公开(公告)号：CN110133472B

公开(公告)日：2020-05-19

申请号：CN201910481839.4

申请日：2019-06-04

Applicant: 华北电力大学 ,  全球能源互联网研究院有限公司

Inventor： 顾妙松 ,  范迦羽 ,  崔翔 ,  唐新灵 ,  彭程 ,  李学宝 ,  李金元 ,  赵志斌

IPC: G01R31/265 ,  G01R31/27

Abstract: 本发明提供一种IGBT芯片的非接触式工作参数测量方法。所述测量方法首先利用双脉冲测试电路的仿真模型确定表示IGBT芯片的工作参数与IGBT芯片工作过程中产生的PETT振荡信号关系的拟合函数，然后利用所述双脉冲测试电路，获取不同的工作参数的实际值对应的PETT振荡信号参数的实际值，得到测试数据，根据测试数据确定拟合函数中的待定系数，得到拟合函数模型；然后采用天线获取IGBT芯片实际工作过程中产生的PETT振荡信号，并根据所述函数模型和实际工作过程中产生的PETT振荡信号，获取IGBT芯片实际工作过程的工作参数，实现了IGBT芯片的非接触式测量，进而实现了高压电力系统换流阀和断路器等中的IGBT芯片的工作参数的实时在线监测。

公开(公告)号：CN105552037B

公开(公告)日：2020-04-24

申请号：CN201510960380.8

申请日：2015-12-18

Applicant: 国网智能电网研究院 ,  国家电网公司 ,  华北电力大学

Inventor： 刘文广 ,  张朋 ,  李金元 ,  赵志斌 ,  崔翔 ,  唐新灵

IPC: H01L23/10 ,  H01L29/739

Abstract: 本发明提供一种新型压接式IGBT模块，包括管壳和同轴设于所述管壳上、下两端的板状金属电极，下端金属电极的内侧面上固定有凸台，所述凸台与上端金属电极之间压接有功率子模块；所述凸台以所述下端金属电极的中心为圆心，由内层到外层依次圆周等分布在所述下端金属电极的内侧面上。本发明提供的技术方案改善了压接式IGBT模块的凸台在通过瞬态电流时，部分电流过冲太大的问题，提高了压接式IGBT功率模块的可靠性，增大了压接式IGBT功率模块的安全工作区。

公开(公告)号：CN109752638A

公开(公告)日：2019-05-14

申请号：CN201910084809.X

申请日：2019-01-29

Applicant: 华北电力大学

Inventor： 彭程 ,  顾妙松 ,  杨艺烜 ,  赵志斌 ,  崔翔 ,  李学宝 ,  唐新灵

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明公开一种连续测量IGBT芯片输出曲线的装置及方法。所述装置包括电容，电感，被测IGBT，辅助IGBT，续流二极管，负载电阻，直流电压源，驱动脉冲生成器，电流测量装置和电压测量装置。所述方法基于电感充放电电路，通过一次充放电过程为被测IGBT提供连续变化的电流，同时测量IGBT的电流和电压，即可以得到被测IGBT芯片的整条输出曲线，达到简单、快速测量IGBT芯片输出曲线的效果。

公开(公告)号：CN206148429U

公开(公告)日：2017-05-03

申请号：CN201620356491.8

申请日：2016-04-25

Applicant: 华北电力大学 ,  全球能源互联网研究院 ,  国家电网公司

Inventor： 唐新灵 ,  莫申杨 ,  崔翔 ,  赵志斌 ,  张朋 ,  李金元 ,  温家良

IPC: H01L25/11 ,  H01L23/528

CPC classification number: H01L2224/0603 ,  H01L2224/4846 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2224/49175

Abstract: 本实用新型提供了一种便于串联使用的大功率IGBT模块，包括功率子单元、金属电极板和外部管壳；金属电极板设置在外部管壳的底部；外部管壳包括两列方形框架；两列方形框架之间留有空间形成一个条状框架；功率子单元设置在方形框架内且与金属电极板紧密接触，其包括金属端盖、栅极PCB板、辅助栅极PCB板和多个功率半导体芯片；辅助栅极PCB板设置在条状框架内；金属端盖、金属电极板和栅极PCB板分别与功率半导体芯片的集电极、发射极和栅极电气连接。与现有技术相比，本实用新型提供的一种便于串联使用的大功率IGBT模块，既有利于功率半导体器件的串联，同时不需要太大的钳位压力，降低了功率半导体器件在实际应用过程中对机械结构的要求。

公开(公告)号：CN206148403U

公开(公告)日：2017-05-03

申请号：CN201620356492.2

申请日：2016-04-25

Applicant: 华北电力大学 ,  全球能源互联网研究院 ,  国家电网公司

Inventor： 唐新灵 ,  莫申杨 ,  崔翔 ,  赵志斌 ,  张朋 ,  李金元 ,  温家良

IPC: H01L21/66

Abstract: 本实用新型提供了一种基于开关特性测量的IGBT芯片筛选结构，包括上端盖、下端盖和发射极金属电极；上端盖和下端盖均为凹形盖，上端盖和下端盖的两侧壁通过外框架弹簧连接形成一个长方体框架；发射极金属电极设置在长方体框架内，其包括圆盘形金属电极，及相对该圆盘形金属电极的中心轴对称分布的多个凸台，凸台上放置IGBT模块；圆盘形金属电极布置在下端盖上，其上面和侧面分别设置有一个栅极PCB板和一个辅助栅极/发射极端子。与现有技术相比，本实用新型提供的一种基于开关特性测量的IGBT芯片筛选结构，可以在主回路参数一致的条件下，测量多个并联的IGBT芯片的开关波形，从而综合评价芯片的动静态参数是否一致。