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公开(公告)号：CN109462388A
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201811230522.5
申请日：2018-10-22
Applicant: 京信通信系统(中国)有限公司 , 京信通信系统(广州)有限公司 , 京信通信技术(广州)有限公司 , 天津京信通信系统有限公司
IPC: H03K17/687
CPC classification number: H03K17/6871 , H03K2217/0081
Abstract: 本申请涉及一种GaN HEMT控制电路，包括栅压切换电路，以及连接GaN HEMT的栅极管脚的栅压端；栅压切换电路包括第一开关电路、第二开关电路以及第三开关电路；第一开关电路的第一端接入TDD切换信号，第一开关电路的第二端分别连接第二开关电路的第一端和第三开关电路的第一端；第二开关电路的第二端连接栅极电压源，第二开关电路的第三端连接栅压端；第三开关电路的第二端连接负电压电源端，第三开关电路的第三端连接栅压端。TDD切换信号可控制第一开关电路的通断，第一开关电路的通断可控制第二开关电路和第三开关电路的通断，能够切换栅压端的电压；基于上述结构，可利用TDD上下行切换信号，控制GaN HEMT的栅极电压，实现GaN HEMT的快速关断与开启。
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公开(公告)号：CN108155451A
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201711308468.7
申请日：2017-12-11
Applicant: 京信通信系统(中国)有限公司 , 京信通信系统(广州)有限公司 , 京信通信技术(广州)有限公司 , 天津京信通信系统有限公司
Abstract: 本申请实施例涉及通信领域，尤其涉及一种功率合成分配装置，包括：第一腔壳和第二腔壳密封形成的腔体、位于所述腔体内的中心导体和N个分支导体；N为大于1的正整数；所述第一腔壳设置有第一端口，所述第一端口用于输出合成信号或输入待分解信号；所述第二腔壳设置有N个第二端口，所述N个第二端口的每个第二端口用于输入待合成信号或输出分解信号；所述中心导体，包括第一接头和第一底座，所述第一接头位于所述第一端口内，所述第一底座固定于所述第二腔壳的内壁上；所述分支导体，包括第二接头和第二底座，所述第二接头位于所述第二端口内，所述第二底座固定于所述第一腔壳的内壁上。
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公开(公告)号：CN108134172A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201711309394.9
申请日：2017-12-11
Applicant: 京信通信系统(中国)有限公司 , 京信通信系统(广州)有限公司 , 京信通信技术(广州)有限公司 , 天津京信通信系统有限公司
Abstract: 本申请实施例涉及通信领域，尤其涉及一种功率合成分配装置，用于提高功率合成分配装置的功率容量。本申请实施例中，包括：第一腔壳和第二腔壳密封形成的腔体、位于所述腔体内的中心导体和N个分支导体；N为大于1的正整数；所述第一腔壳设置有第一端口和N个第二端口，所述第一端口用于输出合成信号或输入待分解信号；所述N个第二端口的每个第二端口用于输入待合成信号或输出分解信号；所述中心导体，包括第一接头和第一底座，所述第一接头位于所述第一端口内，所述第一底座固定于所述第二腔壳的内壁上；所述分支导体，所述分支导体的头部位于所述第二端口内，所述分支导体的底部固定于所述第一底座的侧壁上。
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公开(公告)号：CN103457548B
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201210180161.4
申请日：2012-06-01
Applicant: 京信通信系统(中国)有限公司
IPC: H03F1/52
Abstract: 本发明提供一种射频电路功率放大器保护装置，包括：射频衰减电路，用于根据输入的衰减电平信号对下行信号的平均功率进行衰减；峰值限幅电路，用于根据输入的限幅门限值对下行信号的信号峰值进行限制；功率检测电路，用于检测功率放大器的工作功率并将其转换为反馈电平信号输出至控制电路；控制电路，用于输出限幅门限值至峰值限幅电路，将反馈电平信号与预设的参数值进行比较，并根据比较的结果输出衰减电平信号至射频衰减电路。本发明还提供一种发射机，通过本发明的技术，保证进入功率放大器的下行信号处于可承受范围内，切实保护了功率放大器的安全，适用于所有的通信射频链路，特别是针对数字与射频相结合的大功率功放中，有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN104393844A
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201410587437.X
申请日：2014-10-27
Applicant: 京信通信系统(中国)有限公司
Abstract: 本发明提供一种功率放大系统及其处理方法，该系统包括依次连接的信号筛选电路、射频预失真电路、合路电路、Doherty功率放大电路、耦合电路以及反馈选频电路，所述射频预失真电路与所述反馈选频电路连接。本发明的功放系统可支持n(n＝2,3,4,……)种频段，带宽宽，体积小、成本低，易于实现。采用射频预失真(RFPD)技术以及多频宽带Doherty技术，实现了系统的高线性性能、高效率性能，而且该功率放大系统无须采用任何宽带A/D、D/A等器件，避免了受限器件的困扰。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104243062A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410429158.0
申请日：2014-08-27
Applicant: 京信通信系统(中国)有限公司
Abstract: 本发明提供一种上行系统以及改善上行系统性能的方法和系统，本发明在上行系统中的双工器和低噪声放大器之间搭建匹配网络，所述匹配网络的搭建参数通过如下步骤获取：分别获取双工器和低噪放的阻抗参数以及散射网络参数；根据获取的参数计算出匹配网络的目标阻抗参数以及目标散射网络参数；建立匹配网络模型，对匹配网络模型进行仿真，当匹配网络模型的仿真结果与所述目标参数相符时，根据当前匹配网络模型导出匹配网络的搭建参数。本发明实现了双工器与低噪声放大器的匹配，既保证了上行系统输入端口驻波比满足系统要求，同时实现了系统的低噪声系数。本发明匹配网络搭建参数的获取方法简单、易于实现，且保证了较高的精度。
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公开(公告)号：CN107241072B
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN201710305144.1
申请日：2017-05-03
Applicant: 京信通信系统(中国)有限公司
Abstract: 本发明涉及一种功率放大装置和方法，上述功率放大装置，包括鉴频器、峰均比检测装置、模拟预失真模块、功率放大模块以及处理器；所述鉴频器检测通信信号的频率参数，将频率参数发送至处理器；所述峰均比检测装置检测通信信号的信号峰值和信号均值，将所述信号峰值和信号均值发送至处理器；所述处理器根据接收的频率参数选择接通所述模拟预失真模块内置的模拟预失真器；根据接收的信号峰值和信号均值，计算峰均比，根据峰均比配置所述功率放大模块的供电电压；所述模拟预失真模块通过接通的模拟预失真器对所述通信信号进行预失真处理；所述功率放大模块在所述处理器配置的供电电压下对所述预失真信号进行功率放大，输出放大后的线性信号。
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公开(公告)号：CN111123772A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911289335.9
申请日：2019-12-13
Applicant: 京信通信系统(中国)有限公司
IPC: G05B19/042
Abstract: 本发明涉及功放模块的辅助控制电路、功放模块及通信设备。功放模块的辅助控制电路包括主控芯片、第一电流检测芯片和第二电流检测芯片。第一电流检测芯片的输出电压放大倍数大于第二电流检测芯片的输出电压放大倍数。第一电流检测芯片的检测输入端用于接入功放模块的功放管供电通路的静态电压。第一电流检测芯片的检测输出端电连接主控芯片。第一电流检测芯片用于将静态电压进行差分放大后输出到主控芯片。第二电流检测芯片的检测输入端用于接入功放管供电通路的工作电压。第二电流检测芯片的检测输出端电连接主控芯片。第二电流检测芯片用于将工作电压进行差分放大后输出到主控芯片。达到了大幅提升功放电流检测精度的效果。
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公开(公告)号：CN108134172B
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201711309394.9
申请日：2017-12-11
Applicant: 京信通信系统(中国)有限公司
Abstract: 本申请实施例涉及通信领域，尤其涉及一种功率合成分配装置，用于提高功率合成分配装置的功率容量。本申请实施例中，包括：第一腔壳和第二腔壳密封形成的腔体、位于所述腔体内的中心导体和N个分支导体；N为大于1的正整数；所述第一腔壳设置有第一端口和N个第二端口，所述第一端口用于输出合成信号或输入待分解信号；所述N个第二端口的每个第二端口用于输入待合成信号或输出分解信号；所述中心导体，包括第一接头和第一底座，所述第一接头位于所述第一端口内，所述第一底座固定于所述第二腔壳的内壁上；所述分支导体，所述分支导体的头部位于所述第二端口内，所述分支导体的底部固定于所述第一底座的侧壁上。
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公开(公告)号：CN110932751A
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201911171376.8
申请日：2019-11-26
Applicant: 京信通信系统(中国)有限公司
Abstract: 本申请涉及一种大功率上下行切换装置和通信设备。大功率上下行切换装置中，基于第一射频端口，射频切换开关和同步控制模块可配合完成上下行链路的切换；环形器的第一端口连接功率放大模块的输出端，第二端口连接第二射频端口，第三端口通过第一射频开关连接低噪放模块；第三端口还通过第一微带线分别连接大功率负载电阻和第二射频开关，以分别进行接地；第一微带线的第一端到第二端的射频阻抗为高阻状态。基于上述结构，下行反射功率可通过大功率负载电阻吸收，不影响上行链路；并且，在上行链路导通时，射频开关配合微带线阻抗特性的周期变换，能够保证射频功率不泄露至负载电阻，进而实现大功率容量的TDD切换，克服器件功率容量的限制。
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