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公开(公告)号：CN115224932B
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202211021916.6
申请日：2022-08-24
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本公开涉及电路技术领域，具体涉及一种电荷泵电路、芯片及电子设备，所述电荷泵电路包括：至少两级电荷泵单元和辅助级单元；在所述至少两级电荷泵单元中，第i级电荷泵单元中第一N型场效应晶体管的体端与第i+1级电荷泵单元中第一N型场效应晶体管的漏端以及第i+1级电荷泵单元中第一P型场效应晶体管的漏端连接，第i级电荷泵单元中第二N型场效应晶体管的体端与第i+1级电荷泵单元中第二N型场效应晶体管的漏端以及第i+1级电荷泵单元中第二P型场效应晶体管的漏端连接。采用该方案，通过开关管的前馈体偏置电压，能够降低开关管导通状态下的阈值电压，使得开关管导通电阻变小，有利于电荷泵在超低电压下工作。
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公开(公告)号：CN115588969A
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN202211326659.7
申请日：2022-10-27
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: H02H7/20 , H03K17/687
Abstract: 本公开实施例公开了一种防止场效应晶体管漏电的电路、芯片及电子装置，该电路包括：MOSFET模块和衬底电压生成模块，MOSFET模块包括：第一电阻、第一开关和第一MOSFET，衬底电压生成模块的第一输入端与第一电压源连接、第二输入端与第二电压源连接、且输出端与第一MOSFET的衬底连接；第一MOSFET的源极与第一电压源连接、漏极与第二电压源连接、且栅极与第一电阻的第一端连接，第一电阻的第一端与第一开关的第一端连接，第一开关的第二端与电流源的一端连接，第一电阻的第二端与第一MOSFET的衬底连接。通过该电路结构，有效避免MOSFET的沟道漏电。
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公开(公告)号：CN114978146A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210573949.5
申请日：2022-05-24
Applicant: 北京智芯半导体科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: H03K19/0175 , H03K19/0185 , H03K19/003
Abstract: 本发明公开了一种电平转换电路、芯片及电子设备，其中电平转换电路包括：输入单元，输入单元与信号输入端相连，用于对信号输入端的输入信号进行电压限制处理得到第一电压；衬底偏置转换单元，衬底偏置转换单元与输入单元相连，用于在第一电压的作用下，基于不同的衬底偏置效应生成第一电流和第二电流；电流镜像单元，电流镜像单元与衬底偏置转换单元相连，用于对第一电流和第二电流进行比较；输出电压转换单元，输出电压转换单元与电流镜像单元和信号输出端相连，用于对比较结果进行电压转换得到输出信号，并通过信号输出端输出。由此，实现了低功耗、大摆幅的电平转换功能，提高了电平转换电路的适用性。
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公开(公告)号：CN112306865B
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202011148013.5
申请日：2020-10-23
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC: G06F11/36 , G06K19/077
Abstract: 本发明涉及射频测试技术领域，提供一种基于射频门的读写器天线调试方法及装置，射频门内部设置有多个电子标签和读写器天线，读写器天线连接至预先设置的读写器；所述方法包括：读写器在预设功率范围内以预设功率步长读取多个电子标签，获得每个功率点下所读到的电子标签的标识；其中，读写器在预设功率范围的最小值下读取不到任何电子标签，且读写器的预设实际工作功率位于预设功率范围内；根据每个功率点下所读到的电子标签的标识，获得多个电子标签中每个电子标签所在位置的射频能量值；根据多个电子标签中每个电子标签所在位置的射频能量值对读写器天线进行调试。本发明提供的技术方案，能够准确、快速地调试读写器天线，从而提高工作效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112393814A
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN202011163172.2
申请日：2020-10-27
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
Abstract: 本发明提供一种宽量程温度计算方法、系统、温度传感器及温度测量方法，属于传感器及温度测量补偿计算领域。所述宽量程温度计算方法包括：获取偏置电流为第一偏置电流I1时晶体管产生的与温度相关的第一电压VBE_1；将所述第一电压VBE_1与温度界限值对应的电压阈值VBE_g进行比较：若VBE_1≥VBE_g，则获取偏置电流为第二偏置电流I2时晶体管产生的与温度相关的第二电压VBE_2；计算第一电压VBE_1与第二电压VBE_2的差值ΔVBE，根据ΔVBE计算温度值；若VBE_1＜VBE_g，则获取偏置电流为第三偏置电流I3时晶体管产生的与温度相关的第三电压VBE_3；根据第三电压VBE_3和温度补偿公式计算温度值。在超出温度界限时采用温度补偿公式计算温度值，实现非线性补偿，得到较为准确的温度值。
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公开(公告)号：CN110851110A
公开(公告)日：2020-02-28
申请号：CN201911120525.8
申请日：2019-11-15
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司
IPC: G06F7/535
Abstract: 本发明公开了一种无除法器的除三电路，电路中的Esum加法器用于对二进制数据中位于偶数位的各个二进制数进行相加从而得到加数Esum。Osum加法器用于对二进制数据中位于奇数位的各个二进制数进行相加从而得到加数Osum。第一多路选择器用于比较加数Esum和加数Osum，若加数Esum大于等于加数Osum，则计算加数Esum和加数Osum的差，并将加数Esum和加数Osum的差进行输出，若加数Esum小于加数Osum，则计算加数Osum和加数Esum的差，并将该差值左移1位，从而得到加数Osum和加数Esum的差的两倍，并将其进行输出。该无除法器的除三电路能够节约硬件资源、降低功耗以及成本。
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公开(公告)号：CN119782934A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411871048.X
申请日：2024-12-18
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 重庆邮电大学
IPC: G06F18/2415 , G06F18/214 , G06F18/213 , G06Q50/06 , G06N3/0464 , G06N3/08
Abstract: 本公开涉及电力故障检测技术领域，具体涉及公开了一种直流故障电弧检测及其模型训练方法、装置、设备及介质，该方法包括：获取直流电信号；对所述直流电信号进行经验模态分解EMD，得到多层本征模态函数IMF分量；从所述多层IMF分量中选取有效信息量最大的N层IMF分量，所述N为大于等于2的整数；提取所述N层IMF分量中的每层IMF分量的M个时域特征，得到N*M个特征，所述M为大于等于1的整数；将所述N*M个特征输入至预先训练好的卷积神经网络CNN识别模型中，得到预先训练好的CNN识别模型输出的直流故障电弧检测结果。该技术方案可以准确快速地进行直流故障电弧检测，主要用于直流故障电弧检测。
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公开(公告)号：CN119582610A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411437584.9
申请日：2024-10-15
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 长安大学
Abstract: 本发明涉及电子电路技术领域，公开一种移相电路、降压型开关变换器组以及变换器芯片。移相电路包括：延时移相模块，包括多个延时移相单元；译码器，输入端与不同的输入电压信号相连，及多个输出端分别与多个延时移相单元的控制端相连；比较器，正、负输入端分别与延时移相模块的输出端、参考电压相连；触发器，R端与时钟信号相连，输出端与延时移相模块的输入端相连，及S端与比较器的输出端相连，译码器用于响应于特定的输入电压信号控制相应延时移相单元导通，以通过比较器输出移相后的时钟信号。本发明可有效地对时钟进行相位移动，以多相位进行多相操作，能提供工程应用所需要的足够的负载电流，且电感电流纹波得以抵消，输出电压纹波更小。
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公开(公告)号：CN119471396A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411659574.X
申请日：2024-11-20
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: G01R31/367 , G01R31/3835 , G01R19/00 , G06F17/11
Abstract: 本公开涉及电池电压采集技术领域，具体涉及一种基于卡尔曼滤波的电池电压采集方法、装置、电子设备及可读存储介质，所述方法包括：获取多个历史采集时刻的测量新息、多个历史采集时刻的卡尔曼增益；根据多个历史采集时刻的测量新息、多个历史采集时刻的卡尔曼增益，将指定采集时刻上一采集时刻的过程噪声协方差和观测噪声协方差，更新为指定采集时刻的过程噪声协方差和指定采集时刻的观测噪声协方差。本公开能够对过程噪声协方差和观测噪声协方差进行实时更新，本公开的技术方案具有强跟踪特性，使得最优电压估计值更接近真实值，进一步提升了对周期性噪声的滤波效果，提高了电压采集的准确性。
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