公开(公告)号：CN118613920A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202280091328.1

申请日：2022-12-19

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 增田健良

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/12 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 一种半导体芯片（1），具备沿第一方向（Y）排列配置的多个晶体管单元（100），所述晶体管单元具有：栅极布线（22a、22b），沿与所述第一方向正交的第二方向（X）延伸；以及第一导电型的第一半导体区域（17），沿所述第二方向延伸，所述栅极布线配置成使得在该栅极布线与相邻的所述晶体管单元的所述栅极布线之间产生的互感为负值，所述第一半导体区域配置成使得在该第一半导体区域与相邻的所述晶体管单元的所述第一半导体区域之间产生的互感为负值。

公开(公告)号：CN113396481B

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202080012332.5

申请日：2020-01-22

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 增田健良 ,  斋藤雄

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L29/12 ,  H01L21/336

Abstract: 碳化硅衬底具有第一杂质区、第二杂质区、第三杂质区、第四杂质区和第五杂质区。在通过第一杂质区和第三杂质区中的每一个从第一主表面朝向第二主表面的方向上，p型杂质的浓度分布具有第一最大值和比呈现第一相对最大值的位置更靠近第一主表面的第三相对最大值。在通过第二杂质区和第四杂质区中的每一个从第一主表面朝向第二主表面的方向上，n型杂质的浓度分布具有第二相对最大值和比呈现第二相对最大值的位置更靠近第一主表面的第四相对最大值。第四相对最大值大于第三相对最大值，第三相对最大值大于第二相对最大值，并且第二相对最大值大于第一相对最大值。

公开(公告)号：CN114503283A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202080070654.5

申请日：2020-11-20

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 斋藤雄 ,  增田健良

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/16 ,  H01L29/423

Abstract: 碳化硅半导体装置具有碳化硅基板，所述碳化硅基板具有第一主面和与所述第一主面相对的第二主面。在所述第一主面设置有栅极沟槽，所述栅极沟槽由贯通源区和体区而到达漂移区的侧面和与所述侧面相连的底面限定，并且在平行于所述第一主面的第一方向上延伸。所述碳化硅基板还具有：电场弛豫区，所述电场弛豫区设置在所述底面与所述第二主面之间，在所述第一方向上延伸，并且具有所述第二导电型；和连接区，所述连接区将接触区与所述电场弛豫区电连接，并且具有所述第二导电型，在从垂直于所述第一主面的方向俯视时，所述栅极沟槽和所述电场弛豫区位于在所述第一方向上延伸的假想直线上，并且所述连接区在所述假想直线上与所述电场弛豫区接触。

公开(公告)号：CN105074930B

公开(公告)日：2017-10-24

申请号：CN201480009968.9

申请日：2014-02-04

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 和田圭司 ,  斋藤雄 ,  增田健良

IPC: H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/0661 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7813

Abstract: 碳化硅半导体器件(1)具有碳化硅层(101)。碳化硅层(101)被提供有沟槽(TR)。在横截面图中，该沟槽(TR)具有作为第一侧壁表面(SW1)和底部(BT)之间的交点的第一角部(C1)，和作为第二侧壁表面(SW2)和底部(BT)之间的交点的第二角部(C2)。第一层(81)具有第二导电类型区(A)。在横截面图中，第二导电类型区(A)被布置成，与经过第一角部(C1)和第二角部(C2)中的任意角部的，并与形成碳化硅层(101)的碳化硅晶体的 方向平行的线(11)相交。通过SP除以ST计算出的比率为不低于20％且不高于130％，其中在平面图中ST表示第一层(81)和第二层(82)之间的交界面(B)中的沟槽的总面积，SP表示第二导电类型区的总面积。因此，能够提供能实现抑制击穿电压降低的碳化硅半导体器件(1)。

公开(公告)号：CN103988310B

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201280061374.3

申请日：2012-11-27

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  国立大学法人奈良先端科学技术大学院大学

Inventor： 日吉透 ,  增田健良 ,  畑山智亮

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L21/0475 ,  H01L21/049 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3247 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7397

Abstract: 在制造碳化硅半导体器件的方法中，通过向碳化硅层供应工艺气体同时加热所述碳化硅层来执行相对于碳化硅层的热蚀刻，所述工艺气体与碳化硅进行化学反应。通过热蚀刻在碳化硅层上形成碳膜(50)。碳化硅层被热处理，使得碳从碳膜(50)扩散进碳化硅层。

公开(公告)号：CN104428878B

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201380036253.8

申请日：2013-06-18

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 日吉透 ,  内田光亮 ,  增田健良

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/324 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/1608 ,  H01L21/0445 ,  H01L21/049 ,  H01L21/2636 ,  H01L21/324 ,  H01L29/045 ,  H01L29/34 ,  H01L29/51 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7802

Abstract: 该制造碳化硅半导体器件(100)的方法包括以下步骤。制备碳化硅衬底(10)；执行在氧气气氛中加热所述碳化硅衬底(10)的第一加热步骤；在所述第一加热步骤之后，执行在包含氮原子或者磷原子的气体气氛中将碳化硅衬底(10)加热到1300-1500℃的温度的第二加热步骤；在所述第二加热步骤之后，执行在第一惰性气体气氛中加热碳化硅衬底(10)的第三加热步骤。这允许提供具有低阈值电压变化的碳化硅半导体器件(100)及其制造方法。

公开(公告)号：CN104205339B

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201380017424.2

申请日：2013-04-08

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 和田圭司 ,  日吉透 ,  增田健良

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/0661 ,  H01L21/3065 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7813

Abstract: 在本发明中，碳化硅衬底(100)具有：具有第一导电类型的第一层(121)、设置在第一层(121)上并且具有第二导电类型的第二层(122)、和设置在第二层(122)上并且掺杂有提供第一导电类型的杂质的第三层(123)。碳化硅衬底(100)具有形成为穿过第三层(123)和第二层(122)并延伸到第一层(121)的沟槽(TR)。第一层(121)在离开第一层(121)中沟槽(TR)的位置上具有杂质的浓度峰值。结果，提供了具有很容易形成的电场缓和结构的碳化硅半导体器件。

公开(公告)号：CN103930996B

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201280054320.4

申请日：2012-10-12

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 增田健良

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/41 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L29/7827 ,  H01L21/0475 ,  H01L21/049 ,  H01L21/3065 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/34 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7813

Abstract: MOSFET(1)设置有：衬底(10)，其包括碳化硅、在其一个主表面(10A)侧开口、具有被形成在其中的具有侧壁表面(19A)的沟槽(19)；栅极绝缘膜(21)，其被形成为与侧壁表面(19A)的顶部接触；以及栅电极(23)，其被形成为与栅极绝缘膜(21)的顶部接触，其中，在位于侧壁表面(19A)上并且一边上的长度为100nm的正方形区域内的表面粗糙度为1.0nm RMS或更小。

公开(公告)号：CN103918080B

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201280054479.6

申请日：2012-11-07

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 增田健良 ,  和田圭司 ,  日吉透 ,  松川真治

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/0485 ,  H01L21/049 ,  H01L29/045 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7813

Abstract: MOSFET(1)设置有：第一沟槽(16)，其向主表面(10a)侧打开；衬底(10)，其包括碳化硅，在其主表面(10A)侧打开，其中形成有比第一沟槽(16)浅的第二沟槽(17)；栅极绝缘膜(20)；栅电极(30)；以及源电极(50)，其被定位为以便接触第二沟槽(17)的侧表面(17a)的顶部。衬底(10)包括：源极区(15)、体区(14)、以及漂移区(13)。第一沟槽(16)被形成为贯穿通过源极区(15)和体区(14)并且延伸到漂移区(13)中。第二沟槽(17)被形成为贯穿通过源极区(15)并且延伸到体区(14)。

公开(公告)号：CN103582950B

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：CN201280025863.3

申请日：2012-05-25

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 增田健良 ,  原田真 ,  和田圭司 ,  日吉透

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/336 ,  H01L29/16 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/049 ,  H01L21/3065 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7813

Abstract: 一种衬底，其具有由具有多型4H的六方形单晶结构的半导体制成的表面（SR）。通过交替地设置具有（0-33-8）的平面取向的第一平面（S1）和连接到第一平面（S1）并且具有与第一平面（S1）的平面取向不同的平面取向的第二平面（S2）来构建衬底的表面（SR）。在衬底的表面（SR）上设置有栅绝缘膜。在栅绝缘膜上设置有栅电极。