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公开(公告)号：CN109256494B
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201811047984.3
申请日：2018-09-10
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种SrCl2掺杂的钙钛矿量子点高效发光LED及其制备方法，属于照明技术领域。采用ITO为阴极，ZnO量子点膜/聚乙烯亚胺双层作为电子传输层和空穴阻挡层，其中ZnO量子点膜层的厚度为40～50nm，聚乙烯亚胺层的厚度为10～20nm；SrCl2掺杂的钙钛矿量子点为发光层，厚度为60～75nm；“4,4,4”‑三(咔唑‑9‑基)三苯胺作为空穴传输层和电子阻挡层，厚度为50～65nm；MoO3/Au为阳极，MoO3厚度为70～100nm，Au厚度为10～20nm。本发明SrCl2掺杂的钙钛矿量子点作为发光层，制备出LED器件，明显增强了器件的性能，具有低阈值工作电压和高外量子效率。
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公开(公告)号：CN107978688B
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201711324202.1
申请日：2017-12-13
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明涉及一种基于硫化铅包覆钙钛矿量子点的电致发光LED及制备方法。所述的电致发光LED包括：ITO玻璃作为底部电极；n型ZnO/聚乙烯亚胺作为电子传输层(ETL)和空穴阻挡层(HBL)；PbS包覆钙钛矿量子点作为发光层；p型4,4’，4”‑三(咔唑‑9‑基)苯胺薄膜作为空穴传输层(HTL)和电子阻挡层(EBL)；MoO3/Au作为顶部电极。其制备方法包括：首先制备铯油酸溶液，之后经制备PbS包覆的CsPbI3量子点、电子传输层和空穴阻挡层、发光层、空穴传输层和电子阻挡层等步骤，获得PbS包覆钙钛矿量子点电致发光LED。本发明通过采用PbS包覆钙钛矿量子点，提高钙钛矿量子点光电性能，同时保证其稳定性和保持其良好的半导体性能，并以此作为发光层制备高效稳定的电致发光LED。
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公开(公告)号：CN119451519A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411547329.X
申请日：2024-11-01
Applicant: 吉林大学
IPC: H10K71/12 , H10K71/15 , H10K71/16 , H10K50/115
Abstract: 本发明适用于发光器件技术领域，提供了一种基于金属纳米团簇的红光电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：将四氢噻吩金与4'‑乙炔基苯并15‑冠‑5溶解于二氯甲烷溶液中；滴加三乙胺溶液，挥发溶剂并用二氯甲烷溶液重新溶解得到橙红色溶液；将其密封，扩散结晶，收集橙红色针状晶体；将橙红色针状晶体与Cu(NCMe)4PF6溶解于二氯甲烷溶液中，得到透明红色溶液；将其密封，扩散结晶，收集红色针状晶体；将红色针状晶体溶解于含有TCTA与OXD‑7的二氯甲烷溶液中，得到主客体混合溶液；初步制备主客体与绝缘层修饰的团簇红光电致发光器件：将产物转移到真空腔内，依次沉积超薄LiF、PO‑T2T、LiF和Al层。本发明实施例的红光电致发光器件亮度提升明显，外量子效率高，器件稳定性好。
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公开(公告)号：CN118620611A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410650221.7
申请日：2024-05-24
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明适用于白光金属纳米团簇技术领域，提供了一种高效白光金属纳米团簇的制备方法，包括以下步骤：制备Au(I)‑硫酸盐配合物溶液；制备含有粗产物Au10SR10NCs的溶液；采用原生PAGE法对溶液进行分离提纯；将Au10SG10NCs粉末在水溶液溶解，加入磷酸盐缓冲液和4‑羟基间苯二甲醛，得到Au10SG10‑HOA NCs水溶液；将Au10SG10‑HOA NCs水溶液加入乙醇溶液中，通过溶剂效应产生AIE聚集，实现白光发光，得到白光Au10SG10‑HOA NCs。本发明还提供了一种高效白光金属纳米团簇。本发明还提供了一种高效白光金属纳米团簇在制备白光发光二极管中的应用。本发明制备方法操作简单，耗时少，耗能低，制备得到的HOA优化后的白光金属纳米团簇的样品溶液澄清，发光色纯度高，光致发光量子效率高，稳定性高。
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公开(公告)号：CN116322227A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310376618.7
申请日：2023-04-11
Applicant: 吉林大学
IPC: H10K71/00 , H10K71/12 , H10K71/16 , H10K71/60 , H10K71/40 , H10K50/11 , H10K50/15 , H10K85/50 , H10K85/10
Abstract: 本发明涉及钙钛矿材料技术领域，公开了基于二茂铁甲酸修饰的钙钛矿发光二极管及其制备方法，所示制备方法包括以下步骤：将ITO基底分别用去离子水、乙醇、二氯反复清洗，再运用紫外臭氧机进行清洗；将PEDOT:PSS溶液以旋转涂布的方式沉积到步骤1所得的基底表面，再进行退火处理；将二茂铁甲酸溶解到氯苯中，并且搅拌至溶液溶解，得到混合液，并将混合液以旋转涂布的方式沉积到步骤2所得的基底表面，再进行退火处理；将溴化铅，溴化铯，苯乙基溴化铵和冠醚溶解到DMSO和PVP的混合溶液中。本发明制备的准二维钙钛矿薄膜发光色纯度高，量子效率高，并且制备的钙钛矿发光器件发光性能高且稳定性高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115666148A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211356402.6
申请日：2022-11-01
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明涉及发光材料技术领域，为了解决现有的以钙钛矿纳米晶材料作为发光层的发光器件的光电性质不佳的问题，公开了一种CsPbI3红光钙钛矿纳米晶LED器件的优化方法。本发明对CsPbI3钙钛矿纳米晶的光电性质及稳定性进行优化，提升了CsPbI3纳米晶的光致发光量子产率，增强了纳米晶的电荷传输能力，很大程度地抑制了离子迁移，实现了2731cd/m2(TPP)和3188cd/m2(DPB)的峰值亮度以及19.2％(TPP)和21.6％(DPB)的最大外量子效率，且器件的稳定性相比于未优化的提升了近十倍。
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公开(公告)号：CN115322778A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202211087381.2
申请日：2022-09-07
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明涉及光电材料领域，为了解决现有的CsPb(Br/Cl)3纳米晶光电性能不佳的问题，公开了苯基三氟甲磺酸酯增强CsPb(Br/Cl)3纳米晶光电性能的方法，包括以下步骤：步骤1：将十八烯、油酸以及碳酸铯放在三颈瓶中，得到油酸铯溶液；步骤2：将溴化铅、氯化铅、苯基三氟甲磺酸酯、油酸、油胺以及十八烯倒入到三颈瓶中，并在高温下注入步骤1中的油酸铯溶液。本发明利用苯基三氟甲磺酸酯处理的CsPb(Br/Cl)3纳米晶的发光强度和薄膜电导率得到提升，且样品形貌尺寸均一，发光色纯度高，光致发光量子效率高，薄膜电导率提升；且本发明提供的方法，操作简单，耗时少。
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公开(公告)号：CN115305570A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202210975039.X
申请日：2022-08-15
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明涉及CsPb(Br/Cl)3纳米晶的制备技术领域，为了解决现有的CsPb(Br/Cl)3纳米晶的制备方法存在结晶度和发光色纯度低的问题，公开了双功能分子制备高效稳定CsPb(Br/Cl)3纳米晶的方法，包括。本发明得到的产物PLQY高达87％，远高于传统用氯化铅作为氯前驱体合成的CsPb(Br/Cl)3PeNCs，大大提高了器件的光谱稳定性；方法操作简单，耗时少，耗能低；本发明方法所制备的PFTS优化后的CsPb(Br/Cl)3纳米晶的样品形貌尺寸均一，结晶度高，发光色纯度高，光致发光量子效率高，稳定性高。
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公开(公告)号：CN114784215A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210336424.X
申请日：2022-03-31
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明适用于发光二极管领域，提供了一种准二维蓝光LED器件的制备方法，蓝光准二维LED器件是由准二维钙钛矿薄膜、电荷传输层及金属电极组成，其中准二维钙钛矿薄膜由纯溴基三维钙钛矿加合适长链有机配体构成。本发明在器件制备的过程中，将金属纳米团簇与传统传输层进行混合，调节原有传输层的电学性质，从而实现平衡载流子传输的效果，最终提升了钙钛矿发光器件的性能，具有制备工艺简单和效率高的优点，解决了现有蓝光准二维LED器件效率低的问题。
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公开(公告)号：CN113921732A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111168619.X
申请日：2021-09-30
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明适用于照明技术领域，提供了一种基于4‑碘‑D‑苯丙氨酸后处理的CsPbI3高效LED及其制备方法，包括：电致发光LED结构，所述电致发光LED结构包括阴极、电子传输层、发光层、空穴传输层、空穴注入层和阳极，所述阴极、电子传输层、发光层、空穴传输层、空穴注入层以及阳极依次连接，所述发光层采用4‑碘‑D‑苯丙氨酸后处理的CsPbI3。本发明能够利用4‑碘‑D‑苯丙氨酸后处理的CsPbI3纳米晶制备出高效的LED。
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