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公开(公告)号：CN101454908A
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200780019441.4
申请日：2007-05-29
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L21/02392 , H01L21/02395 , H01L21/02461 , H01L21/02543 , H01L21/02576 , H01L24/05 , H01L33/02 , H01L33/025 , H01L2224/04042 , H01L2224/48463
Abstract: 本发明的发光元件(100)具有发光层部(24)，其具有依次积层AlGaInP所分别构成之n型包覆层(4)、有源层(5)及p型包覆层(6)的双异质结构；且以部分覆盖第一主表面侧为p型、第二主表面侧为n型之贴合对象层(50)第一主表面的形式，形成光取出侧电极(9)。又，在该贴合对象层(50)的第二主表面贴合由III－V族化合物半导体所构成之n型透明元件基板(90)(能带间隙能量大于有源层)。接着，在透明元件基板与贴合对象层(50)之一侧，形成与另一侧之贴合面，且形成贴合面侧形成有n型掺杂物Si浓化之高浓度Si掺杂层3d的InGaP中间层(3)。由此，本发明提供一种即使是在发光层部与透明导电性半导体基板之贴合面侧为n型，形成于贴合面侧之InGaP中间层以Si掺杂成n型时，可充分降低在贴合界面之元件串联电阻，也可谋求该切换反应性的发光元件。
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公开(公告)号：CN117813674A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202280055853.8
申请日：2022-08-01
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 石崎顺也
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明为一种暂时接合晶圆，其特征在于，其为外延功能层与支撑基板暂时接合而成的暂时接合晶圆，该外延功能层在一侧的面上具有极性不同的两个以上的电极，所述外延功能层的具有所述电极的面与所述支撑基板通过未固化的热固化型接合材料而暂时接合。由此，提供一种对于暂时接合晶圆而言，能够减少接合处理后的基板去除工序后的接合不良、剥离不良，提高成品率，并且能够容易地去除暂时支撑基板的技术。
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公开(公告)号：CN117321732A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202280035568.X
申请日：2022-03-17
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明涉及化合物半导体接合基板的制造方法，其包括下述工序：(1)使化合物半导体功能层在起始基板上外延生长的工序；(2)将支撑基板暂时接合于所述外延生长面，制成第一化合物半导体接合基板的工序；(3)将所述起始基板从所述第一化合物半导体接合基板中去除，制成第二化合物半导体接合基板的工序；(4)将所述第二化合物半导体接合基板的去除了所述起始基板的面正式接合于永久基板，制成第三化合物半导体接合基板的工序；及(5)将所述支撑基板从所述第三化合物半导体接合基板中去除，制成第四化合物半导体接合基板的工序；其中，暂时接合通过热固性树脂而进行，且不使该热固性树脂固化而使其保持软化状态，并且，正式接合通过硅氧化膜或硅氮化膜而进行。由此，提供一种提高了器件或器件系统设计上的自由度的化合物半导体接合基板的制造方法。
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公开(公告)号：CN116779429A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310217186.5
申请日：2023-03-08
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L21/762
Abstract: 本发明提供一种接合型晶圆的制造方法，其能够减少因BCB(苯并环丁烯)的热固性不良而产生的外延层的不良部分。本发明的接合型晶圆的制造方法是隔着苯并环丁烯将含P(磷)的外延晶圆与待接合晶圆接合的接合型晶圆的制造方法，该制造方法的特征在于，使用具备起始基板与外延层的外延晶圆作为所述外延晶圆，所述起始基板具有第一面及与所述第一面相反一侧的第二面，所述外延层形成在所述起始基板的所述第一面上且含有磷，将在外延生长过程中绕至所述外延晶圆的所述起始基板的所述第二面而于该面析出的析出物后，进行所述苯并环丁烯的热固化。
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公开(公告)号：CN115917764A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202180042346.6
申请日：2021-06-08
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 石崎顺也
Abstract: 本发明是一种接合型半导体受光元件(100)，其是将作为器件功能层(10)的外延层以及与该器件功能层(10)为不同材料的支撑基板(30)经由接合材料层(20)接合而成的接合型半导体受光元件(100)，其特征在于，在所述器件功能层(10)的接合面(10A)形成有凹凸图案(10B)。由此，提供一种可展现优异的机械强度的接合型半导体受光元件(100)，以及可制造机械强度较高的接合型半导体受光元件(100)的制造方法。
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公开(公告)号：CN113924637A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202080038718.3
申请日：2020-05-26
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 石崎顺也
IPC: H01L21/50 , H01L21/60 , H01L25/16 , H01L27/142
Abstract: 本发明是制造具备太阳能电池结构且具有驱动电路的电子设备的方法，包括以下工序：准备在初始基板上具有太阳能电池结构的第一晶圆和形成有驱动电路的第二晶圆，其中，在第一晶圆和第二晶圆的任一个上具有多个独立的二极管电路和电容器功能层叠部；以太阳能电池结构与二极管电路、电容器功能层叠部以及驱动电路重叠的方式进行接合而形成接合晶圆；进行配线；以及切割接合晶圆。由此，提供一种在一个芯片中具备驱动电路和太阳能电池结构以及电容器功能部，并且抑制了制造成本的电子设备的制造方法以及这样的电子设备。
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公开(公告)号：CN107591463B
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN201710521506.0
申请日：2017-06-30
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 石崎顺也
Abstract: 本发明公开了一种发光组件，包含窗口层兼支承基板及设置于窗口层兼支承基板上的发光层，发光层依序含有第二导电型的第二半导体层、活性层及第一导电型的第一半导体层，其中发光组件具有：经除去至少第一半导体层及活性层的除去部、除去部以外的非除去部、设置于非除去部而接与第一半导体层的第一奥姆电极、及设置于除去部而接与第二半导体层或窗口层兼支承基板的第二奥姆电极，其中在对应于为窗口层兼支承基板的发光层的相反侧的光提取面处的发光层的区域中，于较对应于发光层的区域更窄的范围设置有凹部，凹部的底面为经粗糙化。
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公开(公告)号：CN110581201A
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201910479333.X
申请日：2019-06-04
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 石崎顺也
Abstract: 本发明的目的在于提供使光提取效率提升的通过SiO2层等的介电质膜接合窗层兼支承基板并除去起始基板而制造的类型的发光组件及其制造方法。本发明的发光组件，包括窗层兼支承基板及发光部，发光部依序包含设置在窗层兼支承基板上的第二导电型的第二半导体层、活性层及第一导电型的第一半导体层，发光组件包含：除去部，至少除去第一半导体层及活性层；非除去部，为除去部以外；第一奥姆电极，设置在非除去部；以及第二奥姆电极，设置在除去部，其中窗层兼支承基板与发光部通过介电质膜而相接合，发光部与介电质膜之间具有反射防止层。
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公开(公告)号：CN107112389B
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201580069819.6
申请日：2015-12-09
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L33/22 , H01L33/30 , H01L21/306
Abstract: 本发明提供一种发光组件，具有窗层兼支持基板及设置于窗层兼支持基板上的发光部，发光部依序包含第二导电型的第二半导体层、活性层、及第一导电型的第一半导体层，其中第一半导体层上设置有第一奥姆电极，第一半导体层的表面以及发光部的侧面的至少一部份以绝缘保护膜所覆盖，第一半导体层的表面以及窗层兼支持基板的表面经表面粗糙化，以及第一半导体层由至少二层以上的结构所构成，其中施以表面粗糙化处理侧的层经与活性层侧的层相比系由Al成分较少的材料所构成。由此能维持披覆层的载子局限效果，并获得所期望的粗糙面形状。
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