所述单层液晶可重构频率选择表面由单元结构周期排布而成，所述单元结构包括上层基板(1)、上矩形金属环(12)、液晶(2)、下矩形金属环(13)和下层基板(3)，所述上层基板(1)、上矩形金属环(12)、液晶(2)、下矩形金属环(13)和下层基板(3)从上到下依次叠加设置，所述上矩形金属环(12)和下矩形金属环(13)分别蚀刻S型缝隙(11)。本发明具有小型化、大调谐率和通带方波化特性的优势。
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公开(公告)号：CN112436248B
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202011203824.0
申请日：2020-11-02
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明是一种基于介质集成波导的高相移调谐率液晶移相器。本发明属于微波器件工程技术领域，所述移相器包括：上层介质板、中间层介质板、下层介质板、金属化过孔和液晶层；所述上层介质板、中间层介质板和下层介质板连接，中间层介质板为中心镂空出矩形结构，上层介质板和下层介质板间形成密闭腔体，将液晶材料灌注在密闭腔体中，形成液晶层。本发明在工作频带范围内具有显著的高相移调谐率特性。因此，对于相同的相位调控指标，可以有效缩减移相器物理长度，对射频电路实现小型化和高集成度具有重要价值；本发明可调液晶移相器结构具有设计方案简单、高效的显著优势。
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