公开(公告)号：CN108728813A

公开(公告)日：2018-11-02

申请号：CN201710278012.4

申请日：2017-04-25

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴慕鸿 ,  张智宏 ,  徐小志 ,  俞大鹏 ,  王恩哥 ,  刘开辉

IPC: C23C14/56 ,  C23C16/54 ,  C30B29/64 ,  C30B23/00 ,  C30B25/00

Abstract: 本发明提供了一种快速连续制备超大单晶薄膜的方法及装置，涉及超大单晶薄膜的制备方法。所述方法为将原材料(如金属箔片)或所需耐高温衬底放在耐高温隔离支架中，置于局部高温加热体上，然后利用常压化学或物理气相沉积法，采用局部高温加热，并在非熔融状态下利用高温驱动单个小晶畴或成核位点长大的原理，通过两端的转动装置，直接或在各类耐高温衬底表面快速连续获得高质量超大单晶薄膜。本发明提出的方法，解决了传统方法制备的单晶薄膜能耗高、工艺复杂、设备昂贵，以及所制备单晶薄膜尺寸受限、质量不高导致性能大大降低等技术问题，通过非常简单的方法，实现了快速连续制备高质量超大单晶薄膜样品。

公开(公告)号：CN107740118A

公开(公告)日：2018-02-27

申请号：CN201710961693.4

申请日：2017-10-17

Applicant: 北京大学

Inventor： 徐小志 ,  俞大鹏 ,  王恩哥 ,  刘开辉

IPC: C23F15/00

CPC classification number: C23F15/00

Abstract: 本发明提供了一种晶面依赖的石墨烯防护金属腐蚀的方法。所述方法将石墨烯利用化学气相沉积等方法覆盖在金属箔片表面，利用石墨烯的完全不可穿透性以及与金属衬底之间的相互作用，对自然氧化、热水蒸汽熏以及海水环境下的金属进行防护，保护金属不被腐蚀。本发明提出的方法，解决了金属氧化腐蚀的问题，通过非常简单的方法，实现了石墨烯对金属的防护。

公开(公告)号：CN105603514B

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201610098623.6

申请日：2016-02-23

Applicant: 北京大学

Inventor： 徐小志 ,  张智宏 ,  刘开辉

IPC: C30B25/18 ,  C30B1/02 ,  C30B29/02

Abstract: 本发明提供了一种大尺寸Cu(111)单晶铜箔和超大尺寸单晶石墨烯的制备方法。所述方法为用掺杂金属元素的多晶铜箔作为原料，利用特殊退火工艺制备出超大尺寸单晶Cu(111)，然后利用常压化学气相沉积法，以Cu(111)单晶为衬底获得超大尺寸高质量单晶石墨烯。本发明提出的方法，解决了单晶Cu(111)价格昂贵的问题，并利用衬底的调控作用制备出超大尺寸单晶石墨烯，解决了石墨烯生长中单晶尺寸小、生长过程复杂等技术问题，通过非常简单的方法，实现了铜箔单晶和高质量大尺寸的单晶石墨烯样品的制备。

公开(公告)号：CN105112998A

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：CN201510561590.X

申请日：2015-09-07

Applicant: 北京大学

Inventor： 徐小志 ,  张智宏 ,  刘开辉

IPC: C30B29/02 ,  C30B25/18

Abstract: 本发明提供了一种氧化物衬底辅助的快速制备大尺寸单晶石墨烯的方法，涉及单晶石墨烯的制备方法。其主要特征为用金属箔片作为催化剂及生长基底，用氧化物作为衬底与金属箔片紧密接触，然后利用常压化学气相沉积法，快速获得大尺寸高质量单晶石墨烯。本发明提出的方法，解决了CVD方法制备大尺寸单晶石墨烯中常用单晶作为基底、基底表面处理工序复杂且生长周期长等技术问题，通过非常简单的方法，实现了极其快速地制备出高质量大尺寸的单晶石墨烯样品。