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公开(公告)号：CN1609285A
公开(公告)日：2005-04-27
申请号：CN200410066546.3
申请日：2004-09-21
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明公开了一种CuI晶体及其生长方法，CuI晶体呈γ相的规则四面体结构，尺寸大于2mm。该生长方法采用浓度控制技术和络合—解络法相结合的方法。本发明采用的浓度递减控制技术和络合—解络相结合的生长方法具有设备简单、价格低廉、生长温度低和生长过程容易调控等优点，所生长的γ相CuI晶体纯度高、应力小、缺陷少、形貌好和尺寸较大，因而作为新一代超快闪烁体，在超高计数率X－射线、γ射线和电子束测量等方面都有着重要的应用价值，同时还可以用作快离子导体。
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公开(公告)号：CN108761517B
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN201810356010.7
申请日：2018-04-19
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种内置型光子晶体闪烁体，由闪烁体及镶嵌在闪烁体内部的光子晶体层构成，其中光子晶体层位于闪烁体内部的中间位置，位置上下幅度≤闪烁体厚度×10％。与现有技术相比，本发明可以提高光输出效率，并且该结构性闪烁体的光子晶体牢固，稳定性好。
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公开(公告)号：CN108062000B
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN201711058721.8
申请日：2017-11-01
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种基于双层光刻胶的光子晶体闪烁体制备方法，在石英衬底表面旋涂PMMA光刻胶和HSQ光刻胶，采用同步辐射软X射线干涉光刻，曝光后获得HSQ胶的结构图案，通过反应离子束刻蚀的方法对PMMA层进行刻蚀，在所得到的结构表面沉积TiO2层，最后将塑料闪烁体旋涂在结构表面，制作得到具有光子晶体结构的闪烁体。与现有技术相比，本发明可以基于软X射线干涉光刻技术获得更深的结构刻蚀深度，提高了闪烁体的光输出效率，同时发挥了软X射线干涉光刻技术的大面积、小周期、高效率的优势。
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公开(公告)号：CN106084103B
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201610435094.4
申请日：2016-06-17
Applicant: 同济大学
IPC: C08F112/08 , C08F120/14 , G01T1/00 , G01T3/06
Abstract: 本发明涉及一种利用模板制备光子晶体塑料闪烁体的方法，将基质单体与发光剂、移波剂和引发剂混合搅拌均匀并加热，然后倒入底部放置光子晶体模板的容器中，利用旋涂机使液体充分浸入模板空隙中，再置于烘箱进一步聚合，最后置于‑10℃的环境中，利用塑料闪烁体和模板膨胀系数的不同，使模板自动脱落，从而获得表面具有光子晶体结构的塑料闪烁体。与现有技术相比，本发明在聚合的过程中直接产生光子晶体结构，不必让塑料闪烁体再次加热软化，损害材料的性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106842384B
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201710146652.X
申请日：2017-03-13
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种复合光子晶体结构闪烁体，包括闪烁体基底、布置在闪烁体基底上的减反射层、布置在减反射层上的光子晶体层，减反射层由具有梯度折射率的锥形体或锥台体呈周期阵列或无序阵列构成，光子晶体层为内部形成周期性空气孔洞的高折射率材料层。与现有技术相比，本发明利用特定的减反层和光子晶体层相互结合，将菲涅尔反射和全内反射通盘考虑加以克服，最大限度提高光输出的效率，所采用技术方案易于低成本制备大面积样品，有利于实际应用和推广。
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公开(公告)号：CN108130512A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201711165986.8
申请日：2017-11-21
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种ZnO:Ga单晶纳米棒阵列X射线闪烁转换屏及其制备方法和应用，本发明利用射频反应磁控溅射在基片上制备ZnO种子层薄膜，然后利用低温水热法在基片上形成ZnO:Ga单晶纳米棒阵列，再通过氢气退火处理制得ZnO:Ga单晶纳米棒阵列X射线闪烁转换屏。与现有技术相比，本发明的ZnO:Ga单晶纳米棒阵列组分稳定、厚度均匀、无开裂，附着于基底十分牢固，闪烁发光性能优异，制得的ZnO:Ga单晶纳米棒阵列X射线闪烁转换屏可应用于高空间分辨率和高时间分辨率数字X射线成像。
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公开(公告)号：CN108062000A
公开(公告)日：2018-05-22
申请号：CN201711058721.8
申请日：2017-11-01
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种基于双层光刻胶的光子晶体闪烁体制备方法，在石英衬底表面旋涂PMMA光刻胶和HSQ光刻胶，采用同步辐射软X射线干涉光刻，曝光后获得HSQ胶的结构图案，通过反应离子束刻蚀的方法对PMMA层进行刻蚀，在所得到的结构表面沉积TiO2层，最后将塑料闪烁体旋涂在结构表面，制作得到具有光子晶体结构的闪烁体。与现有技术相比，本发明可以基于软X射线干涉光刻技术获得更深的结构刻蚀深度，提高了闪烁体的光输出效率，同时发挥了软X射线干涉光刻技术的大面积、小周期、高效率的优势。
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公开(公告)号：CN105137472B
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201510566346.2
申请日：2015-09-08
Applicant: 同济大学
IPC: G01T1/20
Abstract: 本发明涉及基于表面共振腔结构的定向发射闪烁体器件，包括闪烁体，布置在闪烁体出光面的平面共振腔，布置在闪烁体其余表面的反射涂层，平面共振腔包括自下而上依次设置的底部布拉格反射镜、中间层和顶部布拉格反射镜，其中底部布拉格反射镜的反射率高于顶部布拉格反射镜的反射率，平面共振腔的共振透射波长与闪烁体发射波长峰值匹配。该种发光方向性高度集中的闪烁体器件将大大提高光电探测器的收集效率，从而大幅提升闪烁探测系统的探测效率、灵敏度和信噪比，在辐射探测、射线成像、核医学和空间探测等领域具有非常重要的应用价值。
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