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公开(公告)号：CN112591853A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN202011443408.8
申请日：2020-12-08
Applicant: 华中科技大学
IPC: C02F1/44 , H01M10/613 , H01M10/6567 , C02F103/08
Abstract: 本发明属于电池热管理和海水淡化相关技术领域，其公开了一种海水淡化和电池冷却一体化装置，装置包括了锂电池组及膜蒸馏机构，锂电池组设置在膜蒸馏机构上方，且两者贴合在一起；膜蒸馏机构包括导热硅胶、两个铝板及蒸馏膜，导热硅胶贴合在锂电池组上，两个铝板间隔设置且两者之间形成有流道；蒸馏膜设置在流道中，并将流道分为给水流道及渗透流道，给水流道用于收容海水，渗透流道用于收容海水淡化后所形成的淡水；其中，锂电池组产生的热量加热海水，并使得海水蒸发，所形成的水蒸气在蒸馏膜两侧蒸汽分压差的作用下穿过蒸馏膜而进入渗透流道内，并不断受冷液化而冷凝成液态淡水。本发明结构简单，能耗消耗小，成本较低。
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公开(公告)号：CN110994072A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911326367.1
申请日：2019-12-20
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01M10/613 , H01M10/625 , H01M10/6551 , H01M10/6557 , H01M10/6568
Abstract: 本发明属于电池热管理相关技术领域，其公开了一种用于锂电池的并联式多通道液冷结构及锂电池，液冷结构包括分流管、多个间隔设置的冷板及集流管；冷板相背的两端分别设置有水平流道，两个水平流道分别与集流管及分流管垂直连接；冷板还开设有多个并联的竖直流道，竖直流道的两端分别与两个水平流道垂直连接；工作时，冷却介质进入分流管，并经由分流管分为多股流体后分别进入多个冷板邻近集流管的水平流道；之后，冷却介质经由对应的水平流道分为多股流体后分别沿着竖直流道在自身重力的作用下流经整个冷板，并最终汇集在冷板邻近集流管的水平流道内，继而进入集流管并自液冷结构流出。本发明提高了温控的性能及准确性。
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公开(公告)号：CN108507905A
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201810712553.8
申请日：2018-06-29
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01N11/00
Abstract: 本发明公开了一种利用液滴喷射的微量流体粘度测量系统及方法，该系统包括：气压控制单元、驱动单元和液滴测速单元；驱动单元包括电控制器、喷嘴、压电模块和液体容器；压电模块根据电控制器发出的控制信号挤压喷嘴从而喷射出液滴；气压控制单元连接至液体容器，向喷嘴内的液体提供平衡气压；驱动单元在不施加驱动力时喷嘴内充满液体且内部液面底部与喷嘴出口平齐的平衡状态；液滴测速单元用于测量液滴喷射速度。本发明的方法利用上述装置的平衡条件及测得的液滴喷射速度求取液体表面张力，进而算出根据液滴产生的临界值根据该临界值与稳定性的对应关系，求取流体粘度。本发明操作简单、成本低，利于推广使用。
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公开(公告)号：CN107154343A
公开(公告)日：2017-09-12
申请号：CN201710343221.2
申请日：2017-05-16
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/02
Abstract: 本发明属于芯片封装领域，并公开了一种控制芯片位错的方法。该方法包括：(a)将待处理芯片的基圆划分为核心区、过渡区和边缘区，其中，核心区是以待处理芯片的基圆的圆心为中心，直径为d1的圆形区域，过渡区是核心区外的圆环区域，且介于核心区和边缘区之间；(b)将待处理芯片置于惰性保护气体中，并分别加热核心区和边缘区，然后将待处理芯片退火，其中，核心区的加热温度高于边缘区，使得核心区的空位和氧间隙原子扩散，以及位错滑移至边缘区，从而完成待处理芯片的处理。通过本发明，有效控制芯片基圆的位错分布，提高芯片基圆高质量区域面积占比，提高芯片成品率和使用性能，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN106952872A
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201710345190.4
申请日：2017-05-16
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于芯片封装领域，并公开了一种芯片封装前的预处理方法。其包括：(a)将待处理芯片划分为多个核心功能区，分别且同时加热各个核心功能区，使得各个核心功能区内部形成均匀的热应力；(b)将核心功能区从待处理芯片上分离得到所需待封装的部分，分离过程使得该部分的热应力得以释放，由此完成该待处理芯片封装前的预处理。通过本发明，有效控制芯片切割工艺产生的微裂纹以及其他影响芯片性能的晶体缺陷，提高芯片功能核心区的质量，显著提高芯片成品率和使用性能，降低生产成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104498904B
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201410844764.9
申请日：2014-12-29
Applicant: 华中科技大学
IPC: C23C16/455
Abstract: 一种用于MOCVD设备的喷淋头，属于气体喷淋装置，解决现有喷淋头存在的原料气体不能均匀混合的问题，同时减少在喷淋头顶部出现沉积堵塞喷口的问题。本发明包括底座、下隔板、上隔板、顶盖和中心导管，顶盖和底盖之间被隔成上层气腔、中间气腔和底层腔体；多根上层气管平行穿过上隔板、下隔板和底盖，多根下层气管平行穿过下隔板和底盖，各上层气管和下层气管下端分别装设有长喷嘴和短喷嘴；长喷嘴和短喷嘴在底盖下表面交错均匀排列。本发明通过对长、短喷嘴的分配方式，可以提高反应腔内气体均匀性，提高反应速率，抑制反应物在顶部避免沉积造成喷口堵塞的情况，能够提高晶体生长质量，显著提高晶体成品率，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN104372403B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201410631857.3
申请日：2014-11-11
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种用于多晶硅铸锭炉的隔热块，设置在多晶硅铸锭炉的坩埚底部外周，用于坩埚加热或冷却多晶硅过程中的隔热保温，该隔热块为中空方形筒体结构，筒体筒壁为中空夹层结构，其中内壁用于包覆设置在坩埚底部的热交换块外周壁面，且该内壁与所述热交换块外周壁面具有间隙，所述外壁用于与设置在坩埚外围的竖直隔热板固定接触，所述坩埚中心线、热交换块中心线以及隔热块中心线重合，且所述隔热块顶部低于热交换块顶部。本发明还公开了具有该隔热块的铸锭炉。本发明不仅可以缩短硅锭铸造过程中化料时间，降低能耗，而且能够有效抑制形核初期坩埚壁附近晶粒优先生长，获得微凸和比较平直的凝固界面，进而提高硅锭质量。
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公开(公告)号：CN104611764A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201510029789.8
申请日：2015-01-21
Applicant: 华中科技大学
IPC: C30B15/00
Abstract: 本发明公开了一种微向下提拉晶体生长炉，包括自上而下设置的上部绝热层和底部绝热层(13)，底部绝热层(13)内还设置有观察孔(4)，观察孔(4)呈管状，其中心轴线与底部绝热层(13)顶表面的法线的夹角为45°～60°；内层绝热层、中间绝热层和底部绝热层(13)均由质量比为1:9的氧化锆和氧化铝压制煅烧而成。本发明设置的观察窗口能够及时观察晶体生长界面的晶体生长状况；并且，该观察窗口对晶体生长炉的温度场影响小，能够进一步提高晶体生长的成品率。
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公开(公告)号：CN104591103A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201410844212.8
申请日：2014-12-30
Applicant: 华中科技大学
CPC classification number: C01B19/00
Abstract: 一种Bi2Te3-xSx热电材料及其制备方法，属于热电材料及其制备方法，目的在于提高本来用于低温区的Bi2Te3基热电材料在中温区内的相关热电性能，同时解决现有中温热电材料对环境造成不利影响的问题。本发明分别将准备好的高纯的铋粉(Bi)、碲粉(Te)、硫粉(S)按照预定原子比称重混合之后，放置于球磨罐中，在氩气保护的气氛下进行机械合金化处理，然后将所得到的粉料装于石墨模具中进行放电等离子烧结，既可得Bi2Te3-xSx的块体材料。本发明工艺简单，制备周期短，制备过程耗材少成本低，可操作性强，通过材料中S元素的引进，提高了本来用于低温区的Bi2Te3基热电材料在中温区内的相关热电性能，并对环境友好，解决了现有中温热电材料对环境造成不利影响的问题。
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公开(公告)号：CN104576913A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410837309.6
申请日：2014-12-29
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 一种半导体温差发电片，属于半导体温差发电器件，解决现有半导体温差发电片功率较低、厚度较大的问题，以便于夹紧和应用至微型电子器件中。本发明由上绝缘导热板、下绝缘导热板及其之间的2N个温差发电单元构成，各温差发电单元包括左、右温差电偶臂，上导流片和左、右导流片，左、右温差电偶臂均为矩形，面积为(0.1mm～10mm)×(0.1mm～10mm)，面长比为0.52mm～8.33mm，均采用多浓度梯度温差耦合材料制作。本发明厚度薄、功率大、能有效减小体积和投资成本，不仅能够在不同温度梯度和荷载条件下稳定运行，也能够提高所匹配负载的额定功率，尤其适用于热源品味小、使用空间狭窄、负载额定功率较大的工况条件。
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