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公开(公告)号：CN119328250A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411625392.0
申请日：2024-11-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B23K1/19 , B23K1/20 , B23K20/02 , B23K103/00
Abstract: 一种基于Ti‑Ni‑Nb复合中间层实现Cf/SiC复合材料与YSZ陶瓷高温钎焊的方法，涉及异种材料钎焊技术领域。本发明为了解决现有的YSZ陶瓷与Cf/SiC复合材料之间难以形成高强度及高服役温度连接接头的问题。本发明可使Cf/SiC与YSZ陶瓷连接接头得到高质量冶金结合，在钎焊温度为1190℃、保温时间为20min下，接头室温剪切强度最高可达59MPa，500℃下剪切强度最高可达48MPa，1000℃下抗剪强度可达11MPa，在实现Cf/SiC与YSZ陶瓷连接的同时也保证了接头的耐高温性能。本发明可获得一种基于Ti‑Ni‑Nb复合中间层实现Cf/SiC复合材料与YSZ陶瓷高温钎焊的方法。
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公开(公告)号：CN118893265A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202411099840.8
申请日：2024-08-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种采用TiZrNiCu活性钎料钎焊Y2O3‑MgO复相陶瓷与金属的方法，涉及一种钎焊Y2O3‑MgO复相陶瓷与金属的方法。为了解决Y2O3‑MgO复相陶瓷与金属钎焊连接强度低，并提高连接接头气密性的问题。方法：Y2O3‑MgO复相陶瓷、TiZrNiCu活性钎料和待焊金属的焊前处理，将TiZrNiCu活性钎料置于Y2O3‑MgO复相陶瓷与待焊金属之间得到装配件，将装配件放入真空钎焊炉中，进行钎焊。本发明采用钎焊方法连接Y2O3‑MgO复相陶瓷与金属，获得的的焊接接头组织致密，无明显气孔、裂纹等缺陷，满足Y2O3‑MgO复相陶瓷与金属连接的气密性要求。
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公开(公告)号：CN118650332A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202410966495.7
申请日：2024-07-18
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种用于焊接镍基合金的高熵钎料、钎料的制备方法和TLP焊接镍基合金的方法，属于材料焊接领域，具体涉及一种用于焊接镍基合金的高熵钎料、钎料的制备方法和应用。为了解决现有的镍基合金焊接时存在金属间化合物析出和低温焊接高温服役难以实现的问题，提出一种用于焊接镍基合金的高熵钎料、钎料的制备方法和TLP焊接镍基合金的方法，本发明用于焊接镍基合金的高熵钎料的原子百分比组成为：Fe：15～35％、Co：15～35％、Ni：15～35％、Cu：15～35％、Si：8～13％；本发明高熵钎料钎料的组元种类多且含量较高，原子排列较为混乱，故其原子排列的混合熵很高，接头具有优良的力学，获得的焊接接头焊缝熔点较高且在常温及高温条件下具有较高的剪切强度。
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公开(公告)号：CN115502538B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202211138061.5
申请日：2022-09-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种以MAX或Mxene为阻隔层的方钴矿基热电材料与金属电极的连接方法，涉及一种可用于方钴矿基热电材料与金属电极材料的连接方法。为了解决方钴矿系热电材料与金属电极在焊接以及服役过程中元素扩散问题。本发明选用三元层状化合物MAX相陶瓷或二维MXene作为方钴矿系热电材料与金属电极之间的防止元素扩散阻隔层，MAX相陶瓷与金属电极和方钴矿系热电材料在焊接过程中的没有严重界面反应，元素扩散在MAX相陶瓷晶粒或MXene内部极其微弱，而在晶界处扩散速度较快，并且不会形成连续的脆性化合物。并且MAX相陶瓷材料或MXene的导电性很高，膨胀系数接近方钴矿系热电材料。
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公开(公告)号：CN116475700A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310479232.9
申请日：2023-04-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种使用铜锡磷钎料钎焊连接方钴矿与铜电极的方法，涉及钎焊连接异种材料技术领域。本发明的目的是为了解决现有方钴矿与铜电极的钎焊工艺中由于钎脚上升至方钴矿四周而使钎料与方钴矿发生反应，进而降低接头的连接强度及热电器件的转换效率，导致热电器件无法使用的问题。方法：先将方钴矿热电材料粉末、阻隔层和铜粉末进行一体式热压烧结，然后切割、打磨、抛光、超声清洗和干燥，得到待焊方钴矿热电材料；将铜电极的待焊面打磨、抛光、超声清洗和干燥，得到待焊铜电极；将铜锡磷钎料置于待焊方钴矿热电材料与待焊铜电极的待焊面之间，在真空环境下钎焊，最后降至室温。本发明可获得一种使用铜锡磷钎料钎焊连接方钴矿与铜电极的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115476012A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202211313813.7
申请日：2022-10-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B23K1/008 , B23K1/20 , B23K103/18
Abstract: 一种高Cu原子比Cu‑Ti钎料在陶瓷与金属钎焊中的应用，涉及高Cu原子比Cu‑Ti钎料的应用技术领域。本发明的目的是为了解决采用现有的共晶成分Cu‑23Ti(wt.％)钎料进行Ti3SiC2陶瓷与Nb的钎焊连接时，接头内产生的脆性CuTi化合物导致接头抗剪切强度低的问题。方法：按照Ti3SiC2陶瓷/Ti箔/Cu箔/Nb的顺序装配，得到待焊装配件；将待焊装配件放入真空钎焊炉内，在5×10‑2Pa的真空度及950～1010℃的钎焊温度下保温5～60min，钎焊结束后冷却至室温。本发明可获得一种高Cu原子比Cu‑Ti钎料在陶瓷与金属钎焊中的应用。
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公开(公告)号：CN113828906B
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202111240754.0
申请日：2021-10-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种利用高熵合金中间层连接方钴矿与电极的扩散焊方法，涉及一种方钴矿与电极的扩散焊方法。为了解决方钴矿与电极的连接和所得器件在服役中存在元素扩散、热膨胀系数不匹配和接触电阻大的问题。方法：方钴矿热电材料和电极预处理，制备FeCoNiCrMo高熵合金铸锭，将高熵合金薄片与置于方钴矿和电极待焊面之间进行扩散焊。本发明采用高熵合金作为方钴矿与电极连接的中间层实现阻隔二者之间元素持续扩散的作用。同时利用高熵合金能够通过改变元素配比来调节其热膨胀系数的特性，实现了高熵合金、方钴矿和电极热膨胀系数的良好匹配，并且所得接头具有低的接触电阻率，接头的热稳定性高。本发明适用于连接方钴矿与电极。
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公开(公告)号：CN112404631B
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202011165414.1
申请日：2020-10-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种碳纳米管海绵中间层辅助钎焊异种材料的方法，涉及一种钎焊异种材料方法。为了解决现有金属材料与异种材料钎焊接头强度低的问题。方法：将碳纳米管与强酸溶液混合超声清洗，然后分散到去离子水中抽滤，滤饼超声分散到无水乙醇中离心得到上清液；再抽滤、干燥，最后对异种材料钎焊。或将碳纳米管与强酸溶液混合超声清洗，然后液分散到去离子水中并抽滤，滤饼超声分散到无水乙醇中离心得到上清液；上清液加入钎料粉末后再抽滤、干燥，最后对异种材料钎焊。本发明碳纳米管海绵制备方法简单成本低，能够避免碳纳米管在钎焊过程中发生团聚，有利于调控界面组织，增强钎缝性能，缓解接头残余应力，提高接头强度。本发明适用于钎焊异种材料。
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公开(公告)号：CN114571055A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210310401.1
申请日：2022-03-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种利用Ti箔中间层实现锆合金自身低温扩散连接的方法，涉及一种利用Ti箔中间层实现锆合金扩散连接的方法。目的是解决新型燃料元件焊接过程中存在的经历高温焊接后燃料芯体组织受到破坏以及性能受损的问题。方法：对锆合金母材的待焊面与Ti箔中间层的待焊面进行预处理；将步骤一处理的Ti箔中间层置于锆合金母材的待焊面之间，进行扩散焊处理。本发明通过加入Ti箔中间层，在焊接过程中经过Ti与Zr的相互扩散，实现锆合金的相转变，完成锆合金的低温扩散连接；本发明能够实现新型燃料元件低温连接的要求，避免燃料芯体组织及性能受损，满足新型燃料元件焊后形变控制要求。本发明能够获得无气孔、组织致密、强度高的焊接接头。
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公开(公告)号：CN114101830A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111469873.3
申请日：2021-12-03
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种DZ40M钴基高温合金TLP焊接方法，涉及一种钴基高温合金TLP焊接方法。为了解决现有焊接工艺对钴基高温合金DZ40M焊接时存在可靠性差的问题。焊接方法：中间层粉末元素质量百分比为Co：5～15％、Cr：15～30％、W：4～15％、B：1～10％、Ni为余量，待焊的DZ40M钴基高温合金进行预处理，中间层粉末调成膏状中间层制成待焊DZ40M钴基高温合金，固定得到待焊的连接件进行焊接和时效处理。本发明提出一种DZ40M钴基高温合金TLP焊接方法，可以有效减少焊缝内气孔、裂纹和未焊合缺陷，为DZ40M钴基高温合金的连接和修复工作提供技术支持。本发明适用于DZ40M钴基高温合金TLP焊接。
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