公开(公告)号：CN118112887A

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202311617357.X

申请日：2023-11-29

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 大桥正树 ,  片山和弘 ,  山平达也 ,  大友雄太郎 ,  大山皓介

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/039 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明涉及抗蚀剂组成物及图案形成方法。本发明的课题为提供在使用高能射线的光刻中，抗图案崩塌且极限分辨性优异，又感度、LWR亦经改善的抗蚀剂组成物；以及使用该抗蚀剂组成物的图案形成方法。本发明的解决手段为一种抗蚀剂组成物，包含：(A)含有包含具有酸不稳定基团的重复单元的聚合物的基础聚合物、(B)有机溶剂、及(C)下式(1)表示的鎓盐。zq+xq‑(1)式中，Zq+为锍阳离子、錪阳离子或铵阳离子。Xq‑为阴离子。但，将Xq‑作为共轭碱的酸(XqH)，其沸点未满165℃且分子量是150以下。

公开(公告)号：CN110824838B

公开(公告)日：2023-09-22

申请号：CN201910728707.7

申请日：2019-08-08

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 畠山润 ,  大桥正树 ,  藤原敬之

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/039 ,  G03F7/00

Abstract: 本发明涉及抗蚀剂组合物和图案化方法，其中，包含基础聚合物和具有经由二价烃基键合至氮原子的碘取代的芳环的胺化合物形式的猝灭剂的抗蚀剂组合物提供高感光度和最小的LWR或改进的CDU，而不管其具有正色调还是负色调。

公开(公告)号：CN111793054B

公开(公告)日：2023-07-07

申请号：CN202010256383.4

申请日：2020-04-02

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 福岛将大 ,  大桥正树 ,  片山和弘 ,  计良祐纪

IPC: C07D319/06 ,  C07D321/06 ,  C07C381/12 ,  C07C309/12 ,  C07D333/48 ,  C07D307/00 ,  C07D317/18 ,  G03F7/004 ,  G03F7/20 ,  G03F7/32

Abstract: 本发明涉及锍化合物、化学增幅抗蚀剂组成物、以及图案形成方法。本发明的课题是提供一种新颖锍化合物，其是在以高能量射线作为光源的光刻中，高感度且酸扩散小、各种光刻性能优异的化学增幅抗蚀剂组成物中使用的；并提供含有该锍化合物作为光酸产生剂的化学增幅抗蚀剂组成物、及使用了该化学增幅抗蚀剂组成物的图案形成方法。本发明提供一种锍化合物，以下式(A)表示；以及提供一种化学增幅抗蚀剂组成物，含有由前述锍化合物构成的光酸产生剂及基础树脂。

公开(公告)号：CN110885282B

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN201910856590.0

申请日：2019-09-11

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 藤原敬之 ,  大桥正树 ,  片山和弘 ,  山田健司

IPC: C07C25/18 ,  C07C59/115 ,  C07C51/41 ,  C07C43/225 ,  C07D207/27 ,  G03F7/004 ,  G03F7/039 ,  G03F7/32

Abstract: 本发明为碘鎓盐、抗蚀剂组合物和图案形成方法。提供了新的羧酸碘鎓盐和包含其作为猝灭剂的抗蚀剂组合物。当将所述抗蚀剂组合物通过使用KrF或ArF准分子激光、EB或EUV的光刻法进行加工时，形成在矩形性、MEF、LWR和CDU方面得以改进的抗蚀剂图案。

公开(公告)号：CN107918248B

公开(公告)日：2021-09-10

申请号：CN201710912844.7

申请日：2017-09-30

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 畠山润 ,  大桥正树 ,  佐佐见武志

IPC: G03F7/039 ,  G03F7/038 ,  G03F7/004 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明涉及抗蚀剂组合物和图案化方法。本发明提供包含基体聚合物和羧酸或磺酰胺的金属盐的抗蚀剂组合物，金属选自钙、锶、钡、铈、铝、铟、镓、铊、钪和钇。抗蚀剂组合物显示出增敏效果和酸扩散抑制效果，且形成具有改进的分辨率、LWR和CDU的图案。

公开(公告)号：CN108255019B

公开(公告)日：2021-04-09

申请号：CN201711451906.5

申请日：2017-12-28

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 小竹正晃 ,  增永惠一 ,  渡边聪 ,  大桥正树

IPC: G03F7/039 ,  G03F7/004 ,  G03F7/20 ,  G03F1/76

Abstract: 本发明涉及化学增幅型正型抗蚀剂组合物和抗蚀剂图案形成方法。包含适于在酸的作用下分解以增大其在碱显影剂中的溶解度的聚合物和式(A)的锍化合物的正型抗蚀剂组合物具有高分辨率。通过光刻加工该抗蚀剂组合物时，能够形成具有最小LER的图案。

公开(公告)号：CN107688279B

公开(公告)日：2020-11-13

申请号：CN201710660209.4

申请日：2017-08-04

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 增永惠一 ,  渡边聪 ,  小竹正晃 ,  大桥正树

IPC: G03F7/039 ,  G03F7/004 ,  G03F1/76

Abstract: 本发明为正型抗蚀剂组合物、抗蚀剂图案形成方法和光掩模坯。包括适于在酸的作用下分解以增加其在碱性显影剂中的溶解度的聚合物和特定结构的锍化合物的正型抗蚀剂组合物具有高分辨率。当通过光刻法加工抗蚀剂组合物时，可以形成具有最小LER的图案。

公开(公告)号：CN107703716B

公开(公告)日：2020-10-23

申请号：CN201710668353.2

申请日：2017-08-08

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 畠山润 ,  大桥正树

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/038 ,  G03F7/039 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明涉及抗蚀剂材料和图案形成方法。本发明提供在正型抗蚀剂材料和负型抗蚀剂材料中都为高灵敏度且LWR、CDU小的抗蚀剂材料以及使用其的图案形成方法。抗蚀剂材料，其包含基础聚合物和产酸剂，该产酸剂包含由下述式(1‑1)表示的锍盐或者由下述式(1‑2)表示的碘鎓盐。

公开(公告)号：CN111458980A

公开(公告)日：2020-07-28

申请号：CN202010072206.0

申请日：2020-01-21

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 荻原勤 ,  美谷岛祐介 ,  金山昌广 ,  渡边司 ,  大桥正树

IPC: G03F7/075 ,  G03F7/11

Abstract: 本发明涉及一种含硅抗蚀剂下层膜形成用组成物及图案形成方法。本发明目的为提供在利用以酸作为催化剂的化学增幅抗蚀剂形成的微细图案中可改善LWR、CDU的抗蚀剂下层膜。解决方法为一种含硅抗蚀剂下层膜形成用组成物，至少含有：下述通式(P-0)表示的化合物的1种或2种以上，及热交联性聚硅氧烷(Sx)。[化1]在此，R100表示经1个或2个以上的氟原子取代的2价有机基团，R101及R102分别独立地表示碳数1～20的直链状或分支状或环状的1价烃基。R103表示碳数1～20的直链状或分支状或环状的2价烃基。又，R101和R102、或R101和R103也可互相键结并和式中的硫原子一起形成环。L104表示单键或碳数1～20的直链状或分支状或环状的2价烃基。

公开(公告)号：CN111100043A

公开(公告)日：2020-05-05

申请号：CN201911021773.7

申请日：2019-10-25

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 土门大将 ,  井上直也 ,  大桥正树 ,  增永惠一 ,  小竹正晃

IPC: C07C311/48 ,  C07C321/20 ,  C07D327/08 ,  C07C309/31 ,  G03F7/00

Abstract: 本发明为鎓盐、负型抗蚀剂组合物和抗蚀剂图案形成方法。提供负型抗蚀剂组合物，其包含具有式(A)的鎓盐和基础聚合物。该抗蚀剂组合物在图案形成期间表现出高分辨率并且形成具有最小LER的图案。