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公开(公告)号：CN111925507A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202010714955.9
申请日：2020-07-23
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种二噻吩并苯并硒二唑聚合物及其制备方法和应用。本发明先合成再与双(三甲基锡)取代的杂环化合物进行共聚反应，得到二噻吩并苯并硒二唑聚合物。本发明的二噻吩并苯并硒二唑聚合物具有宽带隙和较高的场致空穴迁移率，用在非富勒烯厚膜光电功能器件中可以实现较好的吸收互补和较高的光电转化效率。
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公开(公告)号：CN111892696A
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN202010714965.2
申请日：2020-07-23
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种二噻吩并苯稠环喹喔啉共轭聚合物及其制备方法和应用。本发明先合成再与双(三甲基锡)取代的杂环化合物进行共聚反应，得到二噻吩并苯稠环喹喔啉共轭聚合物。本发明的二噻吩并苯稠环喹喔啉共轭聚合物具有宽带隙和较高的场致空穴迁移率，用在非富勒烯厚膜光电功能器件中可以实现较好的吸收互补和较高的光电转化效率。
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公开(公告)号：CN111423464A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN202010270825.0
申请日：2020-04-08
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一类硅氧烷基取代的芳香稠环及其制备方法与应用。硅烷氧基取代芳香稠环结构如式所示，基于硅氧烷基取代芳香稠环的共轭小分子结构如式’所示。本发明提供的制备上述硅氧烷基取代芳香稠环以及基于这种结构的有机小分子受体的方法，合成工艺简单，操作方便、产物产率高，经仪器检测所得化合物结构正确，稳定性好。本发明所制备的基于硅氧烷基取代芳香稠环的有机小分子在可见光区和近红外区对太阳光有较强吸收，具有合适的电子能级，作为n-型窄带隙电子受体材料，可与宽、中等带隙P型聚合物或小分子给体搭配，应用于有机太阳电池。
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公开(公告)号：CN102399359B
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201110380227.X
申请日：2011-11-25
Applicant: 华南理工大学
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明涉及一种含磷酸酯基的三苯胺共轭聚合物及其应用。本发明通过选择多种共轭芳香单体与磷酸酯取代的三苯胺单体进行共聚，获得含磷酸酯基的三苯胺共轭聚合物。本发明所制备的新型三苯胺共聚物可用于制作光电功能器件，包括在有机发光二极管和有机光伏电池中用作与阴极接触的界面层。
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公开(公告)号：CN1663971A
公开(公告)日：2005-09-07
申请号：CN200510033100.5
申请日：2005-02-03
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种含硅杂环戊二烯的共轭聚合物及其在制备发光二极管、平板显示器、太阳能光伏电池、有机场效应晶体管中的应用。聚合物中包括一种硅杂环戊二烯化合物，还包括一种从芴、咔唑、苯并噻二唑选取的化合物。本发明提供的含硅杂环戊二烯的共轭聚合物具有高量子效率，色纯度好，较高载流子迁移率，长期稳定性好，适用于制作高分辨率、全色平面显示器件以及高性能太阳能光伏电池、有机场效应晶体管器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118185003A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410209474.0
申请日：2024-02-26
Applicant: 华南理工大学
IPC: C08G73/06 , H10K30/50 , H10K30/81 , C08K3/32 , C09D11/106 , C09D11/102
Abstract: 本发明公开了一种杂化导电聚合物分散体系及其制备方法和应用。所述杂化导电聚合物分散体系包括摩尔比为3：1～1：30的杂多酸化合物与芳香环或芳香杂环单体化合物混合，并使芳香环或芳香杂环单体发生氧化聚合反应，得到所述杂化导电聚合物分散体系。本发明所述杂化导电聚合物分散体系与PEDOT:PSS或其水溶液混合制得的复合材料可共同调节阳极界面的功函，降低界面酸度，同时杂化导电聚合物分散体系可以使得PEDOT:PSS中的PEDOT和PSS更好的相分离；将其应用于电极界面修饰时，制得的器件的稳定性和光电转换效率均提高。
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公开(公告)号：CN114975794A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210101850.5
申请日：2022-01-27
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L51/46 , H01L51/42 , C07D519/00
Abstract: 本发明涉及含有简单稠环小分子材料的器件结构，其结构包括活性层，所述活性层的厚度在500‑600nm，所述活性层中，包括电子给体材料和电子受体材料共混的结构，所述电子受体材料含有如下结构通式：上述材料应用于光电器件结构中，具有良好的光电效应，并且适用于活性层较厚的器件中，从而有利于实现roll‑to‑roll的工业化生产。
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公开(公告)号：CN103035844B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201210544360.9
申请日：2012-12-14
Applicant: 华南理工大学
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种倒装有机本体异质结太阳电池及其制备方法。倒装有机本体异质结太阳电池包括两两依次相连的衬底、阴极、阴极界面层、光活性层、阳极界面层和阳极，其中阴极界面层的材料由水溶性聚合物与水溶性盐组成的复合物构成。本发明利用水溶性聚合物和水溶性盐组成的复合物作为阴极界面层，制备了倒装有机本体异质结太阳电池，具有器件结构新颖性。本发明将水溶性阴极界面层应用于倒装有机本体异质结太阳电池，有效地改善了倒装电池的器件性能，所用的水溶性阴极界面层具有成本低廉，环境友好等特点。本发明采用的水溶性阴极界面层涂膜于ITO上，此制备过程工艺简单、容易控制，不需要高温处理，非常适合于柔性器件和大规模工业化生产。
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公开(公告)号：CN103642004A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201310567655.2
申请日：2013-11-14
Applicant: 华南理工大学
IPC: C08G61/12 , C07D495/04 , C07D519/00 , H01L51/46 , H01L51/30
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种含氟代苯并噻二唑的聚合物半导体及其制备方法与应用。本发明通过多种噻吩类单体与含氟代苯并噻二唑的多种单体进行共聚，获得含氟代苯并噻二唑的聚合物半导体。本发明所制备的新型含氟代苯并噻二唑的聚合物半导体具有对太阳光吸收性，因此可应用于制作聚合物太阳电池的活性层。本发明所制备的新型含氟代苯并噻二唑的聚合物半导体具有高载流子迁移能力，因此可应用于制作聚合物场效应晶体管的活性层。
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公开(公告)号：CN103554130A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201310508714.9
申请日：2013-10-24
Applicant: 华南理工大学
IPC: C07D495/04 , C08G61/12
CPC classification number: C07D495/04 , C08G61/126 , C08G2261/18 , C08G2261/3243
Abstract: 本发明涉及一种2-(4-取代苯甲酰基)-4,6-二溴噻吩并噻吩及其制备方法与应用。2-(4-取代苯甲酰基)-4,6-二溴噻吩并噻吩的取代基包括对氟苯甲酰基，对三氟甲基苯甲酰基，对烷基苯甲酰基；所述的制备方法包括2-(4-氟苯甲酰基)-4,6-二溴噻吩并噻吩或2-(4-三氟甲基苯甲酰基)-4,6-二溴噻吩并噻吩或2-(4-烷基苯甲酰基)-4,6-二溴噻吩并噻吩的制备，制备方法具有工艺简便和快捷制备的特征。本发明可用于构造新型含有2-(4-取代苯甲酰基)噻吩并噻吩的分子材料和基于2-(4-取代苯甲酰基)噻吩并噻吩的聚合物，以应用于具有广阔前景的有机光电子器件。
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