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公开(公告)号:CN101931759B
公开(公告)日:2012-12-12
申请号:CN201010209520.5
申请日:2010-06-21
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H04N5/335 , H04N5/374 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L27/14641 , H01L27/14689
Abstract: 本发明提供一种固态成像装置,该固态成像装置包括:像素区域,所述像素区域具有以矩阵形式设置在其中的单位单元,所述单位单元包含多个转换部件、放大来自多个转换部件的信号的放大晶体管、将放大晶体管的输入部分的电势设为复位电势的复位晶体管、和与放大晶体管串联连接并选择和读取放大的信号的选择晶体管;和设置在像素区域内的阱接触区。阱接触区中的每一个与复位晶体管的漏极区相邻,并且,复位晶体管的漏极区具有比选择晶体管的源极区和漏极区中的杂质浓度低的杂质浓度。
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公开(公告)号:CN102034838A
公开(公告)日:2011-04-27
申请号:CN201010288433.3
申请日:2010-09-21
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14831 , H01L27/14603
Abstract: 本发明涉及一种光电转换装置和一种成像系统。本发明的光电转换装置包括:被布置在基板上的多个光电转换元件;用于传送信号电荷的晶体管;和用于读出传送的信号电荷的多个晶体管。多个光电转换元件包含彼此相邻的第一光电转换元件和第二光电转换元件。本发明的光电转换装置包括:被布置在第一光电转换元件和第二光电转换元件之间的具有第一导电类型的第一半导体区域;和被布置在布置有多个晶体管的区域上并具有比第一导电类型的第一半导体区域的宽度大的宽度的具有第一导电类型的第二半导体区域。
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公开(公告)号:CN101931759A
公开(公告)日:2010-12-29
申请号:CN201010209520.5
申请日:2010-06-21
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H04N5/335 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L27/14641 , H01L27/14689
Abstract: 本发明提供一种固态成像装置,该固态成像装置包括:像素区域,所述像素区域具有以矩阵形式设置在其中的单位单元,所述单位单元包含多个转换部件、放大来自多个转换部件的信号的放大晶体管、将放大晶体管的输入部分的电势设为复位电势的复位晶体管、和与放大晶体管串联连接并选择和读取放大的信号的选择晶体管;和设置在像素区域内的阱接触区。阱接触区中的每一个与复位晶体管的漏极区相邻,并且,复位晶体管的漏极区具有比选择晶体管的源极区和漏极区中的杂质浓度低的杂质浓度。
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